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1. 发明专利

JP2018522415A 半導体デバイス性能を向上するための結晶整合層を含有するタ層構造审中-公开
公开(公告)号：JP2018522415A
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：JP2017567166
申请日：2016-06-27
申请人：ティブラコーポレーション , TIVRA CORPORATION
发明人：マチュカ,フランシスコ , ワイス, ロバート
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/40 , H01L33/32 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L21/338
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02609 , H01L23/36 , H01L29/04 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/7786 , H01L29/7788 , H01L29/7789 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/405
摘要：基板の上に堆積された結晶整合層を備えた多層構造。前記結晶整合層は、オーム性接触、熱的ヒートシンク、及び、反射層として、使用できる。前記結晶整合層の独特の特性により、半導体デバイスが小さくなり、半導体デバイスの製作時間が短くなり、許容電流が高く、電圧スタンドオフが高いなどの利点が得られる。

2. 发明专利

JP2018117114A 半導体装置、電源回路、コンピュータ、及び、半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018117114A
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2017214619
申请日：2017-11-07
申请人：株式会社東芝
发明人：清水達雄 , 齋藤尚史 , 大野浩志
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/408 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/4236 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/7788
摘要：【課題】電流コラプスの抑制が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、Gaを含む第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上に設けられ、第1の窒化物半導体層よりもバンドギャップが大きく、Gaを含む第2の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上に設けられ、第1の窒化物半導体層に電気的に接続された第1の電極及び第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間の設けられたゲート電極と、第2の窒化物半導体層の上に設けられ、第2の電極との間の第1の距離が、第2の電極とゲート電極との間の第2の距離よりも小さく、第1の電極又はゲート電極に電気的に接続される導電層と、ゲート電極と第2の電極との間に設けられ、第2の窒化物半導体層と導電層との間に設けられた第1の酸化アルミニウム層と、酸化シリコン層と、第2の酸化アルミニウム層と、を備える。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2018511169A 半導体デバイス、及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018511169A
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：JP2017545614
申请日：2016-07-05
申请人：三菱電機株式会社
发明人：テオ、クーン・フー , ジャン、ユハオ
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7789 , H01L29/0843 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/41758 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66431 , H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/7782 , H01L29/7783 , H01L29/7788
摘要：半導体デバイスは、この半導体デバイスの異なる深さにおいて平行に延在する複数のキャリアチャネルを形成する層状構造と、この層状構造に貫入して、異なる深さにおいて対応するキャリアチャネルに到達し、このキャリアチャネルを制御する、異なる長さの複数のゲートフィンガーを有するゲート電極とを備える。また、半導体デバイスは、層状構造に貫入して、対応するキャリアチャネルにアクセスする、異なる長さの複数のキャリアフィンガーを有するキャリア電極を備える。キャリアフィンガーは、ゲートフィンガーと互い違いに配置される。

4. 发明专利

JP6006918B2 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子装置有权
标题翻译：半导体器件，制造半导体器件的方法，和电子装置
公开(公告)号：JP6006918B2
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：JP2011126537
申请日：2011-06-06
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：福井勇貴 , 加藤浩朗
IPC分类号： H01L29/739 , H01L27/088 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/66666 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7788 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L21/823487 , H01L27/0922 , H01L29/41741 , H01L29/42372 , H01L29/78

5. 发明专利

JP2016058648A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016058648A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014185571
申请日：2014-09-11
申请人：株式会社東芝
发明人：安本恭章 , 梁瀬直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 斉藤泰伸 , 藤本英俊 , 古川大 , 八木恭成 , 湯元美樹 , 飯田敦子 , 村上友佳子
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/337
CPC分类号： H01L29/7788 , H01L29/04 , H01L29/0692 , H01L29/41741 , H01L29/7789 , H01L29/7813 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/4236
摘要：【課題】信頼性の向上が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1電極と、第2電極と、第3電極と、窒化物半導体層と、を含む。前記第1電極は、第1面を含む。前記第2電極は、第2面を含む。前記第2面は、凸部及び凹部の少なくともいずれかが複数設けられる。前記第2電極は、第1方向において前記第1電極と離間して設けられる。前記第3電極は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第1電極と離間して設けられる。前記窒化物半導体層は、前記第1面と前記第2面との間、及び、前記第3電極と前記第2面との間に設けられる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高可靠性的半导体器件。解决方案：半导体器件包括第一电极，第二电极，第三电极和氮化物半导体层。第一电极包括第一表面。第二电极包括第二表面。在第二表面上设置有多个凸部和多个凹部中的至少任一个。第二电极设置成在第一方向上与第一电极分离。第三电极设置成在与第一方向交叉的第二方向上与第一电极分离。氮化物半导体层设置在第一表面和第二表面之间以及第三电极和第二表面之间。选择的图示：图1

