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1. 发明专利

JP2017130617A 半導体発光装置、照明装置、および、車両用照明装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017130617A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：JP2016010686
申请日：2016-01-22
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：原田光範 , 竹原優志
IPC分类号： H01L33/38 , F21S8/10 , F21V3/00 , F21V3/02 , F21V3/04 , B60Q1/14 , B60Q1/04 , F21W101/10 , F21Y115/10 , H01L33/22
CPC分类号： F21S48/115 , F21S41/141 , F21S41/143 , F21S45/48 , H01L25/0753 , H01L33/20 , B60Q1/085 , B60Q2300/112 , B60Q2300/122 , B60Q2300/42 , B60Q2300/45 , F21S41/255 , F21S45/47 , H01L33/50 , H01L33/62
摘要：【課題】長手方向を有する半導体発光装置であって、長手方向に輝度を滑らかに傾斜させることができる装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置は、基板と、基板上に列状に並べて配置された所定形状の複数の半導体発光層を有する。半導体発光層は、それぞれの発光面における発光量を、列の方向の所定の一端に近い側から他端に近い側に向かって傾斜させる構造を備える。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6208979B2 半導体発光素子アレイ有权
公开(公告)号：JP6208979B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2013105367
申请日：2013-05-17
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：斎藤竜舞 , 宮地護 , 竹原優志
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/08 , H01L33/38

3. 发明专利

JP6697275B2 半導体発光装置、照明装置、および、車両用照明装置有权
公开(公告)号：JP6697275B2
公开(公告)日：2020-05-20
申请号：JP2016010686
申请日：2016-01-22
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：原田光範 , 竹原優志
IPC分类号： H01L33/38 , F21V3/00 , F21V3/02 , B60Q1/14 , B60Q1/04 , H01L33/22

4. 发明专利

JP2018060939A 半導体発光装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018060939A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016198228
申请日：2016-10-06
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：竹原優志
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/54
摘要：【課題】光のクロストークが大幅に抑制され、照射像において素子間の明暗を明確に視認することが可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】搭載基板11と、搭載基板上に配置された複数の半導体発光素子20と、蛍光体粒子31を含むバインダ32からなり、複数の半導体発光素子を埋設するように形成された蛍光体30と、を有し、蛍光体は、隣接する半導体発光素子の素子間領域に形成され、バインダが変質した変質バインダ部40を有する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2019219549A 光偏向器审中-公开
公开(公告)号：JP2019219549A
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：JP2018117689
申请日：2018-06-21
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：櫻井誠 , 渡辺直 , 秋山慶太 , 竹原優志 , 小山孝明 , 浅利友隆
IPC分类号： G02B26/08 , B81B3/00 , G02B26/10
摘要：【課題】応力がかかる部分の配線の亀裂剥離の発生を抑制した光偏向器を提供する。【解決手段】光偏向器2は、領域Uに設けられて、第1圧電アクチュエータ10a,10bの変形量に応じた電圧を検出する圧電センサ30a,30bと、薄膜を積層した積層構造で構成され、圧電センサ30a,30bと接続された信号配線32a,32bを備えている。信号配線32a,32bの積層構造は、枠体8の一面側に形成されたSiO x 層22、その上面に形成されたSiN膜24、その上面に形成されたAlNd膜26、及びAlNd膜26を被覆する外層膜28を有し、領域Uの信号配線32a,32bは、外層膜28が枠体8(基板20)を被覆しないように形成されている。【選択図】図5B

6. 发明专利

JP5851866B2 半導体発光素子及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP5851866B2
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：JP2012021143
申请日：2012-02-02
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：梁吉鎬 , 竹原優志
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/44

7. 发明专利

JP2015177087A 半導体発光装置とその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015177087A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014053133
申请日：2014-03-17
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：斎藤竜舞 , 竹原優志
IPC分类号： H01L21/28 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/382 , H01L33/405
摘要：【課題】半導体積層にビア孔を形成し、ビア孔底面に形成するコンタクト電極の面積を制限する際に生じる問題を解決する。【解決手段】半導体発光装置は、第1導電型を有する第1半導体層、活性層、第2導電型を有する第2半導体層の積層を含む半導体積層と、第2半導体層上に形成された第2電極と、第2半導体層表面から、第2半導体層、活性層を貫通し、第1半導体層に入り、側面に半導体積層を露出し、底面に第1半導体層を露出する凹部と、凹部の底面に開口を有し、凹部側面を覆う絶縁膜と、開口に露出した前記第1半導体層を掘り下げて形成したコンタクト領域と、コンタクト領域の内面を覆い、コンタクト領域に近接する絶縁膜縁上に回り込む部分を有する、第1半導体層側コンタクト電極と、第1半導体層側コンタクト電極を覆い、絶縁膜上に延在する、第1半導体層側高反射率電極とを有する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了解决在半导体层叠层中形成通孔而发生的问题，并且形成在通孔的底面的接触电极的面积被限制。解决方案：半导体发光器件具有：包含具有第一导电类型的第一半导体层的层叠层，具有第二导电类型的有源层和第二导体层的半导体层叠层; 形成在所述第二半导体层上的第二电极; 通过第二半导体层和有源层从第二半导体层的表面穿透的凹部进入第一半导体层，使半导体层叠层在侧面露出，并使底面露出第一半导体层; 绝缘膜，其在所述凹部的底面具有开口部并覆盖所述凹部的侧面; 通过挖掘暴露于所述开口的所述第一半导体层形成的接触区域; 第一半导体层侧接触电极，其覆盖接触区域的内表面，并且具有潜在接触接触区域的绝缘膜边缘上的部分; 以及覆盖第一半导体层侧接触电极并延伸到绝缘膜上的第一半导体层侧高反射率电极。

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