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1. 发明专利

JP6785433B2 撮像装置有权
公开(公告)号：JP6785433B2
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：JP2018030106
申请日：2018-02-22
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：村上雅史 , 西村佳壽子 , 阿部豊 , 松長誠之 , 佐藤好弘 , 平瀬順司
IPC分类号： H04N5/369 , H01L27/146 , H04N5/363

2. 发明专利

JP2019212901A 撮像装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019212901A
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：JP2019084538
申请日：2019-04-25
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：平瀬順司 , 高見義則 , 佐藤好弘
IPC分类号： H01L27/146
摘要：【課題】ノイズの原因となるリーク電流を低減する。【解決手段】本開示の撮像装置は、光を光電変換して信号電荷を生成する光電変換部と、第1導電型の不純物を含む第1半導体層を含む半導体基板と、第1半導体層内の第2導電型の不純物領域であって信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、第1半導体層内の第2導電型の第1不純物領域をソースおよびドレインの一方として含む第1トランジスタと、電荷蓄積領域と第1トランジスタとの間に位置する遮断構造とを備え、遮断構造は、第1半導体層内の第1導電型の第2不純物領域と、第1半導体層内の第2導電型の第3不純物領域と、第1半導体層内の第1導電型の第4不純物領域とを含み、第1半導体層の表面において、第1不純物領域から電荷蓄積領域に向かう第1方向に沿って、第2不純物領域、第3不純物領域、および第4不純物領域がこの順に配置されている。【選択図】図3A

3. 发明专利

JP2019029656A 撮像装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019029656A
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：JP2018131089
申请日：2018-07-10
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：小日向恭祐 , 宍戸三四郎 , 佐藤好弘
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/369 , H04N5/355 , H01L27/146
摘要：【課題】電荷蓄積領域への光が漏れ込むことを低減し、画質の劣化を抑制することができる撮像装置を提供する。【解決手段】半導体基板と、第1画素セルおよび第2画素セルと、を備え、第1画素セルは、半導体基板の上方に位置し、第1電極と、第1電極に対向する第2電極と、入射光を第1電荷に変換する第1光電変換層と、を含む第1光電変換部と、第2電極に電気的に接続された、半導体基板内の第1電荷蓄積領域と、を含み、第2画素セルは、半導体基板の上方に位置し、第3電極と、第3電極に対向する第4電極と、入射光を第2電荷に変換する第2光電変換層と、を含む第2光電変換部と、第4電極に電気的に接続された、半導体基板内の第2電荷蓄積領域と、を含み、第2電極の面積は第4電極の面積よりも大きく、平面視において、第1電荷蓄積領域および第2電荷蓄積領域は、第2電極と重なる、撮像装置。【選択図】図2

4. 发明专利

JP6406585B2 撮像装置有权
公开(公告)号：JP6406585B2
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：JP2015156129
申请日：2015-08-06
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：佐藤好弘 , 平瀬順司 , 高見義則 , 佐伯幸作
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H04N5/369 , H04N5/374 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/146

