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1. 发明专利

JP2016079070A 溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：使用溶液生长技术和硅碳化硅单晶制造方法的硅碳化物单晶制造装置
公开(公告)号：JP2016079070A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2014213235
申请日：2014-10-17
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：亀井一人 , 楠一彦 , 岸田豊 , 大黒寛典 , 土井雅喜
IPC分类号： C30B19/06 , C30B29/36
摘要：【課題】ウイスカーの発生を抑制できる溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置及び製造方法の提供。【解決手段】断熱容器と、加熱装置と、シードシャフト6とを備え、断熱容器は、Si−C溶液7を含む坩堝を収納可能な筐体状であって、断熱容器の上蓋部41に貫通孔41Aを有し、シードシャフト6は貫通孔41Aを通り、下端にSiC種結晶8を取り付け可能となっており、シードシャフト6のうち、貫通孔41Aの内周面と対向する領域に断熱材10を配置した溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置。貫通孔41Aとシードシャフト6との間の隙間を、断熱材10により保温できるため、この隙間において、ウイスカーの発生を抑制することができ、また、断熱材10はSi−C溶液の蒸発成分により劣化しやすく、劣化した断熱材のSi−C溶液7への落下を防止するため、断熱材10はシードシャフト6の下部には配置されないSiC単結晶の製造装置。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用溶液生长技术的SiC单晶制造装置和能够抑制晶须生成的SiC单晶制造方法。解决方案：使用溶液生长技术的SiC单晶制造装置包括：绝缘容器; 加热单元和种子轴6.绝缘容器形成为能够在其中存储具有SiC溶液7的坩埚的盒，并且具有设置有通孔41A的顶盖部41。种子轴6穿过通孔41A，并且允许SiC单晶8附接到其下边缘。布置在种子轴6的与通孔41A的内周相反的区域中的绝缘材料10可以隔离通孔41A和种子轴6之间的间隙，从而抑制其中的晶须的产生。绝缘材料10容易被SiC溶液的蒸发成分劣化。为了防止劣化的绝缘材料落入SiC溶液7中，绝缘材料10不被施加到种子轴6的下部。选择的图示：图2

2. 发明专利

JP2017145160A SiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017145160A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：JP2016026824
申请日：2016-02-16
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：岸田豊 , 関和明 , 楠一彦 , 大黒寛典 , 加渡幹尚 , 土井雅喜
IPC分类号： C30B19/06 , C30B29/36
摘要：【課題】シードシャフトの下端にSiC種結晶を取り付けるために、台座を用いる場合であっても、結晶成長界面を凹形状にすることができる、SiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実施の形態によるSiC単結晶の製造装置(10)は、溶液成長法に用いられる。SiC単結晶の製造装置は、シードシャフト(26)と、台座(28)とを備える。シードシャフトは、上下方向に延びる。台座は、シードシャフトの下端(263)に取り付けられ、SiC種結晶(32)を支持するために用いられる。台座は、中央部(285)と、周縁部(286)とを有する。中央部は、台座の高さ方向から見て、台座の中心(C1)を含む。周縁部は、台座の高さ方向から見て、中央部を囲む。周縁部は、中央部よりも、台座の下面から上面に熱を伝達しやすい。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2018158849A SiC単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018158849A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2016023379
申请日：2016-02-10
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：関和明 , 楠一彦 , 大黒寛典 , 加渡幹尚 , 土井雅喜
IPC分类号： C30B19/12 , C30B29/36
CPC分类号： C30B19/12 , C30B29/36
摘要：【課題】異種ポリタイプの混入が抑制されたSiC単結晶を得る。【解決手段】SiC単結晶の製造方法は、1以上の溝が形成された成長面を有する種結晶を準備する工程(ステップS1)と、原料を加熱して溶融し、SiC溶液を生成する溶液生成工程(ステップS2)と、前記種結晶の前記成長面を前記SiC溶液に接触させて前記種結晶上にSiC単結晶を成長させる成長工程(ステップS4)とを備える。前記1以上の溝の各々は、1mm以上2mm未満の幅を有する。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2016064958A SiC単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译： SIC单晶的制造方法
公开(公告)号：JP2016064958A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2014195723
申请日：2014-09-25
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 新日鐵住金株式会社
发明人：旦野克典 , 大黒寛典 , 土井雅喜 , 楠一彦
IPC分类号： C30B19/06 , C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B19/04 , C30B19/08
摘要：【課題】従来よりもインクルージョンの発生を抑制してより均一な結晶成長が可能なSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】坩堝内に収容された内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi−C溶液24に、種結晶保持軸12に保持させた種結晶基板14を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法であって、坩堝の側面部の周囲には、高周波コイル22が配置されており、坩堝が、中坩堝101及び中坩堝101を囲むように配置された1以上の外坩堝102を含む多層構造を有し、SiC単結晶を成長させる際に、Si−C溶液24の液面と高周波コイル22の中心部との鉛直方向の相対位置変化を抑制するように、中坩堝101のみを鉛直上方向に移動させる工程を含む、SiC単結晶の製造方法。【選択図】図10
摘要翻译：要解决的问题：提供一种SiC单晶的制造方法，其通过抑制与现有方法的夹杂物的产生而允许更均匀的晶体生长。解决方案：通过溶液法制造SiC单晶的方法，其中通过使由籽晶保持轴线12保持的晶种基板14与容纳在坩埚中的Si-C溶液24接触而使SiC单晶生长，并且具有温度从温度降低到解。高频线圈22布置在坩埚的侧表面周围，坩埚具有多层结构，该多层结构包括内坩埚101和设置成围绕内坩埚101的一个或多个外坩埚102.在生长SiC单晶制造方法包括仅使内坩埚101移动，从而抑制Si-C溶液24的液面与高频线圈22的中心位置之间的垂直方向的相对位置的变化。选择图：图10

