专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6353204B2 太陽電池モジュール、及び、太陽電池モジュールの製造方法有权
公开(公告)号：JP6353204B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2013168225
申请日：2013-08-13
申请人：東レエンジニアリング株式会社
发明人：山下雅充 , 丹羽主 , 獅野和幸
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/048
CPC分类号： H01L31/0504 , H01L31/02008 , H01L31/0445 , H01L31/048 , Y02E10/50

2. 发明专利

JP2017522452A 化学浴析出システム及び方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017522452A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：JP2016573618
申请日：2015-06-08
申请人：ヌボサン,インコーポレイテッド
发明人：プレストン・クローバー , ブルース・ディー・ハットマン , ガーン・グラント・ペン , アーサー・シー・ウォール
IPC分类号： C23C18/02 , B05D1/38 , B05D7/00 , B05D7/24 , C23C18/12 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号： C23C18/02 , C23C18/1208 , C23C18/1291 , H01L31/022466 , H01L31/03928 , H01L31/0445 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L31/1836 , H01L31/1864 , Y02E10/541
摘要：低減されたレベルの微粒子を有する層をウェブ上に形成するための方法及びシステムが開示される。この層は、反応して層を形成する化学試薬の流体混合物(複数可)または溶液から形成される。本システムは、ウェブの第1の表面が1つ以上の処理ステップを受ける間、チャンバ内でウェブを運搬するように構成された、提供された搬送デバイスと、第1の流体送達装置及び第2の流体送達装置と、第1の流体除去装置と、を含む。第1の流体除去装置は、第1の送達装置と第2の送達装置との間に配設された空間内に位置付けられる。【選択図】なし

3. 发明专利

JP2017507496A バックコンタクト型Ｓｉ薄膜太陽電池审中-公开
公开(公告)号：JP2017507496A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2016555492
申请日：2015-03-04
申请人：ヘルムホルツ−ツェントルムベルリンフュアマテリアリエンウントエナギーゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングHelmholtz−Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH , ヘルムホルツ−ツェントルムベルリンフュアマテリアリエンウントエナギーゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングHelmholtz−Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH
发明人：アムクロイツダニエル , アムクロイツダニエル , ハシュケヤン , ハシュケヤン , レヒベアント , レヒベアント
IPC分类号： H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0288 , H01L31/03529 , H01L31/03682 , H01L31/0445 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/1868 , H01L31/1872 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要：逆型のp型及びn型ドーピングの半導体原料からの結晶質Si吸収体層及び結晶質Si吸収体層上に配置されるエミッタ層を少なくとも有するバックコンタクト型Si薄膜太陽電池において、ガラス基板上に、50nm〜1μmの範囲にある層厚を有する障壁層が形成されており、障壁層上に、40nm〜250nmの層厚を有し、光学特性を改善する少なくとも1つの層が配置されており、この層上に、0.5nm〜20nmのシリコン及び/又は酸素を含有する薄い層が配置されており、ここで結晶質Si吸収体層は液相結晶化工程によって製造可能であり、かつn伝導型であり、厚さ全体にわたって、2・1015cm−3〜5・1018cm−3の均質なドーピングで200nm〜40μmの層厚を有し、並びに三次元的な広がりにおいて少なくとも吸収体層の厚さと同じ大きさである単結晶Si粒子を有し、かつ、液相結晶化の間に、シリコン及び/又は酸素を含有する層とSi吸収体層の間にSiO2パッシベーション層が形成されている。

