专利号JP2014217534 | 炭化珪素半導体装置

专利标题：炭化珪素半導体装置
专利标题（英）：JP6267624B2 - Silicon carbide semiconductor device
申请号：JP2014217534 申请日：2014-10-24
公开(公告)号：JP6267624B2 公开(公告)日：2018-01-24
发明人：山田俊介 , 田中聡 , 濱島大輔 , 木村真二 , 小林正幸 , 木島正貴 , 濱田牧
申请人：住友電気工業株式会社 , ルネサスエレクトロニクス株式会社
申请人地址：大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号
专利权人：住友電気工業株式会社,ルネサスエレクトロニクス株式会社
当前专利权人：住友電気工業株式会社,ルネサスエレクトロニクス株式会社
当前专利权人地址：大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号
代理人：特許業務法人深見特許事務所
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/12 ; H01L21/28 ; H01L21/283 ; H01L21/768 ; H01L23/532 ; H01L21/316 ; H01L21/336

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件
--------H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
----------H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
------------H01L29/70	...双极器件
--------------H01L29/762	....电荷转移器件
----------------H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的

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