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1. 发明专利

JP2014222755A 蒸着およびエピタキシャルリフトオフプロセスのためのタイル状基板有权
标题翻译：用于沉积和外延提升过程的倾斜基板
公开(公告)号：JP2014222755A
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：JP2014110180
申请日：2014-05-28
申请人：アルタデバイセズ,インコーポレイテッドAlta Devices,Inc. , Alta Devices Inc , アルタデバイセズ,インコーポレイテッドAlta Devices,Inc.
发明人： HE GANG , ANDREAS G HEGEDUS
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L31/0735 , H01L31/18
CPC分类号： C30B25/18 , C30B29/42 , H01L21/02395 , H01L21/02425 , H01L21/02463 , H01L21/6835 , H01L31/03046 , H01L31/0735 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L2221/6835 , Y02E10/544
摘要：【課題】ELO(エピタキシャルリフトオフ)プロセスよりも効率的で時間消費が少なく費用のかからない方法を提供する。【解決手段】数多くのエピタキシャル成長基板120または面がタイル状に配列された共通の支持基板110上に、複数のELO膜またはスタックを同時かつ別個に成長させる。その後、ELO膜は、ELOプロセス中にエッチングステップによってエピタキシャル成長基板から取り除かれる。支持基板上に配置されたエピタキシャル成長基板を含むタイル状成長基板100は、ELO膜をさらに成長させるために再使用することができる。支持基板上に離して配置された2またはそれ以上のガリウムヒ素成長基板を含むタイル状成長基板が提供され、支持基板が、約5?10−6℃−1から約9?10−6℃−1までの範囲内の熱膨張係数を有する。【選択図】図1A
摘要翻译：要解决的问题：提供一种比ELO（外延剥离）工艺更有效，更耗时和更便宜的方法。解决方案：多个ELO膜或叠层同时并分别生长在共同的支撑基板110上其铺设有许多外延生长衬底120或表面。此后，在ELO工艺期间通过蚀刻步骤从外延生长衬底去除ELO膜。包含设置在支撑衬底上的外延生长衬底的平铺生长衬底100可以再利用以进一步生长ELO膜。提供了一种平铺生长衬底，其包括分别设置在支撑衬底上的两个或更多个砷化镓生长衬底，所述衬底的热膨胀系数在约5×10 -6至10 9 C的范围内。

