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1. 发明专利

JP2017191817A スイッチング素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017191817A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2016078925
申请日：2016-04-11
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：小野木淳士 , 伊藤孝浩 , 藤原広和 , 青井佐智子 , 浦上泰
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】トレンチの側面にマスクの変質部が残存することを抑制する。【解決手段】本明細書が開示する製造方法により製造されるスイッチング素子は、トレンチの短手方向の端部に位置する第1側面に沿ってボディ領域から下側に伸びているp型の第1接続領域と、トレンチの長手方向の端部に位置する第2側面に沿ってボディ領域から下側に伸びているp型の第2接続領域と、トレンチの底面においてゲート絶縁層に接しているとともに第1接続領域と第2接続領域に接続されているp型の底部領域を有している。前記製造方法が、第1側面に犠牲酸化膜を形成する工程と、犠牲酸化膜上に第1側面の一部を覆うマスクを形成する工程と、マスクに覆われていない範囲の第1側面にp型不純物を注入する工程と、マスクをエッチングにより除去する工程と、犠牲酸化膜をエッチングにより除去する工程を有する。【選択図】図10

2. 发明专利

JP6062306B2 表面処理装置有权
标题翻译：表面处理设备
公开(公告)号：JP6062306B2
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：JP2013076580
申请日：2013-04-02
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：稲垣昌英 , 牧野総一郎 , 中嶋健次 , 山崎才弘 , 伊藤孝浩
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/205

3. 发明专利

JP5710382B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5710382B2
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2011119481
申请日：2011-05-27
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：伊藤孝浩 , 長井健一郎 , 中嶋健次
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/24 , H01L21/205

4. 发明专利

JP2015216200A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015216200A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014097509
申请日：2014-05-09
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：山寺秀哉 , 町田悟 , 山下侑佑 , 大西徹 , 伊藤孝浩
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/47 , H01L21/26513 , H01L29/06 , H01L29/0619 , H01L29/16 , H01L29/401 , H01L29/456 , H01L29/872 , H01L29/7395
摘要：【課題】Siノジュールの発生が抑えられるショットキー電極を備えた半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置1は、Siを含む半導体層10と、半導体層10の一方の主面の少なくとも一部にショットキー接触するアノード電極24と、を備える。アノード電極24は、Ti、Ta、Nb、Hf、Zr、W、Mo及びVからなる群から選択される少なくとも1種を含むAlSi合金である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括能够抑制Si结节形成的肖特基电极的半导体器件。解决方案：半导体器件1包括包含Si的半导体层10和与至少一部分肖特基接触的阳极电极24 阳极电极24是包括选自Ti，Ta，Nb，Hf，Zr，W，Mo和V中的至少一种的AlSi合金。

5. 发明专利

JP5722933B2 積層電極有权
标题翻译：叠层电极
公开(公告)号：JP5722933B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2013019587
申请日：2013-02-04
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：山寺秀哉 , 土森正昭 , 加藤武寛 , 伊藤孝浩
IPC分类号： C22C19/03 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/456 , H01L29/452

6. 发明专利

JP5895950B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5895950B2
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：JP2014007985
申请日：2014-01-20
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：加藤邦仁 , 大木周平 , 伊藤孝浩
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/304 , H01L29/739 , H01L27/04 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/265 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/6835 , H01L29/32 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834

7. 发明专利

JP2016213992A 非接触給電システム有权
标题翻译：非接触供电系统
公开(公告)号：JP2016213992A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015096889
申请日：2015-05-11
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：伊藤孝浩 , 井上順治
IPC分类号： H02J7/00 , B60L11/18 , B60L5/00 , B60M7/00 , H02J50/00
CPC分类号： Y02T10/7005
摘要：【課題】ドライバーなどの利用者の手を煩わせることなく、受電装置から給電のための接続指示を待っている送電装置を、無線通信による接続の段階で自動的に判断することができる、非接触給電システムを提供する。【解決手段】本発明の車外の送電装置から、所定の給電領域にいる車両の受電装置へ、非接触で電力を供給する非接触給電システムは、送電装置が、受電装置が給電領域にいることを検出する検出部と、検出部によって受電装置が給電領域にいることが検出されると送電装置が持つ固有識別子を受電装置が給電領域にいることを示した内容に変化させる制御部とを備え、受電装置が、送電装置と無線通信を行って固有識別子を取得する通信部と、通信部によって取得された固有識別子に基づいて受電装置が給電範囲にいることを示した内容の固有識別子を持つ送電装置を給電接続待ち状態の送電装置であると判断する制御部とを備える。【選択図】図2
摘要翻译：甲而不麻烦用户的手，诸如驾驶员，从电力接收装置的动力传递装置在等待用于电源的连接指令，所以能够自动地确定由无线通信连接的阶段，非提供接触供电系统。从动力传递装置的本发明中，向电力接收的车辆中的预定馈送区域是装置的外侧，用于在非接触电力传输装置供给电力的非接触电力供给系统中，电力接收设备处于所述馈送区域包括：检测器，用于检测，并用于功率由所述检测单元接收装置的控制单元改变所述电力接收装置与所述动力传递装置检测到是在电力供给区域的唯一标识符的内容表明，您在馈送区域与电力接收设备，以及用于通过执行电力传输设备和无线通信获取的唯一标识符的通信单元，基于由所述通信单元获取的所述唯一标识符的电力接收装置是示出内容的唯一的标识，是在进料范围和用于确定电力发送装置和电力供应连接等待状态的动力传递装置的控制单元。 .The

