专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JPWO2014038172A1 ＳｉＣ単結晶の製造装置及び製造方法有权
标题翻译：设备和用于制造SiC单晶的方法
公开(公告)号：JPWO2014038172A1
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2014534181
申请日：2013-09-02
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：楠　一彦 , 一彦楠 , 亀井　一人 , 一人亀井 , 矢代　将斉 , 将斉矢代 , 信宏岡田 , 信宏岡田 , 晃治森口 , 晃治森口 , 幹尚加渡 , 幹尚加渡 , 寛典大黒 , 寛典大黒 , 秀光坂元 , 秀光坂元
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/04
CPC分类号： C30B19/04 , C30B9/00 , C30B19/068 , C30B29/36
摘要： SiC単結晶の製造装置(10)は、溶液成長法によるSiC単結晶の製造に用いられ、SiC種結晶(32)が取り付けられる下端面(22S)を有するシードシャフト(22A)と、Si−C溶液(15)を収容する坩堝(14)と、Si−C溶液(15)に浸漬される撹拌部材(24A)と、坩堝(14)及び撹拌部材(24A)の何れか一方を他方に対して相対的に回転させる駆動源(20B,24D)とを備える。撹拌部材(24A)の下端は、シードシャフト(22A)の下端面(22S)に取り付けられたSiC種結晶(32)の下端(32a)より低くに配置される。
摘要翻译：用于制造SiC单晶（10）装置在生产SiC单晶的用溶液生长方法中使用，具有SiC晶种的下端表面（32）的籽晶轴被附接到（22S）（22A），碳化硅用于容纳溶液（15）的坩埚（14）和搅拌构件，其浸渍于所述Si-C溶液（15）（24A），所述坩埚中的一个（14）和所述搅拌部件（24A）相对于另一以及用于相对旋转的驱动源（20B，24D）。搅拌部件（24A）的下端被布置附连到（22A）的下端表面（22S）的籽晶轴SiC晶种（32）的下端部（32A）的下方。

2. 发明专利

JPWO2012173251A1 ＳｉＣ単結晶の製造装置及び製造方法有权
标题翻译：设备和用于制造SiC单晶的方法
公开(公告)号：JPWO2012173251A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013520608
申请日：2012-06-15
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：楠　一彦 , 一彦楠 , 亀井　一人 , 一人亀井 , 矢代　将斉 , 将斉矢代 , 信宏岡田 , 信宏岡田 , 寛典大黒 , 寛典大黒 , 幹尚加渡 , 幹尚加渡 , 秀光坂元 , 秀光坂元
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/06 , H01L21/208
CPC分类号： C30B35/00 , C30B9/10 , C30B11/003 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B29/36 , Y10T117/1068 , Y10T117/1092
摘要：シードシャフトに取り付けられた種結晶を効率良く冷却することができる、SiC単結晶の製造装置を提供することを、目的とする。Si−C溶液(16)を収容する坩堝(14)と、SiC種結晶(36)が取り付けられる下端面(34)を有するシードシャフト(30)とを備える。シードシャフトは、坩堝の高さ方向に延び、内側に第1流路(60)を形成する内管(48)と、内管を収容し、内管との間に第2流路(SP1)を形成する外管(50)と、外管の下端開口を覆い、下端面を有する底部とを備える。第1流路及び第2流路のうち、一方の流路は冷却ガスが下方に流れる導入流路であり、他方の流路は冷却ガスが上方に流れる排出流路である。シードシャフトの軸方向から見て、SiC種結晶の60%以上の領域が、導入流路を形成する管の内側の領域に重なる。
摘要翻译：连接到籽晶轴晶种能够有效地冷却，以提供一种用于制造SiC单晶的装置，和一个对象。包括用于容纳SiC溶液（16），所述SiC晶种的下端表面的坩埚（14）（36）附连到具有籽晶轴（30）（34）。籽晶轴在坩埚的高度方向延伸，内管上形成的内侧（48）的第一流路（60），容纳所述内管，所述内管之间（SP1）的第二流动路径的外管，以形成（50），覆盖所述外管的下端开口，并具有底表面的底部部分。第一流动路径和第二流动路径中，一个流路被引入流路的冷却向下，另一个流路被排出流动路径的冷却气体向上流动的气流。从籽晶轴，60％或SiC晶种的多个区域的轴向方向观察时，重叠在管形成入口路内的区域中。

