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1. 发明专利

JP5887848B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5887848B2
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：JP2011246257
申请日：2011-11-10
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：加藤邦仁 , 長里喜隆
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/28

2. 发明专利

JP2016146449A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016146449A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2015023586
申请日：2015-02-09
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：加藤邦仁
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/30604 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：【課題】比較的低温で支持基板を反らせることが可能な技術を提供する。【解決手段】半導体装置を製造する方法であって、支持基板の一方の表面に液体を付着させる工程と、前記液体を固体化させ、その相変化に伴って生じる体積変化によって前記支持基板を反らせる工程(相変化に起因する反り工程)と、加熱状態において、前記支持基板と異なる線膨張係数を持つ半導体基板を前記支持基板に貼り付ける工程と、前記半導体基板が貼り付けられた前記支持基板を冷却して前記支持基板を反らせる工程(線膨張係数差に起因する反り工程)を有する。相変化に起因する反り方向が線膨張係数差に起因する反り方向と逆向きである。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供能够使支撑基板在相对低的温度下翘曲的技术。解决方案：半导体器件制造方法包括：将液体附着到支撑基板的一个表面的工艺; 凝固液体的过程（由于相变引起的翘曲过程），使得支撑基板随着相变而发生体积变化; 在加热状态下将具有与支撑基板的线膨胀系数不同的线性膨胀系数的半导体基板接合到支撑基板的工序; 以及冷却与半导体衬底接合的支撑衬底以使支撑衬底翘曲的过程（由于线膨胀系数差导致的翘曲过程）。由于相变和翘曲方向由于线膨胀系数差而产生的翘曲方向彼此相反。选择图：图6

3. 发明专利

JP2015138801A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015138801A
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014007985
申请日：2014-01-20
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：加藤邦仁 , 大木周平 , 伊藤孝浩
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/304 , H01L29/739 , H01L27/04 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/265 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/6835 , H01L29/32 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：【課題】歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を開示する。【解決手段】本明細書で開示する半導体装置の製造方法は、半導体基板10の表面側に半導体素子の表面構造を形成する工程と、半導体基板10に荷電粒子を打ち込むことによって半導体基板10内に結晶欠陥を形成する工程と、結晶欠陥を形成する工程の後に、半導体基板10を熱処理する工程と、熱処理する工程の後に、半導体基板10の表面側に支持板を貼り付ける工程と、支持板が貼り付けられた半導体の裏面側を研磨して半導体基板10を薄板化する工程と、薄板化後の半導体基板の裏面側に半導体素子の裏面構造を形成する工程を備えている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提高产量的半导体器件的制造方法。解决方案：一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底的表面侧形成半导体元件的表面结构 10; 通过将带电粒子注入到半导体衬底10中而在半导体衬底10中形成晶体缺陷; 在形成晶体缺陷的步骤之后对半导体衬底10进行热处理; 在对半导体基板10进行热处理的步骤之后，将支撑板粘贴到半导体基板10的表面侧; 通过抛光支撑板被卡住的半导体衬底的后表面侧来稀释半导体衬底10; 以及在所述变薄的半导体衬底的后表面侧上形成所述半导体元件的后表面结构。

4. 发明专利

JP2016146429A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016146429A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2015023219
申请日：2015-02-09
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：加藤邦仁
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/4803 , H01L27/0727
摘要：【課題】予め支持基板に反りを生じさせる技術とは別の方策により、積層基板の反りを抑制する技術を提供する。【解決手段】半導体装置を製造する方法であり、加熱しながら半導体基板を支持基板に貼り付ける工程と、前記支持基板に貼り付けられた前記半導体基板を加工する工程を備える。前記支持基板は、前記半導体基板と異なる線膨張係数を有する。前記支持基板と前記支持基板に貼り付けられた前記半導体基板が重なる範囲を重複領域としたときに、前記重複領域内に前記支持基板の表面と裏面の間を貫通する複数の貫通孔が形成されている。前記重複領域の中心から前記支持基板の表面に沿って何れの方向に直線を引いたとしても、前記直線が何れかの前記貫通孔と交差する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过与在支撑基板上预先引起翘曲的技术不同的方法来抑制层压基板的翘曲的技术。解决方案：半导体器件制造方法包括：将半导体衬底附着到支撑体衬底，同时加热半导体衬底和支撑衬底; 以及处理附着在支撑基板上的半导体基板的工序。支撑基板具有与半导体基板不同的线膨胀系数。当假设支撑衬底和附接到支撑衬底的半导体衬底彼此重叠的范围是重叠区域时，在重叠区域中形成有从表面到背面刺穿支撑衬底的多个通孔。即使当沿任何方向沿着支撑基板的表面从重叠区域的中心拉出直线时，直线与任何通孔交叉。图示：图2

5. 发明专利

JP2016046480A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体制造方法
公开(公告)号：JP2016046480A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：JP2014171824
申请日：2014-08-26
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：加藤邦仁 , 吉田太一
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L23/522 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L27/04 , H01L21/304 , H01L21/28
摘要：【課題】本明細書では、基板の破損を防止し、かつ、はんだ漏れ性を確保することができる半導体装置の製造方法に関する技術を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法であって、半導体基板の表面にNiを含む第1金属層と、Ni以外の金属を含むとともに前記第1金属層の表面を覆う保護層を有する電極を形成する工程と、前記電極を形成する工程よりも後に、前記半導体基板及び前記電極を280℃以下の温度に加熱しながら前記電極の表面に接着剤を介して支持板を貼りつける貼り付け工程と、前記半導体基板の裏面を研磨する工程と、を有する半導体装置の製造方法。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种与能够防止基板破损并确保可焊性的半导体器件制造方法相关的技术。解决方案：一种半导体器件制造方法包括：形成具有包含Ni的第一金属层的电极的工艺半导体衬底的表面和包含除了Ni之外的金属并覆盖第一金属层的表面的保护层; 在形成电极的过程之后，在等于或低于280℃的温度下加热半导体衬底和电极的同时通过粘合剂将支撑板施加在电极的表面上的施加过程; 以及研磨半导体基板的背面的工序。图6

6. 发明专利

JP5895950B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5895950B2
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：JP2014007985
申请日：2014-01-20
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：加藤邦仁 , 大木周平 , 伊藤孝浩
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/304 , H01L29/739 , H01L27/04 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/265 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/6835 , H01L29/32 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834

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