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2. 发明专利

JP5857225B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5857225B2
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：JP2012530800
申请日：2011-11-04
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：佐藤好弘 , 新井秀幸 , 山田隆順
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/8244 , H01L27/11 , H01L27/10 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28518 , H01L21/76895 , H01L27/105 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , Y10S257/903

3. 发明专利

JP2021157660A デバイス、デバイス付き物品、及び、製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021157660A
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：JP2020059104
申请日：2020-03-27
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：中順一 , 小畑幸嗣 , 樋口裕一 , 長崎純久 , 新井秀幸
IPC分类号： G06K19/077
摘要：【課題】課題は、構造的な信頼性の向上を図ることができる、デバイス、デバイス付き物品、及び、製造方法を提供することである。【解決手段】デバイス1は、チップ4と、配線部3と、調整層8と、を備える。チップ4は、物品5を含む対象物7の対象表面70に配置される。配線部3は、対象表面70に配置される特定部位(アンテナ部33)を有し、チップ4に電気的に接続される。調整層8は、対象表面70に形成され、対象表面70とは反対側の配置面80に、チップ4と配線部3の特定部位33の少なくとも一部との少なくとも一方が配置される。調整層8は、配置面80が対象表面70よりも平坦となる厚みの分布を有する。【選択図】図2

4. 发明专利

JPWO2020045001A1 縮環ヘテロ5員環分子、p型半導体膜および電子デバイス审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020045001A1
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：JP2019031156
申请日：2019-08-07
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：松澤伸行 , 新井秀幸 , 笹子勝
IPC分类号： C07D517/14 , C07D495/14 , H01L51/30 , H01L51/05 , H01L29/786 , C07D493/14
摘要：正孔移動度がより十分に高い縮環ヘテロ5員環分子を提供すること。1分子中、3個または5個のヘテロ5員環を含む芳香族環を8個有し、かつ前記8個の芳香族環は1個または2個のナフタレン構造部を有する、縮環ヘテロ5員環分子であって、前記3個または5個のヘテロ5員環は、それぞれ独立して、チオフェン環、セレノフェン環およびフラン環からなる群より選択される、縮環ヘテロ5員環分子。

5. 发明专利

JPWO2019159727A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019159727A1
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：JP2019003774
申请日：2019-02-04
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：小畑幸嗣 , 新井秀幸 , 中順一
IPC分类号： H01L29/786 , G06K19/077
摘要：半導体装置の物品からの剥離に対する安全性を向上させ、半導体装置の物品への貼着作業を省略できるようにする。半導体チップ(2)、薄膜トランジスタ(3)、アンテナ(4)および配線(5)からなる群から選択される1つ以上を備えた半導体装置(10)であって、前記1つ以上の構成要素は物品Sの表面に直接的に固着している、半導体装置(10)。半導体チップ(2)、薄膜トランジスタ(3)、アンテナ(4)および配線(5)からなる群から選択される1つ以上を備えた半導体装置(10)の製造方法であって、以下のステップP1およびQ1のうちの少なくとも一方のステップを含む、半導体装置の製造方法:前記半導体チップを物品の表面に直接的に実装するステップP1;前記薄膜トランジスタ、前記アンテナ、および前記配線からなる群から選択される1つ以上の構成要素を印刷法により物品の表面に直接的に形成するステップQ1。

6. 发明专利

JP2019153002A センサモジュール、センサシステム、機器制御システム及び機器制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019153002A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2018036893
申请日：2018-03-01
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：小畑幸嗣 , 笹子勝 , 新井秀幸 , 加藤哲也 , 中順一 , 尾関俊明
IPC分类号： H04Q9/00 , H02N2/18 , G06F1/26 , G08B13/10 , G08C19/00
摘要：【課題】圧力変化に感応して発電する発電デバイスを利用しながら、種々の事象の把握に利用できるセンサモジュールを提供する。【解決手段】センサモジュール1は、圧力変化に感応して発電する発電デバイス11と、発電デバイス11とは異なるセンサ12とを備える。センサ12は発電デバイス11が発電した電力で動作する。圧力変化に感応して発電する発電デバイス11に生じる圧力変化によって、発電デバイス11を発電させ、発電デバイス11が発電した電力でセンサ12を動作させ、センサ12による検出結果に基づいて、機器を動作させる。【選択図】図1