8. 发明专利

JP2016063600A 受電装置审中-公开
标题翻译：功率接收装置
公开(公告)号：JP2016063600A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014189062
申请日：2014-09-17
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：伊藤孝浩 , 阿部勇治
IPC分类号： H02J7/00 , H02J50/00
CPC分类号： Y02T10/7005
摘要：【課題】送電装置から非接触で受電してバッテリを充電する非接触充電が、ユーザが意図していないときに禁止されてしまうのを回避する。【解決手段】非接触充電禁止スイッチがモーメンタリスイッチとして構成されており、非接触充電禁止スイッチを含む車両ECUのCPUへの入力回路がプルアップ回路として構成されている。そして、非接触充電禁止スイッチがオフからオンとされてから再度オフとされたときに(S100,S110)、非接触充電(充電用リレーのオン)の禁止と禁止の解除とを切り替える。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：为了防止在用户不想要的情况下禁止从电力传输装置以非接触的方式通过电力接收对电池进行充电的非接触充电。解决方案：非接触充电禁止开关被配置为瞬时开关，并且包括非接触充电禁止开关的车辆ECU的CPU的输入电路被配置为上拉电路。当非接触式充电禁止开关从关闭状态变为开状态再次断开时（S100，S110），切换非接触式充电（充电继电器）禁止和禁止取消。选择图：图4

9. 发明专利

JP2015138801A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015138801A
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014007985
申请日：2014-01-20
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：加藤邦仁 , 大木周平 , 伊藤孝浩
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/304 , H01L29/739 , H01L27/04 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/265 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/6835 , H01L29/32 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：【課題】歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を開示する。【解決手段】本明細書で開示する半導体装置の製造方法は、半導体基板10の表面側に半導体素子の表面構造を形成する工程と、半導体基板10に荷電粒子を打ち込むことによって半導体基板10内に結晶欠陥を形成する工程と、結晶欠陥を形成する工程の後に、半導体基板10を熱処理する工程と、熱処理する工程の後に、半導体基板10の表面側に支持板を貼り付ける工程と、支持板が貼り付けられた半導体の裏面側を研磨して半導体基板10を薄板化する工程と、薄板化後の半導体基板の裏面側に半導体素子の裏面構造を形成する工程を備えている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提高产量的半导体器件的制造方法。解决方案：一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底的表面侧形成半导体元件的表面结构 10; 通过将带电粒子注入到半导体衬底10中而在半导体衬底10中形成晶体缺陷; 在形成晶体缺陷的步骤之后对半导体衬底10进行热处理; 在对半导体基板10进行热处理的步骤之后，将支撑板粘贴到半导体基板10的表面侧; 通过抛光支撑板被卡住的半导体衬底的后表面侧来稀释半导体衬底10; 以及在所述变薄的半导体衬底的后表面侧上形成所述半导体元件的后表面结构。

10. 发明专利

JP2019117871A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019117871A
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：JP2017251453
申请日：2017-12-27
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：荒内琢士 , 伊藤孝浩 , 浦上泰 , 副島成雅
IPC分类号： H01L21/265
摘要：【課題】結晶性が高いn型またはp型の半導体領域を形成するとともに、その半導体領域の外部の領域の結晶性の低下を抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法であって、炭化シリコン基板に不純物をイオン注入する第1工程と、前記炭化シリコン基板の前記不純物の注入範囲にシリコンと炭素の少なくとも一方をイオン注入する第2工程と、前記第1工程と前記第2工程を実施した後に前記炭化シリコン基板をアニールする工程を有する。前記第1工程でイオン注入された不純物の濃度のピークの深さと、前記第2工程で注入された元素のイオン注入深さが重複する。【選択図】図4

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