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1. 发明专利

JP6157759B1 ドハティ増幅器有权
公开(公告)号：JP6157759B1
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：JP2016564277
申请日：2016-05-18
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小松崎優治 , 新庄真太郎 , 中谷圭吾 , 今井翔平
IPC分类号： H03F3/24 , H03F1/07
CPC分类号： H03F1/07
摘要：キャリア増幅器(6)とピーク増幅器(8)が並列に接続されているドハティ増幅器において、ピーク増幅器(8)が動作を停止している状態では、自己の出力端(9a)からピーク増幅器(8)側を見たインピーダンスを使用周波数内でオープンにするとともに、合成器(10)の出力側から合成器(10)を見たインピーダンスの周波数依存性を補償する補償回路(9)が、ピーク増幅器(8)と合成器(10)の間に接続されているように構成する。これにより、回路の大型化や複雑化を招くことなく、広帯域化を図ることができる。

2. 发明专利

JP6569417B2 増幅器有权
公开(公告)号：JP6569417B2
公开(公告)日：2019-09-04
申请号：JP2015182446
申请日：2015-09-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小坂尚希 , 今井翔平 , 岡村篤司 , 三輪真一 , 長明健一郎 , 佐々木善伸 , 堀口健一
IPC分类号： H01L21/60

3. 发明专利

JP6051814B2 高周波装置有权
标题翻译：高频器件
公开(公告)号：JP6051814B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2012258889
申请日：2012-11-27
申请人：三菱電機株式会社
发明人：三輪真一 , 今井翔平 , 服部公春 , 吉岡貴章
IPC分类号： H01L23/02 , H01L23/12
CPC分类号： H01L24/49 , H01L23/66 , H01L2224/05599 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/49 , H01L2224/85399 , H01L24/48 , H01L2924/00014 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011

4. 发明专利

JP2016005132A 高周波増幅器审中-公开
标题翻译：高频放大器
公开(公告)号：JP2016005132A
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：JP2014124420
申请日：2014-06-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小坂尚希 , 坂田修一 , 小松崎優治 , 今井翔平 , 山口裕太郎 , 桑田英悟 , 半谷政毅 , 大塚浩志 , 内田浩光 , 大石敏之 , 山中宏治
IPC分类号： H03F1/02 , H03F1/42 , H03F3/60
摘要：【課題】チップコンデンサを除去することなく損失を低減し、出力や効率を向上することのできる高周波増幅器を得る。【解決手段】ショートスタブ1は、チップコンデンサ1aに接続された基本波の高域側でλ/4より短い長さの第1の伝送線路1bを用いて構成される。第1の伝送線路1bとチップコンデンサ1aの接続部に、基本波の低域側でλ/4の長さのオープンスタブ2を接続する。ショートスタブ1が接続された第2の伝送線路3およびワイヤ5をトランジスタの出力側に接続する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过在不去除片状电容器的情况下减少损耗来提高输出和效率的高频放大器。解决方案：短接头1构成在连接到片式电容器1a的基波的高范围侧使用长度短于λ/ 4的第一传输线1b。对于第一传输线1b和片状电容器1a之间的连接部分，开口短截线2在基波的下限侧以λ/ 4的长度连接。连接有短截线1的第二传输线3和导线5连接到晶体管的输出侧。

5. 发明专利

JP2015220481A バラン及び電力増幅器审中-公开
标题翻译：巴伦和功率放大器
公开(公告)号：JP2015220481A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2014100236
申请日：2014-05-14
申请人：三菱電機株式会社
发明人：今井翔平 , 山中宏治 , 半谷政毅
IPC分类号： H01P5/10 , H03F3/68 , H03H7/42
摘要：【課題】平衡端子間のアイソレーションを高くして、かつ小型にすることができるバラン及び電力増幅器を提供する。【解決手段】互いに同等のリアクタンス成分を有する第1リアクタンス素子21及び第2リアクタンス素子22を、第1平衡端子12と第2平衡端子13間に直列に接続している。抵抗素子23の一端部を第1リアクタンス素子21と第2リアクタンス素子22間に接続して、他端部を電気的に接地している。これにより、第1平衡端子12に入力された不要信号c 1 による電力を抵抗素子23で消費することで、不要信号c 1 が第2平衡端子13から出力されるのを抑制する。その結果、第1平衡端子12と第2平衡端子13間のアイソレーションを高くすることができる。また、不要信号c 1 の波長の2分の1長さと同等の電気長を有する分布定数線路を不要として、より小型にすることができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可以通过增加平衡端子之间的隔离来实现紧凑的平衡 - 不平衡转换器，并提供功率放大器。解决方案：具有等效电抗分量的第一电抗元件21和第二电抗元件22串联连接第一平衡端子12和第二平衡端子13.电阻元件23的一端连接在第一电抗元件21和第二电抗元件22之间，另一端电连接。因此，由于阻塞到第一平衡端子12的不想要的信号引起的功率被电阻元件23消耗，并且抑制了来自第二平衡端子13的不需要的信号c的输出。结果，可以增加第一平衡端子12和第二平衡端子13之间的隔离。此外，通过消除对具有等于不需要的信号c的波长的1/2的电长度的分布常数线路的需要，可以使平衡 - 不平衡变压器更紧凑。

