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    • 2. 发明专利
    • Mask positioning method and mask positioning device
    • 掩模定位方法和掩模定位装置
    • JP2014049612A
    • 2014-03-17
    • JP2012191387
    • 2012-08-31
    • Toyota Motor Corpトヨタ自動車株式会社
    • NOHARA JIROIMAI ATSUSHIFUJIWARA DAISUKE
    • H01L21/68
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To highly accurately position a plurality of masks while overlapping them on a wafer.SOLUTION: According to a mask positioning method, first and second masks are overlapped and positioned on a wafer. The mask positioning method includes the steps of: positioning the first mask, on the wafer, at a position of a first predetermined distance between magnetic force generating means which generates a magnetic force, and the wafer; moving the magnetic force generating means from the position of the first predetermined distance to a position of a second predetermined distance closer to the wafer and attracting the first mask on the wafer with the magnetic force of the magnetic force generating means; positioning the second mask on the first mask positioned on the wafer at the position of the second predetermined distance; and moving the magnetic force generating means from the second predetermined distance to a position of a third predetermined distance closer to the wafer and attracting the first and second masks on the wafer with the magnetic force of the magnetic force generating means.
    • 要解决的问题:在将晶片重叠时将多个掩模高精度地定位。解决方案:根据掩模定位方法,第一和第二掩模重叠并定位在晶片上。 掩模定位方法包括以下步骤:将第一掩模定位在晶片上,在产生磁力的磁力产生装置之间的第一预定距离的位置和晶片之间; 将所述磁力产生装置从所述第一预定距离的位置移动到靠近所述晶片的第二预定距离的位置,并且利用所述磁力产生装置的磁力吸引所述晶片上的所述第一掩模; 将所述第二掩模定位在所述第二预定距离的位置处的位于所述晶片上的所述第一掩模上; 以及将所述磁力产生装置从所述第二预定距离移动到靠近所述晶片的第三预定距离的位置,并且利用所述磁力产生装置的磁力吸引所述晶片上的所述第一和第二掩模。
    • 4. 发明专利
    • Semiconductor positioning device, and semiconductor positioning method
    • 半导体定位装置和半导体定位方法
    • JP2014053343A
    • 2014-03-20
    • JP2012194740
    • 2012-09-05
    • Toyota Motor Corpトヨタ自動車株式会社
    • AMANO TAKAHARUIMAI ATSUSHINOHARA JIRO
    • H01L21/677H01L21/683
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To position a wafer and a mask with high accuracy.SOLUTION: A semiconductor positioning device 1 positions a wafer 10 on an alignment stage 2, and positions a mask 11 on the positioned wafer 10. The semiconductor positioning device 1 comprises: a multi-articulated robot arm 3 holding each of the wafer 10 and the mask 11, and transporting each of the held wafer 10 and mask 11 to the alignment stage 2; photographing means photographing the wafer 10 and the mask 11 on the alignment stage 2; and control means of controlling the robot arm 3 on the basis of the photographed images of the wafer 10 and the mask 11 photographed by the photographing means to position each of the wafer 10 and the mask 11 on the alignment stage 2. The robot arm 3 has a function of adjusting parallel degree of each of the wafer 10 and the mask 11 with respect to the alignment stage 2.