5. 发明专利

JP2015207594A 固体撮像装置审中-公开
标题翻译：固态图像拾取器件
公开(公告)号：JP2015207594A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2014085700
申请日：2014-04-17
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：高瀬雅之 , 佐藤好弘 , 玉置徳彦 , 村上雅史 , 桝山雅之
IPC分类号： H01L27/14 , H04N5/369 , H04N5/374 , H01L27/146
摘要：【課題】良好な信号感度を得ることができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】固体撮像装置の受光面には、光電変換膜と、上部電極膜とが受光面に積層されている。受光面のうち光電変換膜で覆われている領域には、複数の回路セルが行状又は行列状に並べられており、各回路セルは、複数の下部電極21a、21bと、各下部電極に対応するスイッチング素子11a、11bと、読出回路とを含む。各回路セルに存在するそれぞれの下部電極には、光電変換膜による光電変換で得られた信号電荷が到達する。各回路セルに含まれるスイッチング素子のうち、どれを導通状態にするかという状態設定を変化させることで、下部電極における何れか1つのものに到達した電荷、或は、全てに到達した電荷が選択的に読み出される。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供可以实现优异的信号灵敏度的固态图像拾取装置。解决方案：将光电转换膜和上电极膜层压在固态图像拾取装置的光接收面上。多个电路单元以由光电转换膜覆盖的光接收面的区域中的线或矩阵的形式排列。每个电路单元具有多个下电极21a，21b，与各个下电极对应的开关元件11a，11b和读出电路。通过光电转换膜的光电转换获得的信号电荷到达存在于每个电路单元中的每个下电极。通过改变将每个电路单元中包含的哪个开关元件设置为导通状态的状态设置来选择性地读出到达到达到所有下部电极的任何一个下部电极或电荷的电荷。

6. 发明专利

JP2019029399A 撮像装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019029399A
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：JP2017144536
申请日：2017-07-26
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：柳田真明 , 佐藤好弘 , 荘保信 , 平瀬順司 , 宍戸三四郎
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/357 , H01L27/146
摘要：【課題】従来よりも、ストリーキングが発生してしまう可能性を低減し得る撮像装置を提供する。【解決手段】半導体基板と、m行n列(m、nは正の整数)状に画素14が配置された画素アレイ72と、を備える撮像装置71であって、画素14のそれぞれは、半導体基板の上方に位置し、光を電荷に変換する光電変換部10を備え、半導体基板は、第1導電型の不純物を含む第1領域31Bと、第1領域31Bの上方に配置され、第1領域31Bよりも低い濃度で第1導電型の不純物を含む第2領域31Aと、第2領域31A中に位置し、第1導電型とは異なる第2導電型の不純物を含み、電荷を蓄積する電荷蓄積領域44と、を備え、画素アレイ72は、k行(kは1以上m以下の整数)の一端に位置する第1画素と、k行の他端に位置する第2画素と、を備え、第1画素の電荷蓄積領域44と、第2画素の電荷蓄積領域44との間の合成抵抗値が、1kΩ以下である。【選択図】図10A

7. 发明专利

JP2018014762A 固体撮像装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP2018014762A
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017197375
申请日：2017-10-11
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：高瀬雅之 , 佐藤好弘 , 平瀬順司 , 玉置徳彦
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号： H04N5/369 , G02B13/0015 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14665 , H04N5/23212 , H04N5/3696
摘要：【課題】画質の劣化を抑制しつつ、高精度の焦点検出用画素を搭載した固体撮像装置を提供する。【解決手段】固体撮像装置は、撮影用の複数の第1画素と、焦点検出用の複数の第2画素と、を含み、第1画素は、第1電極と、第1電極の上に位置する第1光電変換膜と、第1光電変換膜の上に位置する第2電極と、を備え、第2画素は、第3電極と、第3電極の上に位置する第2光電変換膜と、第2光電変換膜の上に位置する第4電極と、を備え、第3電極は、第1電極よりも面積が小さく、複数の第2画素のうち少なくとも2つにおいて、前記第3電極が、前記第2画素の中心から互いに異なる方向に偏心して配置されている。【選択図】図3A