3. 发明专利

JP5568034B2 Manufacturing apparatus and a method of manufacturing a semiconductor single crystal 有权
公开(公告)号：JP5568034B2
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：JP2011045160
申请日：2011-03-02
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 新日鐵住金株式会社
发明人：幹尚加渡 , 寛典大黒 , 秀光坂元 , 一彦楠 , 将斉矢代
IPC分类号： C30B15/10 , C30B29/36

4. 发明专利

JP5628426B2 ＳｉＣ単結晶の製造装置及び製造方法有权
标题翻译：设备和用于制造SiC单晶的方法
公开(公告)号：JP5628426B2
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：JP2013520608
申请日：2012-06-15
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：楠　一彦 , 一彦楠 , 亀井　一人 , 一人亀井 , 矢代　将斉 , 将斉矢代 , 信宏岡田 , 信宏岡田 , 寛典大黒 , 寛典大黒 , 幹尚加渡 , 幹尚加渡 , 秀光坂元 , 秀光坂元
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/06 , H01L21/208
CPC分类号： C30B35/00 , C30B9/10 , C30B11/003 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B29/36 , Y10T117/1068 , Y10T117/1092

5. 发明专利

JP5439353B2 Manufacturing apparatus and crucibles used therein of SiC single crystal 有权
公开(公告)号：JP5439353B2
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：JP2010289972
申请日：2010-12-27
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：信宏岡田 , 一人亀井 , 一彦楠 , 将斉矢代 , 晃治森口 , 伴和石井 , 寛典大黒 , 幹尚加渡 , 洋一郎河合 , 秀光坂元 , 鈴木　　寛
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/06 , C30B19/08
CPC分类号： C30B29/36 , C30B17/00 , C30B35/002

6. 发明专利

JPWO2014192573A1 ＳｉＣ単結晶の製造装置及び当該製造装置を用いるＳｉＣ単結晶の製造方法有权
标题翻译：用于使用所述的制造装置和SiC单晶的制造装置制造的SiC单晶的制造方法
公开(公告)号：JPWO2014192573A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015519792
申请日：2014-05-19
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：一人亀井 , 一彦楠 , 幹尚加渡 , 寛典大黒 , 秀光坂元
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B17/00 , C30B15/00 , C30B29/36
摘要：単結晶の質を向上させることができるSiC単結晶の製造装置及び当該製造装置を用いる製造方法を提供する。本発明の実施の形態によるSiC単結晶の製造装置(10)は、溶液成長法によるSiC単結晶の製造に用いられる。製造装置(10)は、坩堝(14)と、支持軸(24)とを備える。坩堝(14)には、Si−C溶液(15)が収容される。支持軸(24)は、坩堝(14)を支持する。支持軸(24)は、坩堝(14)の底部(14B)を抜熱する抜熱部を備える。抜熱部は、(a)底部(14B)の熱伝導率以上の熱伝導率を有し、且つ、底部(14B)の少なくとも一部に接触する接触部(34)と、(b)接触部(34)又は底部(14B)の少なくとも一部に接する空間部との何れかを含む。
摘要翻译：提供使用该制造装置和SiC单晶的制造装置，可以提高单晶的质量的制造方法。用于制造根据本发明的一个实施例的SiC单晶的装置（10）用于通过溶液生长法的制造SiC单晶的。制造装置（10）包括坩埚（14），支承轴和（24）。坩埚（14），的Si-C溶液（15）被容纳。支承轴（24）支撑该坩埚（14）。支承轴（24）包括一个排热部以除去热坩埚（14）和（14B）的底部。热提取单元中，（a）具有比（14B）的热导率的底部的热导率，和接触部的至少底部（14B）的一部分，并且（34）接触，（b）中的接触部分包括接触（图14B）（34）的至少一部分或底部的空间部中的一个。