4. 发明专利

JPWO2014136921A1 化合物半導体薄膜の製造方法及び製造装置审中-公开
标题翻译：化合物半导体薄膜制造方法和设备
公开(公告)号：JPWO2014136921A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015504407
申请日：2014-03-07
申请人：国立大学法人大阪大学 , 株式会社カネカ
发明人：利彦外山 , 利彦外山 , 崇文小西 , 崇文小西 , 辻　良太郎 , 良太郎辻
IPC分类号： H01L21/20 , H01L31/072 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C14/0623 , C23C14/541 , C23C14/5806 , C30B23/002 , C30B29/46 , H01L21/02557 , H01L21/02568 , H01L31/0326 , H01L31/0445 , H01L31/18
摘要：本発明は、I−III−VI族及びI−II−IV−VI族化合物半導体薄膜を製造する場合に、効率的に結晶成長を促して粒径の大きな化合物半導体結晶を形成させ、かつ化合物半導体中に含まれる各元素の含有量をコントロールすることができる化合物半導体薄膜の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。I−III−VI族又はI−II−IV−VI族化合物半導体薄膜が表面に形成された基板6を基板温度T1が100〜700℃となるように加熱し、前記基板温度T1よりも高い温度T2に加熱した非酸化性ガスをチャンバ1内に流通させ、前記基板6の表面に形成されている前記化合物半導体の薄膜を熱処理する。
摘要翻译：本发明中，在生产基I-III-VI和中的III-IV-VI族化合物半导体薄膜，有效地鼓励晶体生长以形成更大的化合物半导体晶粒大小，以及化合物半导体并提供一种用于制造化合物半导体薄膜，可以控制包含在各元素的含量的方法和装置。组I-III-VI或III-IV-VI族化合物在其上表面上形成有薄膜的半导体基板6的基板温度T1被加热，使100〜700℃，比基板温度T1高的温度下加热至T2的非氧化性气体在腔室1中循环，进行热处理形成在衬底6的表面上的化合物半导体的薄膜。

5. 发明专利

JP6078920B2 薄膜形成方法、及びそれを用いて作製した半導体基板ならびに電子デバイス有权
标题翻译：薄膜的形成方法，和半导体衬底和通过使用相同的制造的电子设备
公开(公告)号：JP6078920B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2013177888
申请日：2013-08-29
申请人：国立大学法人広島大学
发明人：東清一郎 , 酒池耕平 , 小林義崇 , 中村将吾 , 赤澤宗樹
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/78603 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L27/1222 , H01L27/1266 , H01L29/66772 , H01L29/78618 , H01L29/78654 , H01L31/03529 , H01L31/0445 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , Y02E10/547 , Y10T428/24331

6. 发明专利

JP2016537811A 可撓性ソーラーセルをロール・ツー・ロールモジュールアセンブリプロセスに送達するための方法审中-公开
标题翻译：一种用于在卷对卷模块组装过程提供了灵活的太阳能电池的方法
公开(公告)号：JP2016537811A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2016529981
申请日：2014-11-11
申请人：ヌボサン,インコーポレイテッド
发明人：スー−ティン・ツァイ , トーマス・エム・ヴァレリー
IPC分类号： H01L31/05
CPC分类号： H02S30/20 , H01L31/03926 , H01L31/044 , H01L31/0443 , H01L31/0445 , H01L31/0508 , H01L31/188 , Y02E10/50
摘要：光起電セルのロールを形成及びパッケージ化するための方法及びシステムを提供する。光起電セルのストリングは、ストリング内の光起電セルが、ストリングの前縁から延在するように、漸増的に形成され、ストリングを漸増的に形成することが、連続的な光起電セルを逐次的に接続することを含み、連続的な光起電セルを逐次的に接続することが、各連続的な光起電セルを、前縁から最も遠い、それぞれの以前に接続された光起電セルに接続することを含む。バイパスダイオードは、ストリングが形成されている際に、ストリングの連続的な部分に電気的に接続される。ストリングは、ストリングが形成されている際に、ストリングの前縁を巻き取りローラ周囲で回転させることによって、そこへ接続されたバイパスダイオードとともにロール状に巻き付けられる。ストリングが第2の既定の数の光起電セルに到達することに応答して、ロールは完成し、パッケージ化される。【選択図】図4
摘要翻译：为了提供用于形成和包装所述光伏纤维素的方法和系统。串光伏电池，光伏电池串中，以便从所述串的前缘延伸，以增量形成，以逐渐形成一个字符串，一个连续的光生伏打它包括：连接单元顺序地，以最远之前从边缘，连接到每个前一顺序地连接一个连续的光伏电池中，每个连续的光伏电池，它包括连接到光伏电池。旁路二极管，形成在字符串时，被电连接到该串的连续部分。串，当字符串由在围绕串的前缘卷取辊旋转形成与与其连接的旁路二极管卷绕成卷在一起。串响应于达到光伏电池的第二预定数量，辊结束时，被打包。点域4

