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81. 发明专利

JP2015520909A 順列メモリセル有权
标题翻译：排列存储单元
公开(公告)号：JP2015520909A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：JP2015511609
申请日：2013-05-07
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人：イー．シルス，スコット , イー．シルス，スコット
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C5/02 , G11C5/06 , G11C7/18 , G11C8/00 , G11C8/14 , G11C11/00 , G11C11/50 , G11C11/56 , G11C11/5614 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0009 , G11C13/0023 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C19/00 , G11C2213/52
摘要：様々な実施形態が、少なくとも2つの抵抗変化メモリ(RCM)セルを有する装置を含む。1つの実施形態では、装置は、RCMセルの各々に連結された少なくとも2つの電気接点を含む。メモリセル材料が、RCMセルの各々に連結された電気接点の各々の対間に配置される。メモリセル材料は、少なくとも2つのRCMセルの各々に電気的に連結された少なくとも2つの電気接点のうちの選択されたものの間の導電経路を交差連結するように配設されたメモリセル材料の少なくとも1部分を持つ電気接点間に導電経路を形成することが可能である。さらなる装置および方法が説明される。【選択図】図6
摘要翻译：各种实施例包括具有至少两个电阻变化型存储器（RCM）的细胞的装置。在一个实施例中，一种装置包括耦合到每个RCM单元的至少两个电触点。存储器单元材料设置在每对连接到每个RCM电池的电触点之间。存储器单元的材料是至少设置在存储单元的材料，以便交叉耦合的至少两个电触点中的选定电连接到每个所述至少两个RCM细胞之间的导电路径所以能够形成具有第一部分中的电触点之间的导电路径。附加的装置和方法被描述。点域6

82. 发明专利

JP2015520432A スケーラブルドライバを含む装置及び方法有权
标题翻译：设备和方法，包括一个可伸缩的驱动器
公开(公告)号：JP2015520432A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2015503274
申请日：2013-03-13
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人：リン，フェン
IPC分类号： G06F12/06 , G06F12/00 , G11C5/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H03K19/0175
CPC分类号： H03K3/012 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L25/0657 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/0002 , H03K19/018507 , H03K19/018585 , H01L2924/00
摘要：単一ビアに対応する複数のドライバを含む装置及び方法が述べられる。幾つかのドライバは、単一のビアを通して信号をドライブするよう個々に又は共に動作するよう選択され得る。更なる装置及び方法が述べられる。【選択図】図3
摘要翻译：设备和方法，包括多个对应于单个经由驱动器进行说明。一些驱动器可以被选择为单独或一起操作通过经由单一的驱动信号。额外的设备和方法被描述。点域

83. 发明专利

JP2015519750A フィラメント形成が限局された抵抗型メモリ有权
标题翻译：电阻式存储器细丝形成被定位
公开(公告)号：JP2015519750A
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：JP2015511617
申请日：2013-05-07
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人：ピー．マーシュ，ユージン , ピー．マーシュ，ユージン , リゥ，ジュン
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/085 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/14 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L45/1683
摘要：本明細書においてフィラメント形成が限局された抵抗型メモリを説明する。1つ以上の方法の実施形態は、シリコン材料、および、前記シリコン材料上に酸化物材料を有する積層体に、開口部を形成する工程と、前記開口部内に、前記シリコン材料に隣接させて酸化物材料を形成する工程を含み、前記開口部内に形成された前記酸化物材料は、抵抗型メモリセル内でのフィラメント形成を、前記開口部内に形成された前記酸化物材料に囲まれた領域に限局する。【選択図】図1E
摘要翻译：细丝形成在此处被描述限于一个电阻式存储器。的一个或多个方法，有机硅材料，和具有在硅材料的氧化物材料的层叠体，和形成开口实施例中，在开口，邻近于硅氧化物材料包括形成物体材料的步骤，所说的开口，在所述电阻式存储器单元中的细丝形成，形成于所述开口由所述氧化物材料包围的区域形成在部分材料氧化物本地化。点域1E

84. 发明专利

JP2015519618A フォトニックデバイスを断熱する方法および装置有权
标题翻译：方法和装置，以隔离光子器件
公开(公告)号：JP2015519618A
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：JP2015517394
申请日：2013-06-12
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人：イー．ミード，ロイ , イー．ミード，ロイ , エス．サンデュ，ガーテ , エス．サンデュ，ガーテ
IPC分类号： G02F1/01 , H01S5/022 , H01S5/026
CPC分类号： H01L33/64 , G02B6/12 , G02B6/12004 , G02B6/12007 , G02B2006/121 , G02B2006/12135 , G02F1/0147 , G02F1/3132 , G02F1/3133 , G02F2203/15 , H01L2933/0075
摘要：本明細書で説明する実施形態は、フォトニックデバイスのための断熱領域を含む、フォトニックデバイスを有するフォトニック集積回路およびシステムを含む。係る回路およびシステムを製造するための方法についても説明する。【選択図】図3A
摘要翻译：本文所描述的实施例包括用于光子器件，包括光子集成电路，并用光子器件系统的绝热区域。还描述了用于根据一个电路和系统的制造方法。点域3A