7. 发明专利

JPWO2013065204A1 ＳｉＣ単結晶の製造方法有权
标题翻译：一种制造SiC单晶的方法
公开(公告)号：JPWO2013065204A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013541584
申请日：2011-12-09
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 新日鐵住金株式会社
发明人：幹尚加渡 , 幹尚加渡 , 寛典大黒 , 寛典大黒 , 楠　一彦 , 一彦楠
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B15/22 , C30B15/02 , C30B19/04 , C30B29/36
摘要：溶液法によりSiC単結晶を成長させる際に、均一な単結晶成長が持続できる平坦成長を維持しつつ、高い生産性を実現するために必要な成長速度の向上を達成できるSiC単結晶の製造方法を提供する。坩堝内でCのSi溶液からSiC単結晶を成長させる方法であって、成長しつつあるSiC単結晶とSi溶液との成長界面におけるSi溶液中のCの過飽和度を、平坦成長が維持できる上限の臨界値より高く維持して成長を進行させる高過飽和度成長期と、上記過飽和度を上記臨界値より低く維持して成長を進行させる低過飽和度成長期とを、交互に繰り返すことを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
摘要翻译：当生长用溶液法的SiC单晶，同时保持平坦生长均匀的单晶生长能够持续，SiC单晶的制造方法，可以实现，以实现高生产率需要改善的生长速率提供。在坩埚中由C生长SiC单晶于Si溶液的方法，在SiC单晶和Si溶液之间的生长界面的Si溶液一个C过饱和生长，可维持扁平增长极限高过饱和度增长期的推进上述重复过饱和度和低的过饱和度增长期提前生长的特征的临界值维持生长和保持低于临界值时，交替地一种制造SiC单晶的方法是。

8. 发明专利

JPWO2012090946A1 ＳｉＣ単結晶の製造装置及びＳｉＣ単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012090946A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：JP2012550941
申请日：2011-12-26
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：信宏岡田 , 信宏岡田 , 亀井　一人 , 一人亀井 , 楠　一彦 , 一彦楠 , 矢代　将斉 , 将斉矢代 , 晃治森口 , 晃治森口 , 寛典大黒 , 寛典大黒 , 鈴木　寛 , 鈴木　　寛 , 伴和石井 , 伴和石井 , 秀光坂元 , 秀光坂元 , 幹尚加渡 , 幹尚加渡 , 洋一郎河合 , 洋一郎河合
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
摘要： SiC種結晶近傍に炭素を供給しやすいSiC単結晶の製造装置を提供する。誘導加熱装置による坩堝側壁への電磁波の浸透深さをD1(mm)とし、SiC溶液への電磁波の浸透深さをD2(mm)とし、坩堝側壁の厚さをT(mm)とし、坩堝の内半径をR(mm)としたとき、制御装置は、誘導加熱装置に流れる交流電流の周波数fが式(1)を満たすように誘導加熱装置を制御する。(D1−T)×D2/R>1 (1)ここで、D1は式(2)で定義され、D2は式(3)で定義される。D1=503292×(1/(f×σc×μc))1/2(2)D2=503292×(1/(f×σs×μs))1/2(3)ここで、σcは側壁の導電率(S/m)であり、σsはSiC溶液の導電率(S/m)である。μcは側壁の比透磁率(無次元量)であり、μsは、SiC溶液の比透磁率(無次元量)である。