2. 发明专利

JP2012069949A Mixed wiring schemes for shading robustness 审中-公开
标题翻译：混合式布线方案
公开(公告)号：JP2012069949A
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：JP2011207152
申请日：2011-09-22
申请人： Alta Devices Inc , アルタデバイセズ,インコーポレイテッドAlta Devices,Inc.
发明人： ANDREAS G HEGEDUS , ISIK C KIZILYALLI
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0504 , H01L31/02021 , Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar panel configured to minimize the influences by shade.SOLUTION: A method and apparatus for electrical interconnections utilized in devices adapted to capture solar energy, such as solar cells, solar panels and/or solar arrays is described. The solar panel 300 includes a first plurality of solar devices positioned in a center of the solar panel in electrical communication with a first circuit 310A, and a second plurality of solar devices surrounding the first plurality of solar devices. The second plurality of solar devices are in electrical communication with a second circuit 310B. The second circuit 310B is different from the first circuit 310A.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种太阳能电池板，其被配置为使阴影的影响最小化。解决方案：描述了适用于捕获太阳能的器件中的电互连的方法和装置，例如太阳能电池，太阳能电池板和/或太阳能电池阵列。太阳能面板300包括位于与第一电路310A电连通的太阳能面板的中心的第一多个太阳能装置和围绕第一多个太阳能装置的第二多个太阳能装置。第二多个太阳能装置与第二电路310B电连通。第二电路310B与第一电路310A不同。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2012099807A Optoelectronic device having heterojunction 有权
标题翻译：具有异常的光电器件
公开(公告)号：JP2012099807A
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：JP2011226928
申请日：2011-10-14
申请人： Alta Devices Inc , アルタデバイセズ,インコーポレイテッドAlta Devices,Inc.
发明人： HUI NIE , BRENDAN M KAYES , KIZILYALLI ISIK C
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0735 , H01L31/022441 , H01L31/1896 , Y02E10/52 , Y02E10/544
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gallium arsenide-based battery having an n-type laminate arranged on a p-type laminate so that the n-type laminate faces the front or the sun side and the p-type laminate lies on the rear surface of the battery.SOLUTION: An optoelectronic semiconductor device 90 has an absorbing layer 108 made of gallium arsenide (GaAs) and having only one kind of doping. An emitter layer 110 is arranged nearer to the rear surface of the device than the absorbing layer 108, and is made of a material different from that of the absorbing layer 108 and has a band gap larger than that of the absorbing layer 108. A heterojunction is formed between the emitter layer 110 and the absorbing layer 108 and a p-n junction is formed between the emitter layer 110 and the absorbing layer 108 at a position offset from the heterojunction at least partially within a range of the different material. In response to the fact that the device is exposed to the light on the front thereof, the p-n junction generates a voltage in the device.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种具有布置在p型层压体上的n型层压体的砷化镓基电池，使得n型层压体面向正面或太阳侧，并且p型层压体位于在电池的后表面。解决方案：光电半导体器件90具有由砷化镓（GaAs）制成并且仅具有一种掺杂的吸收层108。发射极层110布置成比吸收层108更靠近器件的后表面，并且由与吸收层108的材料不同的材料制成并且具有比吸收层108的带隙大的带隙。异质结形成在发射极层110和吸收层108之间，并且在至少部分地在不同材料的范围内的偏离异质结的位置处在发射极层110和吸收层108之间形成pn结。响应于设备暴露在其前面的光的事实，p-n结在器件中产生电压。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2012099806A Metal contact of photovoltaic device and low temperature manufacturing process thereof 审中-公开
标题翻译：光伏器件的金属接触及其低温制造工艺
公开(公告)号：JP2012099806A
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：JP2011226920
申请日：2011-10-14
申请人： Alta Devices Inc , アルタデバイセズ,インコーポレイテッドAlta Devices,Inc.
发明人： BRENDAN M KAYES , KIZILYALLI ISIK C , HUI NIE , MELISSA J ARCHER
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0735 , H01L31/1892 , Y02E10/544
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photovoltaic device having high performance when compared with a conventional solar cell, and to provide a method for manufacturing the photovoltaic device at a low cost.SOLUTION: The present invention relates to a photovoltaic device, to a metal contact arranged in a photovoltaic device such as a photocell, and to a manufacturing process for forming the metal contact. The metal contact contains a palladium germanium alloy formed at a low temperature during an annealing process. In some embodiments, the photocell is heated at a temperature of about 20 to about 275°C, e.g. at about 150°C, for about 30 minutes during the annealing process. In another embodiment, the photocell is heated at a temperature of about 150 to about 275°C for at least about 0.5 minutes during the annealing process.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种与传统太阳能电池相比具有高性能的光电器件，并提供一种以低成本制造光伏器件的方法。解决方案：本发明涉及光伏器件，布置在诸如光电池的光电器件中的金属接触器以及用于形成金属接触的制造工艺。金属接触体包含在退火过程中在低温下形成的钯锗合金。在一些实施方案中，光电池在约20至约275℃的温度下加热，例如，在退火过程中约150℃约30分钟。在另一个实施方案中，在退火过程中，光电池在约150至约275℃的温度下加热至少约0.5分钟。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2021531397A MOCVD流出物削減のための方法およびシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2021531397A
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：JP2019552625
申请日：2018-06-29
申请人：アルタデバイセズ,インコーポレイテッド , ALTA DEVICES,INC. , ドンタイハイ−テクエクイップメントテクノロジーカンパニーリミテッド
发明人：ヘガン , ワシントンロリ , ヤオリーチャン , ナンジャンフイ , チャンシンユン
IPC分类号： B01D8/00 , B01D53/64 , B01D53/78 , B01D53/81 , B01D53/14 , B01D45/12 , F23G7/06 , H01L21/205 , C23C16/44
摘要：本開示は、有機金属化学気相成長(MOCVD)流出物削減プロセスの様々な態様を説明する。一態様では、排気流から有害廃棄物を除去するためのシステムは、第1の圧力で動作し、排気流中の有害物質を固形廃棄物として除去するために凝縮する第1のコールドトラップと、第1のコールドトラップに接続され排気流の圧力を高めるポンプと、ポンプに接続され第1のコールドトラップの後に排気流中に残っている有害物質を分解する高温分解器と、高温分解器に接続され、第1の圧力よりも高い第2の圧力で動作し、排気流中に残っている分解された有害物質を固形廃棄物として除去するために凝縮する第2のコールドトラップと、第2のコールドトラップに接続され、第2のコールドトラップの後に排気流中に残っている有害物質を吸収するスクラバと、を備える。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2020535626A III/V族材料の高成長速度の堆積审中-公开
公开(公告)号：JP2020535626A
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：JP2019541292
申请日：2018-09-07
申请人：アルタデバイセズ,インコーポレイテッド , ALTA DEVICES,INC.
发明人：ワシントンロリディー. , ブールデイヴィッドピー. , ヒガシグレッグ , ヘガン
IPC分类号： H01L21/20 , C23C16/30 , H01L21/205
摘要：本開示の態様は一般に、約30μm/時以上、例えば約40、約50、約55、約60、約70、約80μm/時、および約90〜120μm/時の堆積速度などの高速度でのIII/V族材料のエピタキシャル成長のためのプロセスに関する。III/V族材料または膜は、ソーラー、半導体、またはその他の電子デバイスの用途で利用されうる。III/V族材料は、気相成長法プロセス中に支持基板の上または上方に配置された犠牲層上に形成または成長させられうる。その後、III/V族材料は、エピタキシャルリフトオフプロセス中に支持基板から除去されうる。III/V族材料は、ヒ化ガリウム、ヒ化ガリウムアルミニウム、ヒ化ガリウムインジウム、ヒ化窒化ガリウムインジウム、リン化ガリウムアルミニウムインジウム、これらのリン化物、これらの窒化物、これらの誘導体、これらの合金、またはこれらの組み合わせを含むエピタキシャル成長層の薄膜である。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2012521097A Deposition reactor lid assembly 审中-公开
公开(公告)号：JP2012521097A
公开(公告)日：2012-09-10
申请号：JP2012500907
申请日：2010-03-16
申请人：アルタデバイセズ,インコーポレイテッドAlta Devices,Inc.
发明人：ソラブジ，クルシード , ハマムジィ，ロジャー , ヒー，ゲング , ヒガシ，グレッグ , ヘジェダス，アンドレアス
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4557 , C23C16/4583 , C23C16/54
摘要： Embodiments of the invention generally relate to apparatuses for chemical vapor deposition (CVD) processes. In one embodiment, a showerhead assembly is provided which includes a body having a centralized channel extending through upper and lower portions of the body and extending parallel to a central axis of the body. The showerhead assembly contains an optional diffusion plate having a first plurality of holes and disposed within the centralized channel, an upper tube plate having a second plurality of holes and disposed within the centralized channel below the diffusion plate, a lower tube plate having a third plurality of holes and disposed within the centralized channel below the upper tube plate, and a plurality of tubes extending from the upper tube plate to the lower tube plate. Each tube is coupled to and in fluid communication with individual holes of the upper and lower tube plates.

