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1. 发明专利

JP2015119594A 半導体装置の駆動制御装置审中-公开
标题翻译：半导体器件的驱动控制器件
公开(公告)号：JP2015119594A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2013262829
申请日：2013-12-19
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：山本祐来 , 山脇秀夫 , 早稲倉真樹
IPC分类号： H02M1/08
CPC分类号： H03K17/133 , H03K17/0822 , H03K17/74 , H03K2017/307 , H03K2217/0027
摘要：【課題】本発明は、半導体装置の駆動制御装置に係り、メインダイオードが通電しているか否かの判定精度を向上させることにある。【解決手段】半導体装置の駆動制御装置は、ゲート端子に入力されるゲート信号によりスイッチング駆動されるトランジスタと、トランジスタに対して逆並列に接続されるメインダイオードと、カソード端子がメインダイオードのカソード端子に接続されたセンスダイオードと、反転入力端子がセンスダイオードのアノード端子に接続され、非反転入力端子がメインダイオードのアノード端子に接続され、かつ、出力端子がセンス抵抗を介してセンスダイオードのアノード端子に接続されたオペアンプと、オペアンプの出力端子に生ずる出力電圧を第1の閾値電圧と比較することで、メインダイオードが通電しているか否かを示す信号を出力する第1の比較器と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件的驱动控制装置，其能够提高主二极管是否通电的判定精度。解决方案：半导体器件的驱动控制装置包括：由输入到门终端; 与二极管反向并联连接的主二极管; 感测二极管，其阴极端子连接到主二极管的阴极端子; 运算放大器具有连接到感测二极管的阳极端子的反相输入端子，连接到主二极管的阳极端子的非反相输入端子以及经由检测电阻器连接到感测二极管的阳极端子的输出端子 ; 以及第一比较器，通过将运算放大器的输出端子上出现的输出电压与第一阈值电压进行比较，输出表示主二极管是否通电的信号。

2. 发明专利

JP2015220932A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015220932A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2014104673
申请日：2014-05-20
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：山本祐来 , 山脇秀夫 , 早稲倉真樹
IPC分类号： H03K17/56 , H03K17/00 , H02M1/08 , H02M1/00
摘要：【課題】トランジスタに流れる電流の検出感度と、トランジスタに逆並列に接続されるダイオードに流れる電流の検出感度とを独立に調整できること。【解決手段】センストランジスタのエミッタとセンスダイオードのアノードとが接続される第1のノードに接続される反転入力ノードと、メイントランジスタのエミッタとメインダイオードのアノードとが接続される第2のノードに接続される非反転入力ノードとを有するオペアンプと、前記オペアンプのハイ出力によりオンする第1のトランジスタと、前記オペアンプのロー出力によりオンする第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのオンにより前記第1のノードを正電源にプルアップする第1のセンス抵抗と、前記第2のトランジスタのオンにより前記第1のノードを負電源にプルダウンする第2のセンス抵抗とを備える、半導体装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：使得能够独立地调整通过晶体管的电流的检测灵敏度，并以反向并行的方式检测通过连接到晶体管的二极管的电流的灵敏度。解决方案：半导体器件包括：运算放大器，具有连接到感测晶体管和感测二极管的阳极的发射极连接到的第一节点的反相输入节点，以及连接到主晶体管和阳极的发射极的第二节点的非反相输入节点连接主二极管; 由运算放大器的高输出导通的第一晶体管; 由运算放大器的低输出导通的第二晶体管; 第一感测电阻，用于根据第一晶体管的导通将第一节点提升到正电源; 以及用于根据第二晶体管的导通将第一节点下拉到负电源的第二感测电阻。

3. 发明专利

JP2016158126A 遮断回路审中-公开
标题翻译：切断电路
公开(公告)号：JP2016158126A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2015034939
申请日：2015-02-25
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：山本祐来 , 早稲倉真樹
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/08
摘要：【課題】ピーク電流を抑制しつつ、オフサージを低減する。【解決手段】駆動トランジスタQ1において所定以上の電流が発生した際に遮断スイッチS1がオンし、駆動トランジスタQ1のゲートをグランドに接続する。遮断スイッチS1と、ゲートの間には、電流を制限する制限抵抗R1とキャパシタC1が配置されている。従って、遮断スイッチがオンされたときに、駆動トランジスタQ1のオン時においてゲートに蓄積される電荷がキャパシタC1に引き抜かれる。そして、このキャパシタC1の容量値を駆動トランジスタのオン状態が継続する容量値とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了在抑制峰值电流的同时减少浪涌电流。解决方案：在驱动晶体管Q1中产生预定电流或更大电流时，截止开关S1导通以连接驱动晶体管Q1的栅极到地面。用于限制电流的限制电阻器R1和电容器C1设置在截止开关S1和栅极之间。因此，当截止开关导通时，在驱动晶体管Q1导通时存储在栅极中的电荷被提取到电容器C1。电容器C1具有用于维持驱动晶体管的导通状态的电容值。选择图：图1

4. 发明专利

JP2019050695A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019050695A
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：JP2017174656
申请日：2017-09-12
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：山本祐来
IPC分类号： H02M7/48 , H02M1/00
摘要：【課題】半導体素子の過電流や短絡の誤検出を抑制することができる。【解決手段】センス素子の第2エミッタに接続される反転入力端子と、半導体素子の第1エミッタに接続される非反転入力端子と、出力端子と、を有するオペアンプと、一端が第2エミッタに接続される第1センス抵抗と、一端が第1センス抵抗の他端に接続され、他端が出力端子に接続される第2センス抵抗と、を備え、過電流検出部は、第1センス抵抗の他端に接続され、第1センス抵抗の他端の電圧の振幅が第1閾値以上であるときには、第1コレクタと第1エミッタとの間に過電流が流れていることを検出し、短絡検出部は、第2センス抵抗の他端に接続され、第2センス抵抗の他端の電圧の振幅が第1閾値より大きい第2閾値以上であるときには、第1コレクタと第1エミッタとが短絡していることを検出する。【選択図】図2

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