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1. 发明专利

JP2018195937A 高周波フロントエンド回路审中-公开
公开(公告)号：JP2018195937A
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2017097220
申请日：2017-05-16
申请人：株式会社村田製作所
发明人：竹中功
IPC分类号： H03F1/32 , H03F1/26 , H04B1/04
CPC分类号： H03F1/26 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F2200/165 , H03F2200/171 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H04B1/40
摘要：【課題】高周波フロントエンド回路において、増幅回路によって増幅された送信信号が、受信回路の周波数帯域側に漏洩することを抑制する。【解決手段】通信装置100において、高周波フロントエンド回路1は、受信回路70aと、増幅回路10aを有する送信回路30aとを備える。増幅回路10aは、入力端子Pinおよび出力端子Poutと、入力端子Pinと出力端子Poutとを結ぶ経路上に設けられた増幅素子と、LC共振回路を有し、増幅素子と出力端子Poutとの間に接続されたバイアス回路とを備えている。送信回路30aの周波数通過帯域は、受信回路70aの周波数通過帯域よりも低く、バイアス回路の共振周波数の値は、送信回路30aの周波数通過帯域幅の値よりも小さい。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2017521012A マイクロ波切除のためのデュアルバンド電力増幅器回路审中-公开
公开(公告)号：JP2017521012A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：JP2017501691
申请日：2014-07-14
申请人：コヴィディエンリミテッドパートナーシップ , コヴィディエンリミテッドパートナーシップ
发明人：ゾンユリャオ， , ゾンユリャオ，
IPC分类号： H03F3/20 , H03F1/42 , H03F3/60 , H03H7/38
CPC分类号： A61B18/1815 , A61B2018/00577 , A61B2018/1823 , A61B2018/1876 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/111 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/261 , H03F2200/387 , H03F2200/423 , H03H7/38
摘要：デュアルバンド電力増幅器は、電力増幅器(420)と、第1の整合回路(450)と、第1の補助回路(470)と、第2の整合回路(440)と、第2の補助回路(460)とを含む。電力増幅器)は、入力および出力を有し、入力信号を第1および第2の周波数で増幅させるように構成される。第1の整合回路は、電力増幅器の出力に電気的に接続され、第1の周波数で負荷インピーダンスを出力インピーダンスに整合させるように構成される。第1の整合回路および第1の補助回路は、第2の周波数で負荷インピーダンスを出力インピーダンスに整合させるように構成される。第2の整合回路は、電力増幅器の入力に電気的に接続され、第1の周波数でソースインピーダンスを入力インピーダンスに整合させるように構成される。第2の整合回路および第2の補助回路は、第2の周波数でソースインピーダンスを入力インピーダンスに整合させるように構成される。

3. 发明专利

JP6095787B2 高周波電力増幅器有权
公开(公告)号：JP6095787B2
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：JP2015534018
申请日：2014-04-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：今井翔平 , 大塚浩志 , 山中宏治 , 前原宏昭 , 小柳元良 , 太田彰
IPC分类号： H03F3/21 , H03F3/68
CPC分类号： H03F3/604 , H03F1/565 , H03F3/191 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/68 , H03F2200/255 , H03F2200/423 , H03F2200/451 , H03F2200/543