9. 发明专利

JPWO2014038166A1 単結晶の製造装置、それに用いられる坩堝及び単結晶の製造方法有权
标题翻译：单晶制造装置，所述坩埚的制造方法和单晶其中使用
公开(公告)号：JPWO2014038166A1
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2014534178
申请日：2013-08-30
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：亀井　一人 , 一人亀井 , 楠　一彦 , 一彦楠 , 矢代　将斉 , 将斉矢代 , 信宏岡田 , 信宏岡田 , 晃治森口 , 晃治森口 , 寛典大黒 , 寛典大黒 , 幹尚加渡 , 幹尚加渡 , 秀光坂元 , 秀光坂元
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/06
CPC分类号： C30B19/10 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/12 , C30B29/36
摘要：製造装置(10)は、溶液成長法による単結晶の製造に用いられる。製造装置(10)は、シードシャフト(28)と、坩堝(14)と、駆動源(26)とを備える。シードシャフトは、種結晶(32)が取り付けられる下端面(28S)を有する。坩堝(14)は、単結晶の原料になる溶液(15)を収容する。駆動源(26)は、坩堝(14)を回転させるとともに、坩堝(14)の回転数を変化させる。坩堝(14)の内周面は、横断形状が非円形である流動制御面(382)を含む。この単結晶の製造装置は、坩堝が収容する溶液を強く撹拌することができる。
摘要翻译：制造装置（10）用于通过溶液生长法生产单晶的。制造装置（10）包括一个籽晶轴（28），坩埚（14）和驱动源（26）。种子轴具有晶种（32）附连到（28S）的下端表面。坩埚（14）容纳包括单晶材料的溶液（15）。驱动源（26）旋转所述坩埚（14），以改变所述坩埚（14）的旋转速度。坩埚（14）的内周表面包括流控制表面交形状为非圆形（382）。单晶制造装置可强烈搅拌溶液坩埚容纳。

10. 发明专利

JPWO2014013698A1 ＳｉＣ単結晶の製造装置及びＳｉＣ単結晶の製造方法有权
标题翻译：装置和方法用于制造SiC单晶的SiC单晶
公开(公告)号：JPWO2014013698A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：JP2014525707
申请日：2013-07-10
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：信宏岡田 , 信宏岡田 , 亀井　一人 , 一人亀井 , 楠　一彦 , 一彦楠 , 矢代　将斉 , 将斉矢代 , 晃治森口 , 晃治森口 , 寛典大黒 , 寛典大黒 , 幹尚加渡 , 幹尚加渡 , 秀光坂元 , 秀光坂元
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/06
CPC分类号： C30B15/32 , C30B9/06 , C30B15/30 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要： SiC単結晶の製造装置(10)は、溶液成長法に用いられる。SiC単結晶の製造装置(10)は、シードシャフト(28)と、坩堝(14)とを備える。シードシャフト(28)は、SiC種結晶(32)が取り付けられる下端面(28S)を有する。坩堝(14)は、Si−C溶液(15)を収容する。シードシャフト(28)は、筒部(28A)と、底部(28B)と、低熱伝導性部材(28C)とを備える。底部(28B)は、筒部(28A)の下端に配置され、下端面(28S)を有する。低熱伝導性部材(28C)は、底部(28B)の上面に配置され、底部(28B)の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する。この製造装置により、SiC種結晶の結晶成長面内の温度をばらつき難くすることができる。
摘要翻译：制造装置的SiC单晶（10）在溶液中的生长方法中使用。制造装置的SiC单晶（10）包括一个籽晶轴（28），坩埚（14）。籽晶轴（28）具有SiC晶种（32）附连到（28S）的下端表面。坩埚（14）容纳在Si-C溶液（15）。籽晶轴（28）上设置有筒状部和（28A），一个底部和（28B），和一个低导热部件（28C）。底部（28B）设置在所述筒状部（28A）的下端，具有下端表面（28S）。低导热部件（28C）设置在所述底部部分（28B）的上表面上，具有比所述底部（28B）的热导率更低的热传导率。该制造装置可以由SiC晶种的晶体生长面的温度的困难的变化。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式