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1. 发明专利

JPWO2012160755A1 高周波増幅回路有权
公开(公告)号：JPWO2012160755A1
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：JP2012548281
申请日：2012-04-25
申请人：パナソニック株式会社
发明人：智英神山 , 智英神山 , 浩内藤 , 浩内藤 , 高史夘野 , 高史夘野 , 基良岩田 , 基良岩田 , 八幡　和宏 , 和宏八幡 , 光池田 , 光池田
IPC分类号： H03F3/68 , H03F1/02 , H03F3/21 , H03F3/60
CPC分类号： H03F3/193 , H01L23/4824 , H01L23/66 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/429 , H03F2203/21142 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：入力端子と、出力端子と、接地端子とを有し、高周波信号を増幅する複数の低出力トランジスタ(101)と、低出力トランジスタ(101)ごとに配置され低出力トランジスタ(101)の出力端子に接続され増幅された高周波信号に含まれる2次の高調波を処理する高調波処理回路(103)と、低出力トランジスタ(101)の出力端子に接続された抵抗(102)とを備え、複数の低出力トランジスタ(101)の各々の入力端子は、インダクタ(104A)を介して当該高周波増幅回路の入力端子に接続され、複数の低出力トランジスタ(101)の各々の出力端子は、抵抗(102)を介して互いに接続され、さらに、インダクタ(105A)を介して当該高周波増幅回路の出力端子に接続されている。

2. 发明专利

JPWO2007026637A1 圧電共振器及び圧電共振器の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2007026637A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：JP2007533222
申请日：2006-08-28
申请人：パナソニック株式会社
发明人：大西　慶治 , 慶治大西 , 中塚　宏 , 宏中塚 , 山川　岳彦 , 岳彦山川 , 岩崎　智弘 , 智弘岩崎 , 智英神山 , 智英神山
IPC分类号： H03H9/17 , H03H3/02 , H03H9/54 , H03H9/70
CPC分类号： H03H9/132 , H03H3/02 , H03H9/0514 , H03H9/13 , H03H9/172 , H03H9/175 , H03H2003/025 , Y10T29/42
摘要：圧電共振器は、圧電薄膜からなる圧電体層(101)と、圧電体層(101)の一方主面上に形成され、かつその断面が圧電体層(101)に接する側を長辺とする台形形状を有する第1の電極(102)と、圧電体層(101)の他方主面上に形成され、かつその断面が圧電体層(101)に接する側を長辺とする台形形状を有する第2の電極(103)とを備える。

3. 发明专利

JP5260801B2 High-frequency amplifier circuit 有权
公开(公告)号：JP5260801B2
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：JP2012548281
申请日：2012-04-25
申请人：パナソニック株式会社
发明人：智英神山 , 浩内藤 , 高史夘野 , 基良岩田 , 和宏八幡 , 光池田
IPC分类号： H03F3/68 , H03F1/02 , H03F3/217 , H03F3/60
CPC分类号： H03F3/193 , H01L23/4824 , H01L23/66 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/429 , H03F2203/21142 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： A radio frequency amplifier circuit includes: low-output transistors, each of which includes an input terminal, an output terminal, and a ground terminal, and amplifies a radio frequency signal; a harmonic processing circuit provided for each of the low-output transistors to be connected to the output terminal of the low-output transistor, and processing a secondary harmonic included in an amplified radio frequency signal, and a resistor connected to the output terminal of each of the low-output transistors. The input terminal of each of the low-output transistors is connected to an input terminal of the radio frequency amplifier circuit via an inductor, and the output terminal of each of the low-output transistors is connected to the other output terminal via the resistance and is further connected to an output terminal of the radio frequency amplifier circuit via an inductor.

4. 发明专利

JP4948683B2 High-frequency amplifier circuit 有权
公开(公告)号：JP4948683B2
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：JP2011546477
申请日：2011-06-09
申请人：パナソニック株式会社
发明人：和宏八幡 , 浩内藤 , 高史夘野 , 俊雄石崎 , 智英神山
IPC分类号： H03F3/60 , H03F3/21
CPC分类号： H03F3/211 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/601 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/423 , H03F2200/451

5. 发明专利

JP4846509B2 Method of manufacturing a piezoelectric resonator and a piezoelectric resonator 有权
公开(公告)号：JP4846509B2
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：JP2006277941
申请日：2006-10-11
申请人：パナソニック株式会社
发明人：宏中塚 , 慶治大西 , 岳彦山川 , 智弘岩崎 , 智英神山
IPC分类号： H03H9/17 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/22 , H01L41/29 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H9/54 , H03H9/70
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectricity resonator which includes a favorable frequency characteristic, suppressing a vibration leak of a vibrating portion from a supporting section. SOLUTION: An upper electrode 103 is formed on one side principal plane of a piezoelectric material layer 101 and a lower electrode 102 is formed on the other side principal plane. A vibrating component 104 is a region in which a lower electrode 102, a piezoelectric material layer 101, and the upper electrode 103 are overlapped in the vertical projection direction. Moreover, a wiring electrode 108 for connecting the lower electrode 102 and the upper electrode 103 to an input/output electrode 107 is prepared on one side principal plane and the other side principal plane of the piezoelectric material layer 101, respectively. The vibration component 104 is laid (connected) on a substrate 105 through a supporting section 109. The supporting section 109 is formed on a position of the piezoelectric material layer 101 excluding a region which forms the vibration component 104, and a region in which the input/output electrode 107 and the wiring electrode 108 are formed. Namely, the supporting section 109 is prepared on a position in which any of the electrode is not overlapped with each other in the vertical projection direction. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