6. 发明专利

JP5744346B2 窒化物半導体を用いたトランジスタおよびその製造方法有权
标题翻译：晶体管及其使用氮化物半导体的制造方法
公开(公告)号：JP5744346B2
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：JP2014552768
申请日：2012-12-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山口裕太郎 , 大石敏之 , 大塚浩志 , 山中宏治
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/1029 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/42376 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/778 , H01L29/7782 , H01L29/7788 , H01L2924/13064

7. 发明专利

JP2015065241A 半導体装置の製造方法および半導体装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件和半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015065241A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013197426
申请日：2013-09-24
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：安藤裕二
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/28264 , H01L21/6835 , H01L29/0646 , H01L29/4236 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7788 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L29/045
摘要：【課題】高電子移動度トランジスタの特性を向上させる。【解決手段】n型のコンタクト層(n型のAlGaN層)CL、電子供給層(アンドープのAlGaN層)ESおよびチャネル層(アンドープのGaN層)CHの積層体を、[0001]結晶軸方向に平行なGa面での成長モードにて形成する。そして、この積層体を、n型のコンタクト層(n型のAlGaN層)CL側が上面となるように反転させ、溝Tを形成した後、ゲート絶縁膜GIを介してゲート電極GEを形成する。このように、[000−1]方向に、チャネル層(アンドープのGaN層)CHと電子供給層(アンドープのAlGaN層)ESとを順に積層することにより、(1)ノーマリオフ動作と(2)高耐圧化の両立が容易となる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高高电子迁移率晶体管的特性。解决方案：将n型接触层（n型AlGaN层）CL，电子供给层（未掺杂的AlGaN层）ES和在平行于[0001]晶轴方向的Ga表面上以生长模式形成沟道层（未掺杂的GaN层）CH。然后将层压体以使n型接触层（n型AlGaN层）CL侧成为上表面并形成沟槽T的方式反转，然后经栅极绝缘膜形成栅电极GE GI。以这种方式，沿[000-1]方向顺序层叠沟道层（未掺杂的GaN层）CH和电子供给层（未掺杂的AlGaN层）ES，使得（1）常关操作和（ 2）高耐受电压易于兼容。

8. 发明专利

JP2015056486A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015056486A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：JP2013188369
申请日：2013-09-11
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： YOSHIOKA AKIRA , SUGIYAMA TORU , SAITO YASUNOBU , TSUDA KUNIO
IPC分类号： H01L21/337 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/4236 , H01L29/66462 , H01L29/66674 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7788 , H01L29/7813 , H01L29/7827
摘要：【課題】p型のGaN系半導体へのコンタクト抵抗を低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、n型の第1のGaN系半導体層と、第1のGaN系半導体層上の、第1のGaN系半導体層側の低不純物濃度領域と、第1のGaN系半導体層と反対側の高不純物濃度領域とを有するp型の第2のGaN系半導体層と、第2のGaN系半導体層の第1のGaN系半導体層と反対側のn型の第3のGaN系半導体層と、一端が第3のGaN系半導体層または第3のGaN系半導体層より上に位置し、他端が第1のGaN系半導体層に位置し、ゲート絶縁膜を介して第3のGaN系半導体層、低不純物濃度領域、第1のGaN系半導体層に隣接するゲート電極と、第3のGaN系半導体層上の第1の電極と、高不純物濃度領域上の第2の電極と、第1のGaN系半導体層の第2のGaN系半導体層と反対側の第3の電極と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可以降低p型GaN基半导体的接触电阻的半导体器件。解决方案：一个实施例的半导体器件包括：n型第一GaN基半导体层; 在第一GaN基半导体层侧的第一GaN基半导体层上具有低杂质浓度区域的p型第二GaN基半导体层和第一GaN基半导体层上的高杂质浓度区域与第一GaN基半导体相对的一侧; 在与第一GaN基半导体层相反一侧的第二GaN基半导体层上的n型第三GaN基半导体层; 栅电极，其一端位于第三GaN基半导体层中，或位于第三GaN基半导体层之上，另一端位于第一GaN基半导体层中，并且与第三GaN基半导体层，低杂质浓度区域和第一GaN基半导体层经由栅极绝缘膜; 第三GaN基半导体层上的第一电极;高杂质浓度区域上的第二电极; 以及与第二GaN基半导体层相反一侧的第一GaN基半导体层上的第三电极。

