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1. 发明专利

JP2016086064A 炭化珪素半導体装置有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2016086064A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2014217534
申请日：2014-10-24
申请人：住友電気工業株式会社 , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：山田俊介 , 田中聡 , 濱島大輔 , 木村真二 , 小林正幸 , 木島正貴 , 濱田牧
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/316 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L2924/0002
摘要：【課題】閾値電圧の変動を低減可能な炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置1は、炭化珪素基板10と、ゲート絶縁膜15と、ゲート電極27と、層間絶縁膜2とを備えている。層間絶縁膜2は、ゲート電極27を覆うように設けられ、ゲート電極27と接し、珪素原子を含み、かつ、リン原子及びホウ素原子のいずれも含まない第1絶縁膜2aと、第1絶縁膜2a上に設けられ、かつ、珪素原子と、リン原子及びホウ素原子の少なくとも一方とを含む第2絶縁膜2bと、珪素原子を含み、かつ、リン原子及びホウ素原子のいずれも含まない第3絶縁膜2cとを含む。第2絶縁膜2bは、第1絶縁膜2aと接する第1の面2b1と、第1の面2b1の反対側の第2の面2b2と、第1の面2b1と第2の面2b2とを繋ぐ第3の面2b3とを有する。第3絶縁膜2cは、第2の面2b2及び第3の面2b3の少なくとも一方に接している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种允许减小阈值电压波动的碳化硅半导体器件。解决方案：碳化硅半导体器件1包括碳化硅衬底10，栅极绝缘膜15，栅电极27和层间绝缘层间绝缘膜2设置为覆盖栅电极27并与栅电极27接触。层间绝缘膜2包括：第一绝缘膜2a，其包含硅原子并且不含磷原子和硼原子设置在第一绝缘膜2a上并含有硅原子和磷原子和硼原子中的至少一个的第二绝缘膜2b; 以及含有硅原子且不含磷原子和硼原子的第三绝缘膜2c。第二绝缘膜2b具有与第一绝缘膜2a接触的第一表面2b1和与第一表面2b1相对的一侧的第二表面2b2和连接第一表面2b1和第二表面2b2的第三表面2b3。第三绝缘膜2c接触第二表面2b2和第三表面2b3中的至少一个。选择的图示：图1

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