8. 发明专利

JP2017168823A 撮像装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017168823A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2017024834
申请日：2017-02-14
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：平瀬順司 , 佐藤好弘 , 高見義則 , 高瀬雅之 , 村上雅史
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/822 , H01L27/04 , H04N5/374 , H04N5/361 , H01L27/146
CPC分类号： H04N5/361 , H01L27/14612 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H04N5/359 , H04N5/363 , H04N5/3698 , H04N5/3745
摘要：【課題】暗電流の抑制された撮像装置を提供する。【解決手段】本開示の撮像装置は、半導体層と、画素セルと、を備える。画素セルは、半導体層内に位置する第1導電型の不純物領域と、半導体層の上方に位置し、不純物領域に電気的に接続される光電変換部と、第1ソース、第1ドレインおよび第1ゲート電極を有し、第1ソースおよび第1ドレインの一方が不純物領域に電気的に接続される第1トランジスタと、第1ソース、第2ドレインおよび第2導電型の第2ゲート電極を有し、不純物領域を第2ソースおよび第2ドレインの一方として含み、第2ゲート電極が不純物領域に電気的に接続される第2トランジスタと、第3ソース、第3ドレインおよび第3ゲート電極を有し、第3ゲート電極が光電変換部に電気的に接続される第3トランジスタと、を備える。【選択図】図2

9. 发明专利

JP2016127058A 撮像装置有权
标题翻译：图像拾取器件
公开(公告)号：JP2016127058A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2014264698
申请日：2014-12-26
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：佐藤好弘 , 平瀬順司
IPC分类号： H01L27/14 , H04N5/355 , H04N5/374 , H04N5/369 , H01L27/146
摘要：【課題】暗電流による影響を抑制して高画質で撮像を行うことが可能な積層型の固体撮像装置を提供する。【解決手段】撮像装置1は、入射光を光電変換する光電変換部101と、光電変換部の信号を増幅する増幅トランジスタ120と、光電変換部の電圧を初期化するリセットトランジスタ130と、を含む単位画素セル100を備える。増幅トランジスタは半導体基板に設けられた第1のウェル領域201Aに形成され、リセットトランジスタは半導体基板に設けられた第2のウェル領域201Bに形成され、第1のウェル領域と第2のウェル領域とは電気的に分離されている。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过减小暗电流的影响来拾取高质量图像的多层固态图像拾取装置。解决方案：成像装置1具有单位像素单元100，其包括：光电转换部101，将一束入射光转换成电; 放大晶体管120，其放大来自光电转换部的信号; 以及复位晶体管130，其复位来自光电转换部的电压。放大晶体管形成在形成在半导体衬底中的第一阱区201A中。复位晶体管形成在形成在半导体衬底中的第二阱区201B中。第一个井区和第二个井区彼此电分离。选择图：图5

10. 发明专利

JP2016063216A 撮像装置有权
标题翻译：成像装置
公开(公告)号：JP2016063216A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2015156129
申请日：2015-08-06
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：佐藤好弘 , 平瀬順司 , 高見義則 , 佐伯幸作
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H04N5/369 , H04N5/374 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/146
摘要：【課題】暗電流による影響を抑制して高画質で撮像を行うことが可能な積層型の撮像装置を提供する。【解決手段】単位画素セル14は、第1導電型の第1導電型領域31a、第2導電型の第1の不純物領域44、および第2導電型の第2の不純物領域36を含む半導体基板31と、光電変換部10と、第1のトランジスタ12と、を備え、第1の不純物領域は、一部が半導体基板の表面に位置し、光電変換部と電気的に接続され、第2の不純物領域は、第1の不純物領域を介して光電変換部と電気的に接続され、第1の不純物領域の不純物濃度よりも小さい不純物濃度を有し、半導体基板の表面に垂直な方向から見たとき、第2の不純物領域の第1の部分は、第1のトランジスタ12の第1のゲート電極の第2の部分と重なっている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制暗电流的影响并以高图像质量进行成像的层叠型成像装置。解决方案：单位像素单元14具有半导体板31，其包含第一导电类型区域31a 导电型，第二导电类型的第一杂质区域44和第二导电类型的第二杂质区域36，光电转换器10和第一晶体管12.第一杂质区域部分地位于半导体板的表面上并电连接到光电转换器。第二杂质区域通过第一杂质区域电连接到光电转换器，并且具有比第一杂质区域的杂质浓度低的杂质浓度。当观察到与半导体板的表面垂直的方向时，第二杂质区的第一部分与第一晶体管12的第一栅电极的第二部分重叠。图2

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