    • 要解决的问题:以高精度定位晶片和掩模。解决方案:半导体定位装置1将晶片10定位在对准台2上,并将掩模11定位在定位晶片10上。半导体定位装置1包括 :保持晶片10和掩模11各自的多关节型机器人臂3,将保持的晶片10和掩模11中的每一个传送到对准台2; 拍摄装置拍摄对准台2上的晶片10和掩模11; 以及根据拍摄装置拍摄的晶片10和掩模11的拍摄图像来控制机器人手臂3的控制装置,以将每个晶片10和掩模11定位在对准台2上。机器人手臂3 具有调整晶片10和掩模11相对于取向台2的平行度的功能。
    • 5. 发明专利
    • アライメント方法及びパターニング用マスク
    • 对准方法和绘图面
    • JP2015046427A
    • 2015-03-12
    • JP2013175496
    • 2013-08-27
    • トヨタ自動車株式会社Toyota Motor Corp
    • NOHARA JIROIMAI ATSUSHI
    • H01L21/68C23C14/04G03F9/00H01L21/027
    • 【課題】マスク成膜において高精度なパターニング成膜を行う。【解決手段】孔内面を有するマスクアライメントマーク60を備えるマスク50を用いて行うアライメント方法において、孔内面の備えるテーパ面65がウエハ30に対して反対側を向くように、ウエハ表面31にマスク50を重ね合わせる重層工程と、ウエハ30及びマスク50を重ね合わせた状態で、マスクアライメントマーク60、及びマスクアライメントマーク60の孔内を通じて観察されるウエハ表面31を撮像する撮像工程と、撮像工程で得られた像に基づいて、ウエハ表面31のウエハアライメントマーク40及びマスクアライメントマーク60の位置合わせ状態を確認する確認工程と、確認工程の結果、ウエハアライメントマーク40に対するマスクアライメントマーク60の位置が合っていない場合に、ウエハ30及びマスク50の位置合わせを行う調整工程と、を備える。【選択図】図5
    • 要解决的问题:通过掩模膜沉积中的图案化来执行高精度的膜沉积。解决方案:使用设置有具有孔内表面的掩模对准标记60的掩模50的对准方法包括:层叠步骤,将掩模50层压在 晶片表面31,使得设置在孔内表面上的锥形表面65面向与晶片30相反的一侧; 将通过掩模对准标记60的孔观察到的掩模对准标记60和晶片表面31的图像进行拍摄的成像步骤; 检查步骤,基于由成像步骤拍摄的图像,检查晶片对准标记40在晶片表面31上的取向状态和掩模对准标记60; 以及作为检查步骤的结果,如果掩模对准标记60的位置已被发现与晶片对准标记40不对齐,则调整步骤将晶片30与掩模50对准。
    • 6. 发明专利
    • Method of measuring self-bias of processing object, and method and device for separating processing object using the same
    • 用于测量加工对象的自偏差的方法以及使用其分离加工对象的方法和装置
    • JP2011071211A
    • 2011-04-07
    • JP2009219307
    • 2009-09-24
    • Toyota Motor Corpトヨタ自動車株式会社
    • NOHARA JIRO
    • H01L21/683C23C14/34H01L21/3065
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of measuring self-bias of a processing object, and to provide a method and device safely and reliably separating a processing object in a stable state by reflecting the same in a separation condition. SOLUTION: A self-bias measuring component 7 of a conductor is installed in the vicinity of an outer peripheral edge of a processing object 10 fixed on a static chuck 2 in a plasma processing chamber. A step of measuring the voltage of the self-bias measuring component 7 during plasma processing to the processing object 10, and feedback control for applying a voltage reverse to the voltage applied to the static chuck 2 and a voltage offset by the measured self-bias value to set an indirectly obtained self-bias voltage of the processing object 10 at 0 V by assuming the measurement voltage to be a value equal to the self-bias of the processing object 10 are executed. In the measurement of the voltage, a voltmeter 9 connected between a cooling stage 6 and the earth is used, and the self-bias of the processing object 10 in response to a status change of plasma processing is fed back to the separation condition of the processing object 10. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:提供一种测量加工对象的自偏压的方法,并且通过在处于分离状态的情况下将处理对象反映在稳定状态来提供安全可靠地分离处理对象的方法和装置。 解决方案:导体的自偏置测量部件7安装在固定在等离子体处理室中的静态卡盘2上的处理对象10的外周边缘附近。 在处理对象10的等离子体处理期间测量自偏压测量部件7的电压的步骤,以及用于施加与施加到静态卡盘2的电压相反的电压的反馈控制和通过测量的自偏压的电压偏移 通过将测量电压设置为等于处理对象10的自偏压的值,来执行将处理对象10的间接获得的自偏压设置为0V的值。 在电压的测量中,使用连接在冷却台6和地之间的电压计9,并且响应于等离子体处理的状态改变而将处理对象10的自偏压反馈到 加工对象10.版权所有(C)2011,JPO&INPIT
    • 7. 发明专利
    • 係止部材、及び基板成膜処理用マスクホルダ
    • 用于衬底膜沉积工艺的锁定构件和掩模座
    • JP2015021142A
    • 2015-02-02
    • JP2013147753
    • 2013-07-16
    • 株式会社システム技研System Giken:Kkトヨタ自動車株式会社Toyota Motor Corp
    • OSAKA TAKUYANAGAMINE KIYOTAKAYOSHIHARA DAISUKEIMAI ATSUSHINOHARA JIRO
    • C23C14/50C23C14/04H01L21/673
    • 【課題】中実構造の磁石を高密度に、しかも容易に取り付け取り外しできる基板成膜処理用マスクホルダを提供する。【解決手段】マスクを配置した基板の他面を一面で支持する第1プレート110と、外面に係止部材150を取り付けた磁石140を夫々収容する複数の穴部130を備えた第2プレート120と、を備え、穴部の内周面には、係止部材を差し込んだ時に、爪部が拡開して係止される固定溝部134と、固定溝部の周方向端部に連続形成された取外し部135が設けられ、固定溝部内に係止された突出爪は、係止部材及び磁石を所定角度回転させて取外し部に達することにより固定溝部から離脱する。【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种用于基底膜沉积工艺的掩模保持器,使得具有固体结构的磁体容易地附着到高密度并容易剥离。解决方案:用于基底膜沉积工艺的掩模保持器包括第一板110,其支撑 具有布置在一个表面上的掩模的基板的另一表面和具有多个孔部130的第二板120,其中容纳有在外表面上的锁定构件150的磁体140。 孔部的内周面设置有固定槽部134,其中锁定构件在插入时由于爪部的扩展而被锁定,并且在固定的部分的周向端部处连续形成的分离部135 槽部分。 通过使锁定构件和磁体旋转预定角度直到分离部分,将固定槽部分中的突出爪从固定槽部分移除。
    • 8. 发明专利
    • ウェハ位置固定方法
    • 波形位置固定方法
    • JP2015015354A
    • 2015-01-22
    • JP2013140788
    • 2013-07-04
    • トヨタ自動車株式会社Toyota Motor Corp
    • FUJIWARA DAISUKENOHARA JIROIMAI ATSUSHI
    • H01L21/683C23C14/34
    • 【課題】ウェハホルダに特別な加工を施すことなく、ウェハをウェハホルダに適切に固定すること。【解決手段】ウェハ位置固定方法は、ウェハ2上に磁性膜21を成膜するステップと、磁性膜21が成膜されたウェハ2を搬送アーム4で吸着して搬送し、ウェハ2をウェハホルダ3上に配置するステップと、ウェハホルダ3に対して、磁力を発生する磁力ユニット5を接近させ、ウェハ2をウェハホルダ3に固定するステップと、搬送アーム4の吸着を停止し、ウェハ2から離脱するステップと、磁力ユニット5をウェハホルダ3から離脱するステップと、を含む。【選択図】図1
    • 要解决的问题:将晶片适当地固定在晶片保持器上,而不需要对晶片保持器进行额外的处理。解决方案:晶片位置固定方法包括:用于在晶片2上沉积磁性膜21的步骤; 用沉积有转印臂4的磁性膜21吸引和转印晶片2并将晶片2放置在晶片保持器3上的步骤; 制造产生磁力的磁性单元5接近晶片保持器3并将晶片2固定在晶片保持器3上的步骤; 停止传送臂4的吸引并离开晶片2的步骤; 以及从晶片保持器3离开磁性单元5的步骤。
    • 9. 发明专利
    • Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method
    • 半导体制造设备和半导体器件制造方法
    • JP2014045137A
    • 2014-03-13
    • JP2012187851
    • 2012-08-28
    • Toyota Motor Corpトヨタ自動車株式会社
    • USHIJIMA TAKASHIIMAI ATSUSHIFUJIWARA DAISUKENOHARA JIRO
    • H01L21/285C23C14/04