9. 发明专利

JP2015019070A ｐ型ガリウムナイトライド電流障壁層を有する垂直型トランジスタおよびその製造方法有权
标题翻译：具有P型氮化镓电流阻挡层的垂直晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP2015019070A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2014142115
申请日：2014-07-10
申请人：ソウルセミコンダクターカンパニーリミテッド , Seoul Semiconductor Co Ltd , ソウルセミコンダクターカンパニーリミテッド
发明人： TAKEYA MOTONOBU , LEE KWAN HYUN , JONG YOUNG DO
IPC分类号： H01L21/337 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7788 , H01L21/268 , H01L21/6835 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/2003 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/66431 , H01L29/66727 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381
摘要：【課題】p型GaN電流障壁層を有する垂直型トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板102の第1領域上のドレイン電極106と、基板102における、第1領域と離隔した第2領域上のドリフト層108と、ドリフト層108の上部に配置され、電流アパーチャ109を構成するp型GaN電流障壁層110と、p型GaN電流障壁層110およびドリフト層108の上に配置されるチャネル層112と、チャネル層112上に配置され、チャネル層の表面に隣接する2次元電子ガス層113の形成を引き起こす半導体層114と、チャネル層112内に配置され、p型GaN電流障壁層110とコンタクトする金属コンタクトプラグ124と、金属コンタクトプラグ124およびチャネル層112上のソース電極116と、半導体層114の上部面上に順に積層されたゲート絶縁層118およびゲート電極層120とを含む。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供具有p型GaN电流阻挡层的垂直晶体管，并提供其制造方法。解决方案：垂直晶体管包括：衬底102的第一区域上的漏电极106; 位于衬底102的与第一区域间隔开的第二区域上的漂移层108; p型GaN电流阻挡层110，设置在漂移层108的上部并构成电流孔109; 布置在p型GaN电流阻挡层110和漂移层108上的沟道层112; 设置在沟道层112上并使邻近沟道层表面形成二维电子气层113的半导体层114; 设置在沟道层112中并与p型GaN电流阻挡层110接触的金属接触插塞124; 金属接触插塞124和沟道层112上的源电极116; 以及依次层叠在半导体层114的上表面上的栅极绝缘层118和栅极电极层120。

10. 发明专利

JP2014527302A Vertical field effect transistor and a method of manufacturing the same on the oxide semiconductor substrate 审中-公开
公开(公告)号：JP2014527302A
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：JP2014526259
申请日：2012-08-17
申请人：ラムゴスインコーポレイテッド
发明人：ブンミティーアデコレ
IPC分类号： H01L21/337 , H01L21/338 , H01L27/095 , H01L27/098 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/8083 , H01L29/045 , H01L29/0615 , H01L29/0657 , H01L29/0847 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/267 , H01L29/66446 , H01L29/66454 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/66924 , H01L29/66969 , H01L29/7788 , H01L29/7789 , H01L29/7802 , H01L29/7813
摘要：縦型金属電界効果トランジスタ等のトランジスタは、ＺｎＯ系材料を含む基板と、ＡｌＧａＮ系材料を含む基板の第１の面上に配置される構造体と、基板の第２の面上に配置される電極とを含むことができる。トランジスタはまた、複数の半導体層と電極材料との間に配置される、複数の半導体層と１つの誘電体層とを含むこともできる。
【選択図】図１

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