7. 发明专利

JP2016511940A 薄膜太陽電池パネル及びその製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜太阳能电池面板及其制造方法
公开(公告)号：JP2016511940A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2015557326
申请日：2014-05-04
申请人：上海碩拉投資管理パートナーシップ(リミテッドパートナーシップ)Shanghai Solar Investment Management Partnerships (Limited Partnerships) , 上海碩拉投資管理パートナーシップ(リミテッドパートナーシップ)Shanghai Solar Investment Management Partnerships (Limited Partnerships)
发明人：立友楊 , 立友楊 , 浩汪 , 浩汪
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0445 , H01L31/075
CPC分类号： H01L31/0468 , B60J7/043 , H01L31/03921 , H01L31/03926 , H01L31/0445 , H01L31/0463 , H01L31/1876 , Y02B10/10 , Y02E10/50
摘要：本発明は薄膜太陽電池パネル及びその製造方法を開示する。前記薄膜太陽電池パネルは、基板、前記基板上に位置する第1電極、前記第1電極上に位置する光電変換層、前記光電変換層上に位置する第2電極及び前記第2電極に設けられるゲート電極を備え、前記基板は超薄ガラス基板であり、前記超薄ガラス基板の厚さが0.1〜1mmであり、前記超薄ガラス基板は湾曲性を有して、最小の曲率半径が10cm以下にでき、前記第1電極は連続的に前記基板に形成される。本発明は薄膜太陽電池パネルの光透過性を向上させ、容易に湾曲した太陽電池モジュールの作製に用いることができる。また、本発明は湾曲可能な薄膜太陽電池パネルの製造プロセスを改良し、追加のコストの増加を回避し、装置と製造プロセス方法は様々な湾曲可能な薄膜太陽電池パネルに対する一般的適用性を大幅に増加する。【選択図】図5
摘要翻译：本发明公开了一种薄膜太阳能电池面板及其制造方法。的薄膜太阳能电池面板设置在所述基板上，位于所述基板上的第一电极，设置在第一电极，第二电极和位于所述第二电极上的光电转换层，所述光电转换层的栅电极，其中所述衬底是一种超薄玻璃基板，所述超薄玻璃基板的厚度为0.1至1毫米，超薄玻璃衬底具有弯曲的性质，最小曲率半径小于10cm 可以转动，所述第一电极被连续地形成于基板。本发明改善的薄膜太阳能电池板的光透射率可以被用于制造容易弯曲太阳能电池组件。此外，本发明提高了可弯曲的薄膜太阳能电池面板的制造过程中，为了避免在额外的成本，装置和制造过程的方法显著普遍的适用性的各种可弯曲的薄膜太阳能电池面板的增加它增加。点域5

8. 发明专利

JP2016500931A 一体アイル型太陽光発電セル及びモジュールのためのシステム及び方法审中-公开
标题翻译：系统和方法，用于集成过道光伏电池和模块
公开(公告)号：JP2016500931A
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：JP2015540876
申请日：2013-11-05
申请人：ソレクセル、インコーポレイテッド
发明人：メールダッドエムモスレヒ , メールダッドエムモスレヒ
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0443 , H01L31/048 , H02S20/26
CPC分类号： H01L31/022458 , H01L31/02 , H01L31/0201 , H01L31/022433 , H01L31/02245 , H01L31/0443 , H01L31/0445 , H01L31/0504 , H01L31/0516 , H01L31/1896 , Y02B10/10 , Y02E10/50
摘要：開示する主題の一態様により、一体アイル型ソーラーセルを提供する。ソーラーセルは、受光前面と、受光前面と反対側にあって電気絶縁バックプレーンに取り付けられた裏面とを有する半導体層を含む。トレンチ隔離パターンが、電気絶縁バックプレーン上で半導体層を電気絶縁されたアイルに仕切る。ベース及びエミッタ電極を有する第1金属層が、半導体層裏面上に位置決めされる。セル相互接続を与えてビアプラグによって第1金属層に接続されたパターン付き第2金属層が、バックプレーン上に位置決めされる。【選択図】図2
摘要翻译：根据所公开的主题的一个方面是提供一种集成的过道型太阳能电池。太阳能电池包括：具有光接收正面和附连到电绝缘底板的背面是在相对于光接收表面的半导体层。沟槽隔离图案，有电绝缘底板到所述电绝缘过道分隔半导体层。具有基部和发射极电极的第一金属层位于所述背表面上的半导体层上。具有连接的捐赠单元互连于第一金属层通过通孔插塞图案化第二金属层位于所述底板上。 .The

