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81. 发明专利

JP2018026440A 集積量子カスケードレーザ、半導体光装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018026440A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2016156912
申请日：2016-08-09
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：辻幸洋
IPC分类号： H01S5/125 , H01S5/022 , H01S5/343 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/3402 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/0224 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/0425 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/3401 , H01S5/34313 , H01S5/4031
摘要：【課題】フリップチップ実装のための量子カスケードレーザに分布ブラッグ反射器を適用できる構造の集積量子カスケードレーザを提供する。【解決手段】集積量子カスケードレーザは、第1領域から第3領域を含むレーザ構造体と、第3領域上に設けられパッド電極のための第1金属層及び第2金属層と、第1領域上に設けられた第3金属層及び第4金属層と、第1金属層から第4金属層上にそれぞれ設けられた第1バンプ金属から第4バンプ金属を備える。第1領域は、第1半導体メサ及び第2半導体メサを含み、第1半導体メサ及び第2半導体メサの各々は量子カスケードコア層を含み、第2領域は、分布反射のための一又は複数の半導体壁を含み、第1金属層及び第2金属層は、それぞれ第1半導体メサ及び第2半導体メサに電気的に接続され、第3金属層及び第4金属層は、第1金属層及び第2金属層から分離される。【選択図】図1

82. 发明专利

JP6265895B2 光素子モジュール有权
公开(公告)号：JP6265895B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2014521493
申请日：2013-06-19
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：松山哲也 , 有賀麻衣子 , 菅谷俊雄 , 木村俊雄
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： H01S5/02415 , H01S5/0064 , H01S5/02208 , H01S5/0222 , H01S5/02248 , H01S5/02268 , H01S5/02284 , H01S5/02438 , H01S5/02446 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/0683 , H01S5/0687 , H01S5/12

83. 发明专利

JP2018006619A 光素子及び光生成装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018006619A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016133315
申请日：2016-07-05
申请人：富士通株式会社
发明人：松本武 , 秋山傑 , 松田学
IPC分类号： H01S5/14 , H01S5/022 , H01S5/026
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/068 , H01S5/06821 , H01S5/1032 , H01S5/142
摘要：【課題】光を生成する機能及び光を増幅する機能を有する光素子を提供する。【解決手段】光素子は、第1端部10aから第2端部10bに向かって延びており、第1活性層11aを有する第1光導波路11と、第2活性層12aを有し、第1光導波路11と並んで配置され、第1端部10aから第2端部10bに向かって延びる第2光導波路12と、第1光導波路11における第1端部10a側の端面に配置される反射膜14と、第2光導波路12における第1端部10a側の端面に配置される反射防止膜13と、を備え、反射防止膜13は、第1端部10aにおいて第2光導波路12側から第1光導波路11まで延びており、反射膜14は、反射防止膜13を構成要素の一つとして含む。【選択図】図2

84. 发明专利

JP6253082B2 波長可変レーザの制御方法有权
公开(公告)号：JP6253082B2
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：JP2013124888
申请日：2013-06-13
申请人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社
发明人：田中　宏和 , 宏和田中 , 雅央柴田 , 雅央柴田 , 浩充河村 , 浩充河村 , 充宜宮田 , 充宜宮田
IPC分类号： H01S5/0687
CPC分类号： H01S5/0617 , B82Y20/00 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0612 , H01S5/06256 , H01S5/06258 , H01S5/0683 , H01S5/0687 , H01S5/1209 , H01S5/1212 , H01S5/141 , H01S5/34306 , H01S5/4025

