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1. 发明专利

JP2017197396A SiC単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP2017197396A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2016088218
申请日：2016-04-26
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 新日鐵住金株式会社
发明人：旦野克典 , 楠一彦 , 関和明
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/36
摘要：【課題】成長の初期段階においてもインクルージョンを含まないSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi−C溶液に、種結晶保持軸に保持した種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、結晶成長の開始時から、種結晶基板とSi−C溶液との間に第1の高さを有するメニスカスを形成して、凹形状の成長面を有するSiC単結晶を成長させること、及び第1の高さよりも小さい第2の高さを有するメニスカスを形成して、凹形状の成長面を有するSiC単結晶から、さらにSiC単結晶を成長させることを含む、SiC単結晶の製造方法。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2016064958A SiC単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译： SIC单晶的制造方法
公开(公告)号：JP2016064958A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2014195723
申请日：2014-09-25
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 新日鐵住金株式会社
发明人：旦野克典 , 大黒寛典 , 土井雅喜 , 楠一彦
IPC分类号： C30B19/06 , C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B19/04 , C30B19/08
摘要：【課題】従来よりもインクルージョンの発生を抑制してより均一な結晶成長が可能なSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】坩堝内に収容された内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi−C溶液24に、種結晶保持軸12に保持させた種結晶基板14を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法であって、坩堝の側面部の周囲には、高周波コイル22が配置されており、坩堝が、中坩堝101及び中坩堝101を囲むように配置された1以上の外坩堝102を含む多層構造を有し、SiC単結晶を成長させる際に、Si−C溶液24の液面と高周波コイル22の中心部との鉛直方向の相対位置変化を抑制するように、中坩堝101のみを鉛直上方向に移動させる工程を含む、SiC単結晶の製造方法。【選択図】図10
摘要翻译：要解决的问题：提供一种SiC单晶的制造方法，其通过抑制与现有方法的夹杂物的产生而允许更均匀的晶体生长。解决方案：通过溶液法制造SiC单晶的方法，其中通过使由籽晶保持轴线12保持的晶种基板14与容纳在坩埚中的Si-C溶液24接触而使SiC单晶生长，并且具有温度从温度降低到解。高频线圈22布置在坩埚的侧表面周围，坩埚具有多层结构，该多层结构包括内坩埚101和设置成围绕内坩埚101的一个或多个外坩埚102.在生长SiC单晶制造方法包括仅使内坩埚101移动，从而抑制Si-C溶液24的液面与高频线圈22的中心位置之间的垂直方向的相对位置的变化。选择图：图10

3. 发明专利

JP5890377B2 SiC単結晶の製造方法有权
标题翻译：一种制造SiC单晶的方法
公开(公告)号：JP5890377B2
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2013241086
申请日：2013-11-21
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 新日鐵住金株式会社
发明人：旦野克典 , 楠一彦 , 亀井一人
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B11/003

4. 发明专利

JP2015101490A SiC単結晶の製造方法有权
标题翻译：制造SiC单晶的方法
公开(公告)号：JP2015101490A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：JP2013241086
申请日：2013-11-21
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 新日鐵住金株式会社
发明人：旦野克典 , 楠一彦 , 亀井一人
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B11/003
摘要：【課題】シードタッチさせた後にSi−C溶液の温度を変えても、多結晶の発生を抑制することができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi−C溶液24に、種結晶保持軸12に保持させたSiC種結晶基板14を接触させてSiC単結晶を成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、(A)Si−C溶液24を第1の温度にする工程、(B)種結晶保持軸12に保持された種結晶基板14を、Si−C溶液24に接触させる工程、(C)Si−C溶液24に種結晶基板14を接触させた後、Si−C溶液24を、第2の温度にする工程、並びに(D)第1の温度から第2の温度にするときのSi−C溶液24の液面高さの変化に応じて、種結晶保持軸12に保持された種結晶基板14を上下方向に移動させる工程、を備える、SiC単結晶の製造方法。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供即使当在种子接触之后Si-C溶液的温度变化时也能够抑制形成多晶体的SiC单晶的制造方法。解决方案：提供一种方法，通过将由晶种保持轴12保持的SiC晶种基板14由温度梯度从内到顶的Si-C溶液24制造成SiC单晶，其中生长SiC单晶表面。该方法包括以下工序：（A）将Si-C溶液24保持在第一温度; （B）使由晶种保持轴12保持的晶种基板14与Si-C溶液24接触; （C）在使晶种基板14与Si-C溶液24接触之后，在第二温度下保持Si-C溶液; 以及（D）当Si-C溶液从第一温度变为第二温度时，根据Si-C溶液24的液面高度的变化，上下移动由籽晶保持轴12保持的晶种基板14 温度。