5. 发明专利

JP6627984B2 SiC単結晶の製造方法及び製造装置、並びにSiC単結晶の製造に用いるシードシャフト有权
公开(公告)号：JP6627984B2
公开(公告)日：2020-01-08
申请号：JP2018542805
申请日：2017-09-27
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：楠一彦 , 関和明 , 大黒寛典 , 加渡幹尚 , 土井雅喜
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/36

6. 发明专利

JP6558394B2 SiC単結晶の製造方法及び製造装置有权
公开(公告)号：JP6558394B2
公开(公告)日：2019-08-14
申请号：JP2017087634
申请日：2017-04-26
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：土井雅喜 , 大黒寛典 , 加渡幹尚 , 佐藤友大 , 関和明 , 楠一彦 , 岸田豊
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/36

7. 发明专利

JP6512088B2 SiC単結晶製造装置有权
公开(公告)号：JP6512088B2
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：JP2015242050
申请日：2015-12-11
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：土井雅喜
IPC分类号： C30B19/08 , C30B29/36

8. 发明专利

JP6500977B2 SiC単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6500977B2
公开(公告)日：2019-04-17
申请号：JP2017506593
申请日：2016-03-16
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：関和明 , 楠一彦 , 亀井一人 , 旦野克典 , 大黒寛典 , 土井雅喜
IPC分类号： C30B15/20 , C30B33/02 , C30B29/36

9. 发明专利

JPWO2018062318A1 SiC単結晶の製造方法及び製造装置、並びにSiC単結晶の製造に用いるシードシャフト审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018062318A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：JP2017035055
申请日：2017-09-27
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：楠一彦 , 関和明 , 大黒寛典 , 加渡幹尚 , 土井雅喜
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/36
摘要：高品質で結晶厚みの大きいSiC単結晶を製造できる製造方法を提供する。製造方法は、シードシャフトの下端面に取り付けられた種結晶(8)の結晶成長面(81)をSi−C溶液(7)に接触させてSiC単結晶を成長させる、溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法であって、坩堝(2)に収容された原料を加熱して溶融させ、Si−C溶液(7)を生成する工程と、結晶成長面(81)をSi−C溶液(7)に接触させ、結晶成長面(81)上にSiC単結晶を成長させる工程とを備える。シードシャフト(6)は、少なくとも、下端と下端から30mmの位置との間の領域(61)のうち、種結晶(8)が取り付けられる領域以外の領域において、表層のガス透過率が5×10 −5 m 2 /s以下である。

10. 发明专利

JP2018150193A SiC単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018150193A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2017047563
申请日：2017-03-13
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：加渡幹尚 , 土井雅喜 , 楠一彦 , 関和明
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/36
摘要：【課題】長時間成長が可能なSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】黒鉛坩堝内に配置され、内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi−C溶液に、種結晶保持軸に保持した種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、黒鉛坩堝内に、Si系融液を形成するための原料と黒鉛坩堝よりもかさ密度が小さいカーボン部材とを配置すること、及び黒鉛坩堝内において、原料とカーボン部材とを加熱してSi−C溶液を形成すること、を含む、SiC単結晶の製造方法。【選択図】図4

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