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1. 发明专利

JP6249631B2 高調波処理回路有权
公开(公告)号：JP6249631B2
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：JP2013100391
申请日：2013-05-10
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小坂尚希 , 山口裕太郎 , 幸丸竜太 , 桑田英悟 , 前原宏昭 , 大塚浩志 , 内田浩光 , 大石敏之 , 山中宏治 , 垂井幸宣 , 木村実人
IPC分类号： H03F3/60

2. 发明专利

JP6187078B2 増幅器有权
公开(公告)号：JP6187078B2
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：JP2013193624
申请日：2013-09-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：大塚浩志 , 山口裕太郎 , 桑田英悟 , 小松崎優治 , 今井翔平 , 山中宏治
IPC分类号： H03F3/193

3. 发明专利

JP2016134551A ショットキーバリアダイオード有权
标题翻译：肖特基二极管二极管
公开(公告)号：JP2016134551A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015009411
申请日：2015-01-21
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山口裕太郎 , 桑田英悟 , 山中宏治 , 相原育貴
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/872
摘要：【課題】耐圧を向上させることのできるショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】ショットキーバリアダイオードのアノード電極1とカソード電極2は櫛型状に配置されている。アノード電極端1aはカソード電極2の電極端より外側に位置するよう形成されている。アノード電極1の縦方向の長さをアノード幅、カソード電極2の縦方向の長さをカソード幅と呼ぶと、このアノード幅がカソード幅より2×Lexだけ長い構造になっている。ここで、Lexはアノード電極1のカソード電極2端からのはみ出し長さを意味する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可以提高耐电压的肖特基势垒二极管。解决方案：肖特基势垒二极管的阳极电极1和阴极电极2布置成梳形。阳极电极端1a形成为比阴极电极2的电极端更靠近外侧。当阳极电极1的垂直方向上的长度和阴极电极2的垂直方向上的长度称为阳极宽度和阴极宽度，阳极宽度被设置为比阴极宽度长2×Lex，其中Lex是指阴极电极1的电极端的阳极电极1的突出长度。选择的图示：图1

4. 发明专利

JP5863585B2 大信号等価回路モデルを用いたトランジスタ特性計算装置有权
标题翻译：使用大信号等效电路模型晶体管特性计算装置
公开(公告)号：JP5863585B2
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：JP2012155451
申请日：2012-07-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：大塚浩志 , 大石敏之 , 山口裕太郎 , 小坂尚希 , 三輪真一 , 山中宏治
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338
CPC分类号： G06F17/5068 , G06F17/5036

5. 发明专利

JP2015220319A 窒化物半導体を用いたトランジスタおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：使用氮化物半导体的晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP2015220319A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2014102563
申请日：2014-05-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山口裕太郎 , 大石敏之 , 大塚浩志 , 山中宏治
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/06 , H01L21/338
摘要：【課題】ドレイン−ソース間容量Cdsを含む電極間容量の増大を抑えることができる窒化物半導体を用いたトランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート電極8におけるソース電極6側とドレイン電極7側の両方の側面に絶縁膜層9を介して形成され、断面L字状で浮遊状態のL型メタル10を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有氮化物半导体的晶体管及其制造方法，其可以抑制包括漏源电容Cds在内的电极间电容的增加。解决方案：晶体管包括L形金属10，其为通过绝缘膜层9形成在源电极6侧的栅电极8的两侧面和漏极电极7侧，并且处于浮置状态。

6. 发明专利

JP6501986B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6501986B2
公开(公告)日：2019-04-17
申请号：JP2018556145
申请日：2016-12-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山口裕太郎 , 半谷政毅 , 山中宏治
IPC分类号： H03F3/195 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H03F1/08

7. 发明专利

JP2016139656A 電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：场效应晶体管
公开(公告)号：JP2016139656A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2015012422
申请日：2015-01-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：桑田英悟 , 山口裕太郎 , 山中宏治 , 杉本篤生 , 加茂宣卓
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/812 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/095
摘要：【課題】ドレインフィンガ、ソースフィンガ及びゲートフィンガを長くしても、ループ発振を抑圧することができる小型の電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】ゲートフィンガ7と外周に配置されているソースフィンガ4がダイオード8を構成する。これにより、ドレインフィンガ2、ソースフィンガ4及びゲートフィンガ6を長くして高出力化を図る場合でも、ループ発振を抑圧できる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供即使在排水手指之后也能够抑制环路振荡的小场效应晶体管，源极指和栅极指被延长。解决方案：二极管8由栅极指7和源极指4 设置在外周。因此，即使通过延长漏极指2获得高输出，也可以抑制源极指4和栅极指6，从而可以抑制环振荡。图示：图1

8. 发明专利

JP2016005132A 高周波増幅器审中-公开
标题翻译：高频放大器
公开(公告)号：JP2016005132A
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：JP2014124420
申请日：2014-06-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小坂尚希 , 坂田修一 , 小松崎優治 , 今井翔平 , 山口裕太郎 , 桑田英悟 , 半谷政毅 , 大塚浩志 , 内田浩光 , 大石敏之 , 山中宏治
IPC分类号： H03F1/02 , H03F1/42 , H03F3/60
摘要：【課題】チップコンデンサを除去することなく損失を低減し、出力や効率を向上することのできる高周波増幅器を得る。【解決手段】ショートスタブ1は、チップコンデンサ1aに接続された基本波の高域側でλ/4より短い長さの第1の伝送線路1bを用いて構成される。第1の伝送線路1bとチップコンデンサ1aの接続部に、基本波の低域側でλ/4の長さのオープンスタブ2を接続する。ショートスタブ1が接続された第2の伝送線路3およびワイヤ5をトランジスタの出力側に接続する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过在不去除片状电容器的情况下减少损耗来提高输出和效率的高频放大器。解决方案：短接头1构成在连接到片式电容器1a的基波的高范围侧使用长度短于λ/ 4的第一传输线1b。对于第一传输线1b和片状电容器1a之间的连接部分，开口短截线2在基波的下限侧以λ/ 4的长度连接。连接有短截线1的第二传输线3和导线5连接到晶体管的输出侧。

9. 发明专利

JP5744346B2 窒化物半導体を用いたトランジスタおよびその製造方法有权
标题翻译：晶体管及其使用氮化物半导体的制造方法
公开(公告)号：JP5744346B2
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：JP2014552768
申请日：2012-12-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山口裕太郎 , 大石敏之 , 大塚浩志 , 山中宏治
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/1029 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/42376 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/778 , H01L29/7782 , H01L29/7788 , H01L2924/13064

10. 发明专利

JP2015072940A トランジスタおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP2015072940A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2013206506
申请日：2013-10-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：大石敏之 , 山口裕太郎 , 大塚浩志 , 内田浩光 , 山中宏治
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/41 , H01L21/338
摘要：【課題】寄生容量を低減して動作周波数の向上を図ることができる窒化物半導体を用いたトランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】下部側が上部側よりも小さい形状を有したゲート電極7と、ゲート電極7を上部側から被うように形成された誘電体の保護膜8とを備え、ゲート電極7の下面の端部が保護膜8と接しており、ゲート電極7の下部側に保護膜8で被われていない保護膜なし領域9,10を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有氮化物半导体的晶体管及其制造方法，能够通过降低寄生电容来提高工作频率。解决方案：晶体管包括栅极电极7，其栅极电极7的下侧具有比其上部更小的形状形成为从其上侧覆盖栅电极7的保护膜8。栅电极7的下表面的端部与保护膜8接触，栅电极7的下侧具有区域9,10，没有保护膜未被保护膜8覆盖。

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