4. 发明专利

JP2017503426A ワイドバンドギャップパワートランジスタのための改良型整合技術审中-公开
标题翻译：改进的匹配技术的宽带隙功率晶体管
公开(公告)号：JP2017503426A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2016544595
申请日：2014-12-31
申请人：ダイアモンド・マイクロウェイブ・デバイセズ・リミテッドDiamond Microwave Devices Limited , ダイアモンド・マイクロウェイブ・デバイセズ・リミテッドDiamond Microwave Devices Limited
发明人：リチャード・ラング , ジョナサン・ギル , ダミアン・ゴッチ , リチャード・ヒルトン
IPC分类号： H01P5/08 , H01P5/02 , H03H7/38
CPC分类号： H03F1/565 , H01L23/49838 , H01L23/645 , H01L23/647 , H01L23/66 , H01L24/17 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L2223/6611 , H01L2223/6627 , H01L2223/6655 , H01L2223/6683 , H01L2224/04042 , H01L2224/16225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48175 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1304 , H01L2924/1423 , H01L2924/15747 , H01L2924/19011 , H01L2924/19031 , H01L2924/19032 , H01L2924/19033 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/386 , H01P3/026 , H01P3/08 , H01P3/081 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/451 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本発明のいくつかの実施形態は、複数のマイクロ波パワートランジスタ(41)と、少なくとも1つの中間インピーダンス変換又はマッチング装置(30)とを備えるインピーダンス変換構成を提供する。前記マッチング装置は、複数の長尺なマイクロ波伝送線路(31)を備え、前記マイクロ波伝送線路(31)は少なくとも1つの誘電体基板(32)の中または上に設けられ、前記少なくとも1つの誘電体基板を少なくとも部分的に横断またはこれを通じて延在する。マイクロ波伝送線路(31)は一端でマイクロ波パワートランジスタ(41)のゲートボンディングパッド(47)に接合され、入力端で前記伝送線路向けの信号入力端子に接続される。前記マイクロ波伝送線路(31)は抵抗素子(35)によって互いに実質的に直接結合されており、前記抵抗素子は、製造ばらつき又は位置合わせ不良によってもたらされる不安定性に対するいかなる残留性をも低減するために、前記2つのマイクロ波伝送線路の間に電流路を提供する。
摘要翻译：本发明的一些实施例包括多个微波功率晶体管（41）的，以提供阻抗转换装置，其包括至少一个中间阻抗变换或匹配装置（30）。其中，所述匹配装置包括多个细长的微波传输线（31）的，所述微波传输线（31）设置在至少一个电介质基板（32）上或所述至少一个介电基片或至少部分地横向穿过其延伸。微波传输线（31）在一个端部被接合到微波功率晶体管（41）的栅极焊盘（47），连接到用于在输入传输线的信号输入端。所述微波传输线（31）基本上直接电阻元件（35）彼此连接，所述电阻元件中，由于减少任何残余的针对由制造偏差或偏移的不稳定性以提供两个微波传输线之间的电流路径。

5. 发明专利

JP4838572B2 Stabilization circuit, a multi-band amplifier circuit 有权
公开(公告)号：JP4838572B2
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：JP2005338489
申请日：2005-11-24
申请人：株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ
发明人：浩司岡崎 , 祥一楢橋 , 敦史福田
IPC分类号： H01P5/02 , H03F3/60
CPC分类号： H03F3/601 , H03F1/086 , H03F1/56 , H03F3/191 , H03F2200/111 , H03F2200/12 , H03F2200/222 , H03F2200/249 , H03F2200/252 , H03F2200/255 , H03F2200/27 , H03F2200/372 , H03F2200/387 , H03F2200/417 , H03F2200/423 , H03H7/40 , H03H11/30 , H04B1/0053 , H04B1/0458