85. 发明专利

JP2017157583A 光送信モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2017157583A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016036722
申请日：2016-02-29
申请人：日本オクラロ株式会社
发明人：中村厚 , 安原望 , 山内俊也 , 山口頼儀 , 常深義博
IPC分类号： H01S5/227 , H01S5/34 , H01S5/12 , H01S5/50 , G02F1/025 , H01S5/026
CPC分类号： H01S5/06832 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/06817 , H01S5/1064 , H01S5/227 , H01S2301/02 , H01S5/02276 , H01S5/0287 , H01S5/06226 , H01S5/101 , H01S5/12 , H01S5/50
摘要：【課題】ノイズをより低減した光送信モジュールを提供する。【解決手段】光送信モジュールは、第1電極が設けられた第1半導体層と、前記第1半導体層の上に、ストライプ状に形成された活性層と、前記活性層の上にストライプ状に形成され、第2電極が設けられ、前記活性層の延伸方向に沿って設けられた回折格子を含む第2半導体層と、を有し、前記活性層は、一方の端面から第1のストライプ幅で延伸する第1部分と、前記一方の端面の反対側から前記第1のストライプ幅よりも小さい第2のストライプ幅で延伸する第2部分と、ストライプ幅が変化して前記第1部分と前記第2部分を接続する接続部分と、を含み、前記回折格子は、平面視において、前記第1部分と重畳し、前記第2部分と重畳しない。【選択図】図1

87. 发明专利

JP2017009626A 光信号生成装置审中-公开
标题翻译：光信号发生器
公开(公告)号：JP2017009626A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015121413
申请日：2015-06-16
申请人：日本オクラロ株式会社
发明人：中村厚 , 山内俊也 , 笹田紀子 , 福井孝昌 , 安原望
IPC分类号： G02F1/025 , G02F1/017
CPC分类号： G02F1/01708 , G02F1/0121 , H01S5/0265 , G02F2001/0157 , H01S5/02248 , H01S5/02276 , H01S5/12
摘要：【課題】電界吸収型光変調器を用いた光強度変調における変調帯域及び消光比それぞれに対する目標特性の好適な両立を簡単な回路構成で実現する。【解決手段】変調器集積型半導体レーザ素子2は光信号路に直列に配置され印加電圧に応じて光を吸収する複数のEA変調器を有する。EA変調器へ印加電圧を供給する変調器ドライバ56は複数のEA変調器ごとに設けられる。複数の変調器ドライバ56は制御信号に応じて複数のEA変調器に対し共通の印加電圧を生成する。複数のEA変調器の変調器長は光源寄りのEA変調器ほど短く設定される。【選択図】図3
摘要翻译：甲实现既适合用于使用所述电吸收光调制器通过简单的电路结构的光强度调制的每个调制带宽和消光比的目标特性。调制器集成型半导体激光元件2具有多个EA调制器的响应于所施加的电压被设置在串联在光信号路径吸收光。 EA调制器提供被提供用于所述多个EA调制器的施加到调制器驱动器56的电压。多个调制器驱动器56产生的响应于一控制信号施加到多个EA调制器的公共电压。所述多个EA调制器的调制器的长度被设定为EA调制器的光源侧短。点域

88. 发明专利

JP2017003729A 光信号生成装置有权
标题翻译：光信号发生器
公开(公告)号：JP2017003729A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015116486
申请日：2015-06-09
申请人：日本オクラロ株式会社
发明人：中村厚 , 山内俊也 , 山口頼儀 , 笹田紀子 , 安原望 , 福井孝昌 , 入江裕紀
IPC分类号： G02F1/017
CPC分类号： H04B10/54 , H01S5/0265 , H04Q11/0003 , H01S5/02248 , H01S5/0425 , H01S5/12
摘要：【課題】電界吸収型光変調器を用いて精度の高い多値光強度変調を行う。【解決手段】光源からの光信号の経路に直列に接続された複数のEA変調器6を備え、当該EA変調器6が光源からの入力光信号の強度を変調信号に基づき変調して多値符号化された被変調光信号を生成する。各EA変調器6は、変調信号に応じて光吸収のオン状態とオフ状態とを切り替えられる。各EA変調器6におけるオフ状態に対するオン状態の消光比に関し、複数のEA変調器6は互いに異なる値を有し、光源側から消光比が大きくなる順に並ぶ。【選択図】図1
摘要翻译：进行与使用A电吸收调制器高精度多级光强度调制。包括多个串联连接的光信号的路径从光源EA调制6的，多层次的EA调制器6调制的基础上输入的光信号的从光源到调制信号的强度产生已编码已调制的光信号。每个EA调制器6根据调制信号切换到ON状态和光吸收的关断状态。涉及ON状态中的每个EA调制器6 OFF状态的消光比，多个EA调制器6具有不同的值，配置在从所述光源侧的消光比的顺序增大。点域1