6. 发明专利

JPWO2013001711A1 高周波電力増幅器有权
标题翻译：高频功率放大器
公开(公告)号：JPWO2013001711A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013505227
申请日：2012-05-22
申请人：パナソニック株式会社
发明人：高史夘野 , 高史夘野 , 光池田 , 光池田 , 八幡　和宏 , 和宏八幡 , 基良岩田 , 基良岩田 , 浩内藤 , 浩内藤 , 智英神山 , 智英神山
IPC分类号： H03F1/02 , H03F3/193 , H03F3/24 , H03F3/60
CPC分类号： H03F3/193 , H03F1/0205 , H03F1/565 , H03F3/601 , H03F2200/387 , H03F2200/423
摘要：高出力で且つ高い電力付加効率(PAE)を実現できる高周波電力増幅器を提供する。入力信号を増幅して出力端子Aから出力する増幅素子(102)と、出力端子Aに接続された第1の直列共振回路(インダクタ(103)およびキャパシタ(104))および第2の直列共振回路(インダクタ(105)およびキャパシタ(106))を有する出力負荷回路(109)とを備え、第1の共振回路の共振周波数は入力信号の2次高調波の周波数よりも高く、第2の共振回路の共振周波数は入力信号の3次高調波の周波数よりも低く、出力負荷回路(109)は、増幅素子(102)の出力インピーダンスを基準にして出力端子(A)から出力負荷回路(109)側をみたときに入力信号の2次高調波に対する反射係数の位相が180?より大きく360?未満となり、かつ、入力信号の3次高調波に対する反射係数の位相が0?より大きく180?未満となるインピーダンスを有する。
摘要翻译：为了提供能够实现高频功率放大器和在高输出（PAE）的高功率增加效率。用于放大，并从输出端子A（102），连接到输出端子A的第一串联谐振电路输出的输入信号（电感器（103）和电容器（104））和第二串联谐振电路的放大元件和具有（电感器（105）和电容器（106））的输出负载电路（109），所述第一谐振电路的谐振频率比输入信号的二次谐波的频率高时，第二谐振电路中，输出负载电路（109），从所述放大元件的输出阻抗的输出负载电路基于输出端子（A）（109）侧上比输入信号的三次谐波的频率低（102）的共振频率用于输入信号变为180的二次谐波的反射系数的相位φ越大360？观察时小于，以及用于输入信号0的三次谐波的反射系数的相位？变大180？小于它的阻抗。

7. 发明专利

JPWO2011161890A1 高周波増幅回路有权
公开(公告)号：JPWO2011161890A1
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：JP2011546477
申请日：2011-06-09
申请人：パナソニック株式会社
发明人：智英神山 , 智英神山 , 浩内藤 , 浩内藤 , 高史夘野 , 高史夘野 , 八幡　和宏 , 和宏八幡 , 石崎　俊雄 , 俊雄石崎
IPC分类号： H03F3/19 , H03F1/02 , H03F3/21 , H03F3/60
CPC分类号： H03F3/211 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/601 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/423 , H03F2200/451
摘要：本発明の高周波増幅回路は、高出力かつ高効率の高周波増幅回路を提供することを目的とするものであって、トランジスタ(101)の出力端子に接続された、第一の高調波処理回路(102)と、第二の高調波処理回路(103)と、第一の高調波処理回路(102)と第二の高調波処理回路(103)の後段に接続された、基本波整合回路(104)と、を備え、第一の高調波処理回路(102)と第二の高調波処理回路(103)とを、それぞれ複数個備えていることを特徴とする。

8. 发明专利

JP5230810B2 Resonator and manufacturing method thereof 有权
公开(公告)号：JP5230810B2
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：JP2011520792
申请日：2010-06-30
申请人：パナソニック株式会社
发明人：智英神山 , 智弘岩崎 , 岳彦山川 , 邦彦中村 , 慶治大西
IPC分类号： H03H9/24 , B81B3/00 , B81C1/00 , H03H3/007
CPC分类号： H03H3/0072 , B81B2201/016 , B81B2201/0271 , B81B2203/019 , B81C1/00142 , B81C1/0015 , H03H9/02338 , H03H9/2463 , H03H2009/02291 , H03H2009/02511

9. 发明专利

JPWO2011001680A1 共振器およびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2011001680A1
公开(公告)日：2012-12-10
申请号：JP2011520792
申请日：2010-06-30
申请人：パナソニック株式会社
发明人：智英神山 , 智英神山 , 岩崎　智弘 , 智弘岩崎 , 山川　岳彦 , 岳彦山川 , 中村　邦彦 , 邦彦中村 , 大西　慶治 , 慶治大西
IPC分类号： H03H9/24 , B81B3/00 , B81C1/00 , H03H3/007
CPC分类号： H03H3/0072 , B81B2201/016 , B81B2201/0271 , B81B2203/019 , B81C1/00142 , B81C1/0015 , H03H9/02338 , H03H9/2463 , H03H2009/02291 , H03H2009/02511
摘要： MEMS技術を用いた共振器において、電極形状の精度を向上させ、入出力間がショートしてしまうことを回避でき、共振器の信頼性を高めること。基板101と、基板101上に選択敵に形成された犠牲層である絶縁層102と、基板101上に空間を介して形成された梁103と、絶縁層102上に梁103と同じ材料で形成された第1の支持部104Aと、梁103と空間を介して形成された信号を入出力するための電極106と、を備えた共振器であって、梁103の長手方向に垂直な断面において、梁103の断面積と第1の支持部104Aの断面積とがほぼ等しくなるようにする。

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