6. 发明专利

JP2011066380A High frequency circuit having multi-chip module structure 有权
标题翻译：具有多芯片模块结构的高频电路
公开(公告)号：JP2011066380A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：JP2010048155
申请日：2010-03-04
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： TAKAGI KAZUTAKA
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/12 , H01L25/18 , H03F3/60
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/642 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0655 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01084 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/1461 , H01L2924/1903 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H03F3/195 , H03F3/604 , H03F2200/255 , H03F2200/366 , H03F2200/408 , H03F2200/423 , H03F2200/543 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency circuit having a low-cost multi-chip module structure by reducing the size of an integrated circuit for microwaves and millimeter waves. SOLUTION: The high frequency circuit 30 includes semiconductor substrates 16 1 to 16 3 , formed respectively with a plurality of discrete transistors FET1 to FET3, first dielectric substrates 14 1 to 14 4 formed respectively with a plurality of capacitors C1 to C4, and second dielectric substrates 18 1 , 18 2 formed with a plurality of matching circuits, wherein the plurality of discrete transistors FET1 to FET3 form a series-connected multi-chip module structure. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：通过减小用于微波和毫米波的集成电路的尺寸来提供具有低成本多芯片模块结构的高频电路。解决方案：高频电路30包括分别由多个分立晶体管FET1至FET3形成的半导体衬底16 至16 3 ，第一介质衬底14 < 分别形成有多个电容器C1〜C4的SB> 1 〜14 ，第二电介质基板18 18 2 形成有多个匹配电路，其中多个分立晶体管FET1至FET3形成串联连接的多芯片模块结构。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JPWO2009057385A1 電力増幅器、電力増幅器の制御方法有权
公开(公告)号：JPWO2009057385A1
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：JP2009538976
申请日：2008-09-05
申请人：日本電気株式会社
发明人：丸橋　建一 , 建一丸橋 , 田能村　昌宏 , 昌宏田能村 , 秀徳嶋脇 , 秀徳嶋脇
IPC分类号： H03F1/02 , H03F3/24
CPC分类号： H03F1/56 , H03F1/0277 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/604 , H03F3/72 , H03F2200/15 , H03F2200/18 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/387 , H03F2200/423 , H03F2203/21106 , H03F2203/21142 , H03F2203/21178 , H03F2203/7215 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236
摘要：本発明の電力増幅器は、ゲート長が180nm以下であるMOSトランジスタ(1)と、MOSトランジスタ(1)のドレイン端子に接続された出力側整合回路(5)と、を有する。また、MOSトランジスタ(1)は、DC状態で許容できる電圧値で規格化された電圧Vd_nが0.5〜0.9であり、このVd_nがドレイン−ソース間電圧として印加される。また、ドレイン端子から出力整合回路(5)をみた負荷インピーダンスをMOSトランジスタ(1)のゲート幅W(mm)で規格化した値がZL(=RL+j・XL)であり、ZLの実部(RL)は、RL>0.64×Vd_n+0.19(Ω・mm)で、かつ、RL