85. 发明专利

JP2015518232A メモリセルのセンシング有权
标题翻译：存储器单元的感测
公开(公告)号：JP2015518232A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2015515258
申请日：2013-05-31
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人：ゴールドマン，マシュー , カラヴァド，プラナフ , チャンドラセカール，ウダイ , エー．ヘルム，マーク , エー．ヘルム，マーク
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/28 , G06F12/0875 , G06F2212/452 , G11C16/04 , G11C16/26 , G11C16/3427
摘要：本開示は、メモリセルのセンシングに関する。1つまたは2つ以上の方法は、第1のデータ線に接続される第1のメモリセルのデータ状態を判定するステップと、第3のデータ線に接続される第3のメモリセルのデータ状態を判定するステップと、第1および第3のメモリセルのうちの少なくとも1つの判定されたデータを、第2のメモリセルが接続される第2のデータ線に対応するデータ線制御ユニットへ転送するステップであって、第2のデータ線が、第1のデータ線および第3のデータ線に隣接する、転送するステップと、第2のメモリセルのデータ状態を、転送された判定されたデータに少なくとも部分的に基づいて判定するステップとを含む。【選択図】図2
摘要翻译：本发明涉及存储器单元的感测。一种或多种方法，确定连接到所述第一数据线，连接到所述第三数据线的第三存储器单元的数据状态的第一存储器单元的数据状态确定哪些传输至少所述第一和第三存储单元的所确定的数据，对应于该第二数据线的第二存储器单元中的数据线控制单元被连接的步骤，所述第二数据线，邻近于所述第一数据线和所述第三数据线，以及将所述第二存储单元的数据状态时，传送确定数据已经被和在部，根据至少。 .The

86. 发明专利

JP2015510213A 物理ページ、論理ページ、およびコードワードの対応有权
标题翻译：物理页，逻辑页，而对应于码字
公开(公告)号：JP2015510213A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2015500482
申请日：2013-03-08
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人：エー．マニング，トロイ , エー．マニング，トロイ , ディー．ラーセン，トロイ , ディー．ラーセン，トロイ , エル．カリー，マーティン , エル．カリー，マーティン
IPC分类号： G06F12/16
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F3/061 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F3/0689 , G06F8/44 , G06F11/108 , G06F2211/104 , G11C29/52
摘要：本開示は、物理ページ、論理ページ、およびコードワードの対応のための装置および方法に関する。いくつかの方法は、いくつかの論理ページのデータをいくつかのコードワードとしてエラーコーディングすることと、いくつかのコードワードをいくつかの物理ページのメモリに書き込むことと、を含む。データの論理ページの個数はメモリの物理ページの個数と異なり得る。【選択図】図2
摘要翻译：本发明中，一个物理页，逻辑页面和设备以及与相应的代码字的方法。一些方法包括为多个逻辑页为多个码字中的误差编码数据，并且在一些物理页中，所述存储器写入一些码字。数据的逻辑页的数量可以是从存储器物理页的数目不同。 .The

87. 发明专利

JP2015509228A ステートマシンにおける検出方法とシステム有权
标题翻译：在状态机检测的方法和系统
公开(公告)号：JP2015509228A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2014547289
申请日：2012-12-05
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人：アール．ブラウン，デイビッド , アール．ブラウン，デイビッド , ビー．ノイズ，ハロルド , ビー．ノイズ，ハロルド
IPC分类号： G06F9/38
CPC分类号： G06F9/444 , G06F8/45 , G06K9/00986
摘要：複数のメモリセル(80)を備えるデータ分析素子(171、173)を備えたデバイスが提供される。メモリセル(80)は、データストリームの少なくとも一部分を分析し、分析結果を出力する。かかるデバイスは、検出セル(86)も備える。検出セル(86)は、ANDゲート(170)を備える。ANDゲート(170)は、第一入力(82)として分析結果を受信する。かかる検出セル(86)は、ANDゲート(170)の第二入力と結合した出力(164)を備えるDフリップフロップ(160)も備える。【選択図】図11
摘要翻译：设置有包括多个存储单元（80）数据分析元件（171，173）的装置。存储器单元（80）分析至少该数据流的一部分，并输出分析结果。这样的装置，检测单元（86）还包括。检测单元（86）包括一与门（170）。与门（170）接收到的分析结果作为第一输入（82）。放置链接到其它输出（164）第二输入门WO这样的检测单元（86）的叶子，与门（170）包括D触发器（160），配备丧。 .The 11