6. 发明专利

JPWO2018003111A1 増幅器有权
公开(公告)号：JPWO2018003111A1
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：JP2016069620
申请日：2016-07-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中谷圭吾 , 小松崎優治 , 新庄真太郎 , 山中宏治 , 今井翔平
IPC分类号： H03F3/193 , H03F1/08
CPC分类号： H03F1/08 , H03F1/42
摘要：ドレイン端子(2)と第1の金属パターン(7a,7b)とを接続する第1の金属ワイヤ(8a,8b)と、第1の金属パターン(7a,7b)と第2の金属パターン(9a,9b)とを接続する第2の金属ワイヤ(10a,10b)とで並列インダクタを構成する。第2の金属ワイヤ(10a,10b)は、第1の金属ワイヤ(8a,8b)と、ドレイン端子(2)と第3の金属パターン(11)とを接続する第3の金属ワイヤ(12a,12b)との間に位置する。第2の金属ワイヤ(10a,10b)の電流の向きを、第1の金属ワイヤ(8a,8b)と第3の金属ワイヤ(12a,12b)の電流の向きとは逆方向とする。

7. 发明专利

JP6377305B2 増幅器有权
公开(公告)号：JP6377305B2
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：JP2018524701
申请日：2016-07-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中谷圭吾 , 小松崎優治 , 新庄真太郎 , 山中宏治 , 今井翔平
IPC分类号： H03F1/42 , H03F1/08
CPC分类号： H03F1/08 , H03F1/42

8. 发明专利

JP6095787B2 高周波電力増幅器有权
公开(公告)号：JP6095787B2
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：JP2015534018
申请日：2014-04-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：今井翔平 , 大塚浩志 , 山中宏治 , 前原宏昭 , 小柳元良 , 太田彰
IPC分类号： H03F3/21 , H03F3/68
CPC分类号： H03F3/604 , H03F1/565 , H03F3/191 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/68 , H03F2200/255 , H03F2200/423 , H03F2200/451 , H03F2200/543

9. 发明专利

JP6067151B2 マルチフィンガトランジスタ及び半導体装置有权
标题翻译：多指晶体管及半导体装置
公开(公告)号：JP6067151B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2015559357
申请日：2015-07-21
申请人：三菱電機株式会社
发明人：今井翔平 , 桑田英悟 , 山中宏治 , 前原宏昭 , 太田彰
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/338
CPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/41 , H01L29/78 , H01L29/812

10. 发明专利

JP5989264B1 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP5989264B1
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2015558048
申请日：2015-06-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：今井翔平 , 弥政和宏 , 山中宏治 , 前原宏昭 , 金谷康 , 國井徹郎 , 片山秀昭
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/338
CPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/812
摘要：半導体基板(1)上の活性領域に設けられた一本以上のゲートフィンガ(20)と、活性領域に設けられ、ゲートフィンガ(20)を挟んで交互に配置されたソースフィンガ(30)及びドレインフィンガ(40)とを備えた半導体装置において、ゲートフィンガ(20)の入力端子(21a)から入力される信号の周波数において誘導性インピーダンスとなり、当該ゲートフィンガ(20)の当該入力端子(21a)の接続位置から離れた箇所で当該ゲートフィンガに直接又は間接的に接続された終端回路(60)を備えた。
摘要翻译：在一个或多个栅指在有源区（20）提供了跨过栅极指（20）和漏极交替布置在半导体基板（1），在有源区域中，源极指（30）在设置有手指（40）的半导体装置，具有在信号输入的从栅极指（20）（21a）的输入端的频率的电感性阻抗，的栅极指状物（20）的输入端子（21a）的用直接或间接地连接的终端电路（60）到所述栅指在从连接位置间隔开的位置。

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