8. 发明专利

JP2010161348A High-frequency semiconductor device 有权
标题翻译：高频半导体器件
公开(公告)号：JP2010161348A
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：JP2009269885
申请日：2009-11-27
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： TAKAGI KAZUTAKA
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L21/8232 , H01L23/12 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/082 , H01L27/095 , H01L29/778 , H01L29/812 , H03F3/68
CPC分类号： H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L2223/6611 , H01L2223/6644 , H01L2223/6655 , H01L2224/05553 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/45015 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4911 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/4941 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/19041 , H01L2924/19051 , H01L2924/19107 , H01L2924/20753 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03F1/565 , H03F3/211 , H03F2200/216 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/387 , H03F2200/423 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve gain and output power by matching signal phases by adjusting inductance distributions of input and output bonding wires or input and output transmission lines, and to suppress an oscillation due to unbalanced operation of each FET cell. SOLUTION: A high-frequency semiconductor device 25 includes: a field effect transistor 24 including gate terminal electrodes G1-G10, source terminal electrodes S1-S11, and a drain terminal electrode D; an input circuit pattern 17 and an output circuit pattern 18 which are disposed adjoining the field effect transistor; a plurality of input bonding wires 12, 12L configured to connect the gate terminal electrodes G1-G10 and the input circuit pattern 17; and a plurality of output bonding wires 14, 14L configured to connect the drain terminal electrode D and the output circuit pattern 18, whereby the phase of an input signal is matched by adjusting an inductance distribution of a plurality of input bonding wires 12, 12L, and whereby the phase of an output signal is matched by adjusting an inductance distribution of a plurality of output bonding wires 14, 14L. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：通过调整输入和输出接合线或输入和输出传输线的电感分布，通过调整信号相位来提高增益和输出功率，并抑制由于每个FET单元的不平衡操作引起的振荡。解决方案：高频半导体器件25包括：栅极端子电极G1-G10，源极电极S1-S11和漏极端子电极D的场效应晶体管24; 设置在场效应晶体管旁边的输入电路图案17和输出电路图案18; 配置为连接栅极端子电极G1-G10和输入电路图案17的多个输入接合线12,12L; 以及多个输出接合线14,14L，其被配置为连接漏极端子电极D和输出电路图案18，由此通过调节多个输入接合线12,12L的电感分布来匹配输入信号的相位，并且由此通过调整多个输出接合线14,14L的电感分布来匹配输出信号的相位。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JPWO2008018338A1 高調波処理回路及びこれを用いた増幅回路有权
公开(公告)号：JPWO2008018338A1
公开(公告)日：2009-12-24
申请号：JP2008528788
申请日：2007-08-01
申请人：国立大学法人電気通信大学
发明人：亮石川 , 亮石川 , 本城　和彦 , 和彦本城
IPC分类号： H03F3/60 , H03F3/21
CPC分类号： H03F3/601 , H01P1/212 , H01P5/028 , H03F1/56 , H03F3/191 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/387 , H03F2200/423 , H03F2200/451 , H03F2200/75
摘要：本発明は、回路の小型化が可能な高周波処理回路及びそれを用いた増幅回路を提供する。第1インピーダンス調整部と、第2インピーダンス調整部とを備える。第1インピーダンス調整部は、結合分布定数線路CTを備える。結合分布定数線路CTは、増幅用トランジスタSの出力が入力されるものであり、かつ、前記増幅用トランジスタSの出力における基本波の波長λの1/4の長さを有している。さらに、第1インピーダンス調整部は、偶数次高調波に対する入力インピーダンスを、実質的に無限大又は零の一方に調整する。第1インピーダンス調整部と第2インピーダンス調整部とは、奇数次高調波に対する入力インピーダンスを、実質的に無限大又は零の他方に調整する。

10. 发明专利

JP2007089391A Space radiation high-power amplifier having reflector formed into prescribed shape 审中-公开
标题翻译：具有形成为预定形状的反射器的空间辐射大功率放大器
公开(公告)号：JP2007089391A
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：JP2006253144
申请日：2006-09-19
申请人： Raytheon Co , レイセオンカンパニーRaytheon Company
发明人： BROWN KENNETH W
IPC分类号： H02J17/00
CPC分类号： H01Q19/12 , B33Y80/00 , H03F3/24 , H03F3/602 , H03F2200/255 , H03F2200/423 , H03F2200/451
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enable a space radiation high-power amplifier to have a reflector with at least one shape for reflecting a first wavefront and an active array amplifier for amplifying a reflection wavefront for generating a high-power plane wavefront. SOLUTION: The reflector gives substantially uniform amplitude to the refection wavefront 107, when entering the active array amplifier 108. The first wavefront 103 is a substantially spherical wavefront, the reflector having a shape corrects each amplitude taper of the first wavefront 103, and a substantially uniform amplitude component is given to the reflection wavefront 107, when the wave enters the active array amplifier 108. In some embodiments, illuminance is contoured so as to fit to the shape of the active array amplifier for minimizing leakage in the reflector having a shape. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了使空间辐射大功率放大器具有用于反射第一波前的至少一个形状的反射器和用于放大用于产生高功率平面波前的反射波前的有源阵列放大器。解决方案：当进入有源阵列放大器108时，反射器对反射波前107提供基本均匀的振幅。第一波前103是基本上球面的波前，反射器具有校正第一波前103的每个振幅锥度的形状，并且当波进入有源阵列放大器108时，向反射波前107提供基本上均匀的幅度分量。在一些实施例中，照度被轮廓化以适合有源阵列放大器的形状，以最小化具有一个形状。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

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