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor manufacturing apparatus and the like, which can improve a fixing power for fixing a metal mask on a semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor manufacturing apparatus of the present embodiment has a support substrate including a loading surface for loading a semiconductor device. The support substrate includes a plurality of magnets for fixing a mask structure having lattice-shaped line patterns on the semiconductor device which is loaded on the loading surface. The respective magnets are arranged below lattice points at each of which the line patterns cross each other, and arranged between the adjacent lattice points and below the line pattern in plan view. A maximum width of the magnet is wider than a width of the line pattern in plan view. The respective magnets are arranged such that a direction that links the N pole and the S pole faces a thickness direction of the semiconductor device and the adjacent magnets have polarities reversed from each other.
    • 要解决的问题:提供一种可以提高用于将金属掩模固定在半导体器件上的定影功率的半导体制造装置等。解决方案:本实施例的半导体制造装置具有支撑基板,该支撑基板包括用于 加载半导体器件。 支撑基板包括多个磁体,用于在加载在装载表面上的半导体器件上固定具有格状线图案的掩模结构。 相应的磁铁布置在每个线形图案彼此交叉的格子点之下,并且布置在相邻网格点之间并且在平面图中位于线图案下方。 在平面图中,磁体的最大宽度比线条图案的宽度宽。 各个磁体被布置成使得连接N极和S极的方向面对半导体器件的厚度方向,并且相邻的磁体具有彼此相反的极性。
    • 10. 发明专利
    • Mask-fixing device
    • 屏蔽固定装置
    • JP2014034722A
    • 2014-02-24
    • JP2012177802
    • 2012-08-10
    • Toyota Motor Corpトヨタ自動車株式会社
    • FUJIWARA DAISUKENOHARA JIROIMAI ATSUSHI
    • C23C14/04C23C14/50H01L21/285
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask-fixing device which can sufficiently closely attach a mask to a wafer and does not require strong force when peeling the mask from the wafer.SOLUTION: A mask-fixing device includes: a lower holder 14 (a first member) including a magnet 17 generating magnetic force; and an upper holder 13 (a second member) including a magnetic part 15 (a first part) having a first magnetic permeability and a non-magnetic part 16 (a second part). The lower holder 14 is set up at a side of a second main surface (lower surface) of a wafer 12, and an upper holder 13 is set up between the lower holder 14 and the second main surface of the wafer 12. The magnetic part 15 and the non-magnetic part 16 of the upper holder 13 are set up so that magnetic flux density generating from the magnet 17 and passing through the mask 11 changes before or after the time when the lower holder 14 and the upper holder 13 relatively move along a surface parallel to the first main surface.
    • 要解决的问题:提供一种掩模固定装置,其能够将掩模充分紧密地附接到晶片,并且在从晶片剥离掩模时不需要强力。解决方案:掩模固定装置包括:下保持器14( 第一构件),包括产生磁力的磁体17; 以及包括具有第一磁导率的磁性部分15(第一部分)和非磁性部分16(第二部分)的上部支架13(第二部件)。 下保持器14设置在晶片12的第二主表面(下表面)的一侧,并且上保持器13设置在下保持器14和晶片12的第二主表面之间。磁性部分 15和上保持器13的非磁性部分16被设置成使得从磁体17产生并通过掩模11的磁通密度在下保持器14和上保持件13相对移动之前或之后改变 沿着与第一主表面平行的表面。