89. 发明专利

JP2016213488A I/V半導体の製造方法审中-公开
标题翻译： I / V族半导体的制造方法
公开(公告)号：JP2016213488A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2016141302
申请日：2016-07-19
申请人：フィリップスウニベルジテートマールブルグ
发明人：クーネルト,ベルナルデテ , コッホ,イェルグ , ラインハルド,ステファン , フォルツ,シャスティン , シュトルツ,ヴォルフガング
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183 , H01L33/32
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/323 , H01S5/021 , H01S5/0261 , H01S5/0265 , H01S5/32366 , H01S5/32375
摘要：【課題】Si技術あるいはGaP技術の基板上にIII/V半導体をベースとする光学活性素子を形成するための手段を提供する。【解決手段】ドープされたSiあるいはドープされたGaPをベースとするキャリア層およびそこに配設されたIII/V半導体を備え、かつ組成Ga x In y N a As b P c Sb d を有する、モノリシック集積回路構造であって、ここで、x=70−100モル−%、y=0−30モル−%、a=0.5−15モル−%、b=67.5−99.5モル−%、c=0−32.0モル−%およびd=0−15モル−%、xとyの合計は、常に100モル−%であり、a、b、cおよびdの合計は、常に100モル−%であり、そして、一方のxとyの合計と他方のaないしdの合計の比率は、実質的に1:1であり、SiあるいはGaP技術をベースとする集積回路にモノリシックに集積化されている。【選択図】図1
摘要翻译：是提供一种制备基于Si技术或间隙技术第III / V族半导体衬底的光学活性的元素的装置。将A掺杂的Si或掺杂的GaP包含载体层和布置有基于III / V族半导体，且具有组成GaxInyNaAsbPcSbd，单片集成电路结构，其特征 X = 70-100摩尔 - ％，Y = 0〜30摩尔 - ％，A = 0.5-15摩尔 - ％，b = 67.5-99.5摩尔 - ％，C = 0-32.0摩尔 - ％且d = 0-15 摩尔 - ％，x和y的总和总是100摩尔 - 一个％中，a，b，c和d之和始终为100摩尔 - 一个％和之和与其它的x和y中的一个的 a至d的比率的总和基本上1：1，单片集成到基于Si或间隙技术的集成电路。点域1

90. 发明专利

JP2016154203A 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体激光元件和半导体激光元件制造方法
公开(公告)号：JP2016154203A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：JP2015088507
申请日：2015-04-23
申请人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社
发明人：石浦正巳
IPC分类号： G02B5/18 , H01L21/3065 , H01S5/12
CPC分类号： H01S5/2275 , H01S5/1206 , H01S5/0202 , H01S5/0265 , H01S5/1014 , H01S5/1203 , H01S5/1231 , H01S5/2222 , H01S5/305 , H01S5/34306
摘要：【課題】回折格子に起因するエピタキシャル成長におけるエピ層の欠陥が活性領域に入り込む現象を抑えることができる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】n型InPクラッド層3の内部には、第1回折格子14及び第2回折格子15が形成されている。第2回折格子15は、第1回折格子14の光導波方向における両端に連続して形成されており、第2回折格子15の端のうち第1回折格子14と連続する側の端とは反対側の端は、劈開面(出射面)13に達している。第2回折格子が第1回折格子の両端に形成されているので、第1回折格子14の両端におけるエピタキシャル成長におけるエピ層の欠陥発生を抑えることができ、欠陥が活性層4内における活性領域に入り込むという現象を抑えることができる。その結果、レーザ発振効率への影響を抑えることできる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体激光元件和半导体激光元件制造方法，其可以抑制由衍射光栅引起的外延生长中的外延层的缺陷到达有源区域的现象。解决方案：半导体激光元件包括形成在n型InP包层3内的第一衍射光栅14和第二衍射光栅15.第二衍射光栅15以连续的方式在光波导方向上由第一衍射光栅14的两端形成。第二衍射光栅15的与连续到第一衍射光栅14的端部相反的一侧的端部分别到达解理面（发射面）13。由于第二衍射光栅形成在第一衍射光栅的两端，所以能够抑制第一衍射光栅14两端的外延生长中的外延层的缺陷的产生，因此，缺陷达到活性的现象可以抑制有源层4中的区域。因此，对激光效率的影响可以减弱。选择图：图2

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