88. 发明专利

JP2015509216A 液晶を使用した、光ファイバのチップへのアクティブアライメント有权
标题翻译：使用液晶，光纤芯片的主动对准
公开(公告)号：JP2015509216A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2014555565
申请日：2013-01-17
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人：イー．ミード，ロイ , イー．ミード，ロイ , エス．サンデュ，ガーテ , エス．サンデュ，ガーテ
IPC分类号： G02F1/29 , G02B6/12 , G02B6/126 , G02B6/30 , G02F1/13
CPC分类号： G02B6/30 , G02B5/3016 , G02B6/12004 , G02B6/124 , G02B6/2706 , G02B6/34 , G02B6/4221 , G02F1/1393 , G02F1/292 , G02F2001/133638 , G02F2203/24
摘要： 1つまたはそれより多い液晶層を使用することにより、光ファイバからチップ上に集積された光導波路に光線をアクティブにステアするために、光学アライメントを行う装置およびシステムである。オンチップフィードバック機構は、システムの挿入損失を最小限にするために、ファイバと格子型導波路との間で光線をステアすることが可能である。【選択図】図3A
摘要翻译：使用一个或多个液晶层的中，为了操纵光束到光纤激活的芯片，设备和用于执行光学对准的系统上的集成光波导。片上的反馈机制，以便最小化系统的插入损耗，所以能够操纵纤维与光栅波导之间的光束。点域3A

89. 发明专利

JP2015053354A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015053354A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2013184726
申请日：2013-09-06
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , Micron Technology Inc , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人： MUNETAKA YUKI , OGAWA KAZUO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L21/823487 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66666
摘要：【課題】活性領域を分離するための素子分離領域を不要としてレイアウト面積を低減させる。【解決手段】素子分離領域2に囲まれ第1方向(X方向)に延在する活性領域1aと、活性領域1aを第1方向に第1下部拡散層9Aおよび第2下部拡散層9Bに分断するシリコンピラー(SP)5と、SPの第1側面S1を覆う第1ゲート電極11aAと、第1側面S1を構成する第1チャネル領域と、SPの第2側面S2を覆う第2ゲート電極11aBと、第2側面S2を構成する第2チャネル領域と、SPの上面に配置される導体層16とを備え、第1下部拡散層9A、第1ゲート電極11aA、第1チャネル領域および導体層16は第1トランジスタ(Tr)50Aを構成し、第2下部拡散層9B、第2ゲート電極11aB、第2チャネル領域および導体層16は第2Tr50Bを構成し、第1Tr50Aと第2Tr50Bとは、導体層16を介して直列に接続される半導体装置。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：通过消除对用于隔离有源区域的元件隔离区域的需要来减小布局面积。解决方案：半导体器件包括：有源区域1a，其被元件隔离区域2包围并且在第一方向（X方向）; 将有源区域1a沿第一方向分割成第一下扩散层9A和第二下扩散层9B的硅柱（SP）5; 覆盖SP的第一侧面S1的第一栅电极11aA; 构成第一侧面S1的第一通道区域; 覆盖SP的第二侧面S2的第二栅电极11aB; 构成第二侧面S2的第二沟道区域; 以及布置在SP的顶面上的导体层16。第一下扩散层9A，第一栅电极11aA，第一沟道区和导体层16构成第一晶体管（Tr）50A。第二下扩散层9B，第二栅电极11aB，第二沟道区和导体层16构成第二Tr 50B。第一Tr 50A和第二Tr 50B通过导体层16串联连接。

90. 发明专利

JP2015050291A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015050291A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013180434
申请日：2013-08-30
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , Micron Technology Inc , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人： SUGA AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
摘要：【課題】ゲート電極の仕事関数を自由に設定し、トランジスタの閾値電圧Vtを調整できるようにする。【解決手段】半導体装置は、半導体基板1の表層に設けられたゲート電極溝14と、前記ゲート電極溝に設けられたゲート絶縁膜5と、前記ゲート絶縁膜上に設けられ、バリア膜と仕事関数調整膜とが交互に積層された積層バリア膜4と、前記積層バリア膜上に設けられたゲート電極層6と、をゲート電極に備える。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：使得能够自由地设置栅电极的功函数以调整晶体管的阈值电压Vt。解决方案：半导体器件包括栅极电极，其包括：栅电极沟槽14，设置在栅电极沟槽14的表面层上半导体衬底1; 设置在栅极电极槽上的栅极绝缘膜5; 设置在栅极绝缘膜上并且其中阻挡膜和功函数调整膜交替层叠的叠层阻挡膜4; 以及设置在层叠阻挡膜上的栅电极层6。

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