5. 发明专利

JP2021170608A 半導体素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021170608A
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：JP2020073653
申请日：2020-04-16
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：原淳雅 , 旦野克典 , 加渡幹尚 , 山野颯
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/477 , H01L21/265 , H01L21/329
摘要：【課題】本開示は、故障のリスクを低減することができる、半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】本開示の製造方法は、酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上に金属電極層が形成されており、かつ上記酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上のうち、上記金属電極層が積層されていない露出部の少なくとも一部にドーパントがドープされている、半導体素子前駆体を提供すること、及び上記半導体素子前駆体にアニール処理を行い、それによって上記酸化ガリウム系単結晶半導体層のうち、上記金属電極層と積層方向に重複する部分に上記ドーパントを拡散させて、上記酸化ガリウム系単結晶半導体層と上記金属電極層との間にショットキー接合を形成すること、を含む、半導体素子の製造方法である。【選択図】図1E

6. 发明专利

JP2020194847A スイッチング素子审中-公开
公开(公告)号：JP2020194847A
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：JP2019098597
申请日：2019-05-27
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：旦野克典 , 上原準市 , 朽木克博
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要：【課題】積層欠陥の成長を抑制する。【解決手段】スイッチング素子であって、SiC基板と、前記SiC基板に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記SiC基板に対向するゲート電極と、前記SiC基板に接するソース電極と、前記SiC基板に接するドレイン電極、を有する。前記SiC基板が、前記ソース電極と前記ゲート絶縁膜に接するn型のソース領域と、前記ドレイン電極と前記ゲート絶縁膜に接するn型のドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間の位置で前記ゲート絶縁膜に接しているp型のボディ領域と、前記ボディ領域よりも高いp型不純物濃度を有するとともに前記ソース電極と前記ボディ領域に接するp型のコンタクト領域、を有する。前記ソース電極に接する位置における前記コンタクト領域内のp型不純物濃度が、3×10 19 cm −3 以下である。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2019080035A 炭化珪素半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019080035A
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：JP2018102702
申请日：2018-05-29
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：箕谷周平 , 上東秀幸 , 旦野克典 , 山下侑佑
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/336
摘要：【課題】SSSFによる素子動作に及ぼす影響を抑制することが可能なMOS構造の半導体素子を有するSiC半導体装置を提供する。【解決手段】n − 型ドリフト層2の全域においてn型不純物濃度が2.0×10 16 /cm 3 以下となるようにしつつ、n − 型ドリフト層2中にZ 1/2 センター2aを形成してキャリアのライフタイムが0.1μsec以下となるようにする。これにより、縦型MOSFETをインバータ回路に適用する際に、ターンオフ時に寄生FWDに大電流が流れても、正孔がn + 型基板1まで到達することを抑制することが可能となる。したがって、n + 型基板1内のBPDがSSSFに拡大することを抑制することができ、SSSFに起因する素子動作に及ぼす影響を抑制することが可能となる。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2015135209A 金属溶融装置有权
标题翻译：金属熔化设备
公开(公告)号：JP2015135209A
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：JP2014006757
申请日：2014-01-17
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：佐久間紀次 , 庄司哲也 , 原川翔一 , 濱本健一 , 旦野克典
IPC分类号： F27B14/14 , F27D11/06 , F27D3/14 , F27B14/18
摘要：【課題】坩堝のノズルから吐出される溶湯の温度低下を抑制することのできる金属溶融装置を提供する。【解決手段】底にノズル1aを備えた坩堝1と、坩堝1の周囲に配設されたコイル2と、から構成され、コイル2に印加した際の誘導加熱によって坩堝1内の金属を溶融させて溶湯を生成し、溶湯をノズル1aから吐出させる金属溶融装置10であって、ノズル1aの周囲に、誘導加熱によって加熱する多孔質断熱材3が配設されている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种金属熔化装置，其能够抑制从坩埚喷嘴排出的熔融金属的温度下降。解决方案：金属熔化装置10，其由在坩埚1的底部配备有喷嘴1a和布置在坩埚1周围的线圈2在施加到线圈2上时通过感应热熔化坩埚1中的金属以产生熔融金属，并从喷嘴1a排出熔融金属。在喷嘴1a周围设置有通过感应加热加热的多孔隔热材料3。

9. 发明专利

JP2020136539A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020136539A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019029782
申请日：2019-02-21
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：旦野克典 , 浦上泰 , 渡辺行彦
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要：【課題】炭化珪素基板を用いて製造された半導体装置において、ゲート配線の下方の絶縁膜の電界を緩和する技術を提供する。【解決手段】半導体装置は、素子領域と周辺領域に区画されている炭化珪素基板と、炭化珪素基板の素子領域上の少なくとも一部に設けられているソース電極と、炭化珪素基板の周辺領域上の少なくとも一部に絶縁膜を介して設けられているゲート配線と、を備えており、炭化珪素基板は、素子領域と周辺領域の双方に亘って設けられているn型のドリフト領域と、素子領域と周辺領域の双方に亘って設けられており、ドリフト領域上に配置されており、ソース電極に電気的に接続されているp型のボディ領域と、周辺領域に設けられており、ボディ領域上に配置されているn型の表面領域と、を有しており、表面領域は、ゲート配線の下方の少なくとも一部に配置されており、絶縁膜を介してゲート配線に対向している。【選択図】図2

10. 发明专利

JP6344374B2 SiC単結晶及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6344374B2
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：JP2015244233
申请日：2015-12-15
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：旦野克典
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B19/068 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/12 , C30B29/36 , C30B29/64

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