8. 发明专利

JPWO2019097983A1 振動発電装置、及びセンサシステム审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019097983A1
公开(公告)日：2020-10-01
申请号：JP2018039805
申请日：2018-10-26
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：新井秀幸 , 中順一 , 尾関俊明 , 小畑幸嗣
IPC分类号： H02N2/18
摘要：本開示は、被検物の一部の変位量に比して大きな電力を発生できる振動発電装置を提供する。本発明の振動発電装置(1)は、圧電部(2)と、変位増大部(3)とを備える。変位増大部(3)は、被検物(4)の一部が変位した場合に被検物(4)の一部の変位量よりも大きい変位量で圧電部(2)の一部を変位させる。圧電部(2)は、圧電部(2)の一部が変位されると圧電部(2)の一部の変位量に応じて電力を生成する。

9. 发明专利

JPWO2019078053A1 圧電デバイス及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019078053A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：JP2018037636
申请日：2018-10-10
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：中順一 , 新井秀幸 , 尾関俊明 , 小畑幸嗣
IPC分类号： H01L41/193 , H01L41/293 , H01L41/297 , H01L41/45 , H02N2/18 , H01L41/083
摘要：同じ圧電特性を有する複数の圧電層が積層され、かつ隣り合う圧電層の対向し合う面の間が電気的に絶縁されていなくても、引張力が加えられた場合に引張力に応じた電圧を生じさせることができる圧電デバイス及びその製造方法を提供する。圧電デバイス(1)は、第一の群に含まれる圧電層(10)と第二の群に含まれる圧電層(20)とが交互に並んで複数積層し、隣り合う圧電層(10)と圧電層(20)との間に導電層(30)が介在する。第一の群に含まれる圧電層(10)と第二の群に含まれる圧電層(20)とは、同一の圧電特性を有する延伸樹脂フィルムである。第一の群に含まれる圧電層(10)の延伸方向はいずれも同一方向であり、第二の群に含まれる圧電層(20)の延伸方向はいずれも同一方向である。第一の群に含まれる圧電層(10)の延伸方向と第二の群に含まれる圧電層(20)の延伸方向とは交差する。

10. 发明专利

JP2016022550A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016022550A
公开(公告)日：2016-02-08
申请号：JP2014147547
申请日：2014-07-18
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：樋口裕一 , 新井秀幸
IPC分类号： B81C1/00 , H01L23/02 , G01J1/02 , H03H9/24 , H03H3/007 , G01C19/5656 , G01C19/5663 , B81B7/02
摘要：【課題】製造プロセスが容易で、かつ、真空度の高い中空封止構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板1の一主面上に形成された保護膜2と、保護膜2と基板1との間に形成された空間部5と、空間部5内に配置され、基板1および保護膜2から離間する部分を有するセンサ部と、保護膜2の上面から空間部5に到達する貫通孔6と、保護膜2上に形成され、貫通孔6上を封止する封止膜3と、を備える。空間部5は減圧状態にあり、封止膜3の貫通孔6上での膜厚は、封止膜3の保護膜2上での膜厚よりも小さい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有易于制造工艺的半导体器件和具有高真空度的中空密封结构，以及该器件的制造方法。一种半导体器件，包括：形成在一个主体上的保护膜2 基板1的表面; 形成在保护膜2和基板1之间的空间部分5; 传感器部分布置在空间部分5中并且具有与基板1和保护膜2间隔开的部分; 从保护膜2的上表面延伸到基板1和保护膜2的空间部5的通孔6; 以及形成在保护膜2上方用于密封通孔6的密封膜3。空间部分5处于抽真空压力状态，并且密封膜3在通孔6上的膜厚度小于膜厚度的保护膜上的密封膜3。选择的图示：图1

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