9. 发明专利

JP2014523132A Semiconductor solar cells, which is a built-in solar concentrating light and cold welded junctions using an epitaxial lift-off 有权
公开(公告)号：JP2014523132A
公开(公告)日：2014-09-08
申请号：JP2014519072
申请日：2012-07-06
申请人：ザリージェンツオブザユニヴァシティオブミシガン
发明人：フォレスト，ステファン，アール． , レンショー，クリストファー，カイル , スルートスカイ，マイケル
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/02327 , H01L31/03046 , H01L31/0392 , H01L31/03926 , H01L31/0445 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , H01L31/1896 , Y02E10/544
摘要：この公開は、超高効率単一および多接合薄膜フィルム太陽電池を対象としている。本公開はまた、複合パラボラ形状金属薄膜集光装置に仕上げられたプラスチックまたは金属薄膜と接合するような、接着剤なしで、信頼性があり、および軽量の基板への冷間圧接接合に用いられる基板にダメージのないエピタキシャルリフトオフ（「ＥＬＯ」）プロセスを対象としている。低コスト太陽電池の製造および組み込まれた集光器に仕上げられた薄膜基板上の太陽強度集中薄型フィルム太陽電池の超高効率を組み合わせることで、本明細書に記載されるように、モジュール自身のコストのさらなる低下だけでなく、基礎構造中の顕著なコストの減少の両方を達成する。

10. 发明专利

JP2014127712A Method for manufacturing compound thin film solar cell 有权
标题翻译：制造薄膜太阳能电池的方法
公开(公告)号：JP2014127712A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：JP2012286187
申请日：2012-12-27
申请人： Showa Shell Sekiyu Kk , 昭和シェル石油株式会社
发明人： ASANO AKIHIKO
IPC分类号： H01L31/06 , C23C28/00
CPC分类号： H01L31/03923 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , H01L31/0326 , H01L31/03928 , H01L31/0445 , H01L31/06 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a compound thin film solar cell capable of efficiently forming a corrosion prevention layer on a metal substrate.SOLUTION: A method for manufacturing a compound thin film solar cell comprises the steps of: preparing a metal substrate containing iron as a main component, aluminum (Al), and chrome (Cr) and forming an insulating layer on an element formation surface of the metal substrate by burning an insulation material; forming a first electrode layer on the insulating layer; forming a compound light absorption layer on the first electrode layer; and forming a second electrode layer on the compound light absorption layer. In the insulating forming step, an alumina layer is formed by thermal oxidation on at least a rear surface of the metal substrate when the insulation material is being burnt.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在金属基材上有效形成防腐蚀层的化合物薄膜太阳能电池的制造方法。解决方案：一种制造化合物薄膜太阳能电池的方法包括以下步骤：制备金属含有铁作为主要成分的基材，铝（Al）和铬（Cr），通过燃烧绝缘材料在金属基材的元件形成表面上形成绝缘层; 在所述绝缘层上形成第一电极层; 在所述第一电极层上形成复合光吸收层; 以及在所述复合光吸收层上形成第二电极层。在绝缘形成工序中，当绝缘材料被烧时，在金属基板的至少后表面上通过热氧化形成氧化铝层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式