8. 发明专利

JP6714005B2 ソーラーパネルを有するモバイル機器用の充電ステーション有权
公开(公告)号：JP6714005B2
公开(公告)日：2020-06-24
申请号：JP2017538627
申请日：2016-01-22
申请人：アルタデバイセズ,インコーポレイテッド , ALTA DEVICES,INC.
发明人：ヘガン , ケイズブレンダン , フランスクリストファー
IPC分类号： H02J50/80 , H02J7/35 , H02J50/30

9. 发明专利

JP2018528613A ソーラーモジュールのソーラーセル相互接続用ビア構造审中-公开
公开(公告)号：JP2018528613A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2018512282
申请日：2016-09-16
申请人：アルタデバイセズ,インコーポレイテッド , ALTA DEVICES,INC.
发明人：ヤンリンリン , ヘガン , パターソンダン , ゴッドゥポール , ランリーグアン , ヒガシグレッグ
IPC分类号： H01L31/05
CPC分类号： H01L31/0508 , H01L31/0445 , H01L31/05 , H01L31/0504 , Y02E10/50
摘要：導電性材料を含むための主要ビア、および主要ビアからの導電性材料のオーバーフローを捕獲するためのオーバーフロー捕獲領域を有する基体における複合ビア構造を有する、光起電力(PV)電池を提供するシステムおよび方法。主要ビアの導電性充填物は、光起電力(PV)電池と別の光起電力(PV)電池との間の電気的接触として役立ってよい。オーバーフロー捕獲領域は、基体後面上に形成される1つ以上の凹部を含む。導電性材料が主要ビアからあふれ出るときに、1つ以上の凹部は、複合ビア構造の境界の範囲内でオーバーフローを捕獲することができて、制限することができる。凹部は、主要ビアのすぐ近くのまたはそれを覆う長方形のまたは円形の溝でもよい。凹部は、基体後面を粗くすることによって形成されるくぼみでもよい。【選択図】図1

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