专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6839553B2 光走査装置有权
公开(公告)号：JP6839553B2
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：JP2017019971
申请日：2017-02-06
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：秋山慶太
IPC分类号： G02B26/08 , B81B3/00 , H04N1/113 , B41J2/47 , G02B26/10

2. 发明专利

JP2020201308A 光偏向器及び製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020201308A
公开(公告)日：2020-12-17
申请号：JP2019106111
申请日：2019-06-06
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：秋山慶太
IPC分类号： G02B26/08 , B81B3/00 , B81C1/00 , G02B26/10
摘要：【課題】トーションバー12の結合部に設けられたR部の劈開を抑制することができる光偏向器を提供する。【解決手段】光偏向器10は、ミラー部11、1対のトーションバー12、内側圧電アクチュエータ13及び可動枠部14を備える。トーションバー12の軸方向を結晶方位をとしている。トーションバー12と内側圧電アクチュエータ13との結合縁部には、R部31ab,31bbが、に向けられて、かつ内側にへこむ湾曲面で形成されている。該湾曲面から導出される粗さ曲線についてのうねり量は、600nm以内にされる【選択図】図3

3. 发明专利

JP5727271B2 半導体発光素子有权
公开(公告)号：JP5727271B2
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：JP2011066006
申请日：2011-03-24
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：秋山慶太 , 風間拓也
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/22 , H01L33/14

4. 发明专利

JP6307253B2 光偏向器及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6307253B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2013241031
申请日：2013-11-21
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：秋山慶太
IPC分类号： G02B26/10 , B81B3/00 , B81C1/00 , G02B26/08

5. 发明专利

JP2019139046A 2次元光偏向器审中-公开
公开(公告)号：JP2019139046A
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：JP2018021668
申请日：2018-02-09
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：渡辺直 , 秋山慶太
IPC分类号： G02B26/08 , B81B3/00 , H01L41/09 , G02B26/10
摘要：【課題】アウタアクチュエータの動特性の悪化を抑制できかつインナフレームの破断を防止した2次元光偏向器を提供する。【解決手段】2次元光偏向器は、ミラー1と、インナフレーム2’と、2つの半リング状圧電アクチュエータ3a、3bとによって構成されている。ミラー1と半リング状圧電アクチュエータ3a、3bとはトーションバー4a、4bによって連結され、半リング状圧電アクチュエータ3a、3bとインナフレーム2’とはフィックス部5a、5bによって連結されている。アウタフレームとインナフレーム2’との間にミアンダ状圧電アクチュエータを連結する。インナフレーム2’にはチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)よりなる圧電層507を長さ方向に部分的に設ける。【選択図】図1

6. 发明专利

JP6190591B2 半導体発光素子有权
公开(公告)号：JP6190591B2
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：JP2013004353
申请日：2013-01-15
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：風間拓也 , 秋山慶太
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/30 , H01L33/38

7. 发明专利

JP2019219549A 光偏向器审中-公开
公开(公告)号：JP2019219549A
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：JP2018117689
申请日：2018-06-21
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：櫻井誠 , 渡辺直 , 秋山慶太 , 竹原優志 , 小山孝明 , 浅利友隆
IPC分类号： G02B26/08 , B81B3/00 , G02B26/10
摘要：【課題】応力がかかる部分の配線の亀裂剥離の発生を抑制した光偏向器を提供する。【解決手段】光偏向器2は、領域Uに設けられて、第1圧電アクチュエータ10a,10bの変形量に応じた電圧を検出する圧電センサ30a,30bと、薄膜を積層した積層構造で構成され、圧電センサ30a,30bと接続された信号配線32a,32bを備えている。信号配線32a,32bの積層構造は、枠体8の一面側に形成されたSiO x 層22、その上面に形成されたSiN膜24、その上面に形成されたAlNd膜26、及びAlNd膜26を被覆する外層膜28を有し、領域Uの信号配線32a,32bは、外層膜28が枠体8(基板20)を被覆しないように形成されている。【選択図】図5B

8. 发明专利

JP2018128514A 光走査装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018128514A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017019971
申请日：2017-02-06
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：秋山慶太
IPC分类号： G02B26/08 , B81B3/00 , H04N1/113 , G02B26/10
摘要：【課題】光走査装置において、ミラー部の回動角範囲を十分に確保しつつ、圧電アクチュエータの駆動電圧に対する軸線の周りのミラー部の回動角の線形性を改善する。【解決手段】制御装置27は、周期振動電圧Vpeとオフセットバイアス電圧Vbと線形性補正電圧Vliとを加算したユニポーラの駆動電圧Vinを生成する。Vli=−(Vks+Vku+Vkw)とする。ただし、Vks,Vku,Vkwは、Vpeをフーリエ級数で展開したフーリエ級数展開成分に対し、それぞれ周波数がそれぞれ2倍、3倍及び6倍の周波数成分電圧であり、Vpeの振幅に対する振幅比はそれぞれζ、η及びζ・ηに設定される。【選択図】図3

9. 发明专利

JP6198396B2 半導体発光素子有权
公开(公告)号：JP6198396B2
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：JP2013004352
申请日：2013-01-15
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：風間拓也 , 秋山慶太
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/30 , H01L33/38

10. 发明专利

JP2015102592A 光偏向器及びその製造方法有权
标题翻译：光学偏转器及其制造方法
公开(公告)号：JP2015102592A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：JP2013241031
申请日：2013-11-21
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：秋山慶太
IPC分类号： G02B26/10 , B81B3/00 , B81C1/00 , G02B26/08
摘要：【課題】製造を効率化しつつ、層間絶縁膜の剥がれを回避することができる光偏向器を提供する。【解決手段】光偏向器1は、アクチュエータ部とパッド部とを備える。アクチュエータ部は、Si層24の基板層上に1000nm以上の厚さで形成された表面SiO 2 層25の酸化膜層と、酸化膜層上に形成され、PZT層32を含むアクチュエータ層30とを備える。パッド部は、アクチュエータ層30のエッチング後の酸化膜層の上に形成されたTEOS膜36の層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に金属配線42の配線部の端部として形成された配線層と、配線層上に金属薄膜54のボンディングパッドとして形成されたパッド層とを備える。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种更有效地制造的光偏转器，同时防止层间绝缘膜的剥离。解决方案：光偏转器1包括致动器部分和焊盘部分。每个致动器部分包括：在包括Si层24的基底层上形成厚度为1000nm以上的表面SiO层25的氧化物膜层; 以及形成在氧化物膜层上并包括PZT层32的致动器层30.每个焊盘部分包括：在致动器层30被蚀刻之后，包括在氧化物膜层上形成的TEOS膜36的层间绝缘膜; 形成在作为包括金属布线42的布线部的端子部的层间绝缘膜上的布线层; 以及形成在布线层上作为包括金属薄膜54的接合焊盘的焊盘层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式