基本信息:
- 专利标题： 炭化珪素半導体装置
- 专利标题（英）：Silicon carbide semiconductor device
- 专利标题（中）：硅碳化硅半导体器件
- 申请号：JP2014217534 申请日：2014-10-24
- 公开(公告)号：JP2016086064A 公开(公告)日：2016-05-19
- 发明人： 山田 俊介 , 田中 聡 , 濱島 大輔 , 木村 真二 , 小林 正幸 , 木島 正貴 , 濱田 牧
- 申请人： 住友電気工業株式会社 , ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 申请人地址： 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号
- 专利权人： 住友電気工業株式会社,ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人： 住友電気工業株式会社,ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人地址： 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号
- 代理人： 特許業務法人深見特許事務所
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/12 ; H01L21/28 ; H01L21/283 ; H01L21/768 ; H01L23/532 ; H01L21/316 ; H01L21/336
摘要：
【課題】閾値電圧の変動を低減可能な炭化珪素半導体装置を提供する。 【解決手段】炭化珪素半導体装置1は、炭化珪素基板10と、ゲート絶縁膜15と、ゲート電極27と、層間絶縁膜2とを備えている。層間絶縁膜2は、ゲート電極27を覆うように設けられ、ゲート電極27と接し、珪素原子を含み、かつ、リン原子及びホウ素原子のいずれも含まない第1絶縁膜2aと、第1絶縁膜2a上に設けられ、かつ、珪素原子と、リン原子及びホウ素原子の少なくとも一方とを含む第2絶縁膜2bと、珪素原子を含み、かつ、リン原子及びホウ素原子のいずれも含まない第3絶縁膜2cとを含む。第2絶縁膜2bは、第1絶縁膜2aと接する第1の面2b1と、第1の面2b1の反対側の第2の面2b2と、第1の面2b1と第2の面2b2とを繋ぐ第3の面2b3とを有する。第3絶縁膜2cは、第2の面2b2及び第3の面2b3の少なくとも一方に接している。 【選択図】図1
摘要（中）：
要解决的问题：提供一种允许减小阈值电压波动的碳化硅半导体器件。解决方案：碳化硅半导体器件1包括碳化硅衬底10，栅极绝缘膜15，栅电极27和层间绝缘 层间绝缘膜2设置为覆盖栅电极27并与栅电极27接触。层间绝缘膜2包括：第一绝缘膜2a，其包含硅原子并且不含磷原子和 硼原子 设置在第一绝缘膜2a上并含有硅原子和磷原子和硼原子中的至少一个的第二绝缘膜2b; 以及含有硅原子且不含磷原子和硼原子的第三绝缘膜2c。 第二绝缘膜2b具有与第一绝缘膜2a接触的第一表面2b1和与第一表面2b1相对的一侧的第二表面2b2和连接第一表面2b1和第二表面2b2的第三表面2b3。 第三绝缘膜2c接触第二表面2b2和第三表面2b3中的至少一个。选择的图示：图1
公开/授权文献:
- JP6267624B2 炭化珪素半導体装置 公开/授权日：2018-01-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |