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61. 发明专利

JP2016181677A 基板処理方法および基板処理装置有权
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：JP2016181677A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：JP2015246629
申请日：2015-12-17
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：秋月佑介
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027
CPC分类号： B05C11/1039 , B05C11/08 , B05C11/1042 , B05D7/24 , C09K13/08 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/027 , H01L21/31133 , H01L21/67
摘要：【課題】高ドーズのイオン注入により表面に硬化層が形成されたレジストで覆われている基板の表面から、レジストを良好に除去する。【解決手段】基板処理装置1は、スピンチャック5と、スピンチャック5に保持されている基板WにSPMを供給するSPM供給ユニット6を含む。SPM供給ユニット6は、過酸化水素水とフッ酸とを混合し、混合液を生成する混合手段30と、混合液を硫酸とを混合し、HF混合SPMを生成するSPMノズル14とを備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：通过高剂量离子注入，从表面上形成有硬质层的抗蚀剂的基板的表面平滑地消除抗蚀剂。解决方案：基板处理装置1包括：旋转卡盘5; 以及向由旋转卡盘5保持的基板W供给硫酸/过氧化氢混合物（SPM）的SPM供给单元6.SPM供给单元6包括：混合装置30，其将过氧化氢溶液与氢氟酸混合，生成混合物; 以及将混合物与硫酸混合以产生HF混合物SPM的SPM喷嘴14.选择的图示：图2

62. 发明专利

JP5989313B2 ダイボンダ及びボンディング方法有权
标题翻译：晶粒键合机和接合方法
公开(公告)号：JP5989313B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2011202273
申请日：2011-09-15
申请人：ファスフォードテクノロジ株式会社
发明人：牧浩 , 望月政幸 , 谷由貴夫 , 望月威人
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01L24/75 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/64 , H01L21/67 , H01L21/67144 , H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/682 , H01L24/00 , H01L24/01 , H01L24/02 , H01L24/10 , H01L2224/0401

63. 发明专利

JP2015115560A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015115560A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2013258705
申请日：2013-12-13
申请人：株式会社東芝
发明人：後藤善秋 , 井本孝志 , 渡部武志 , 高野勇佑 , 赤田裕亮 , 唐金祐次 , 岡山良徳 , 柳田明彦
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/00
CPC分类号： H01L21/67333 , H01L21/67 , H01L21/673 , H01L23/552 , H01L24/97 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/181
摘要：【課題】導電性シールド層の形成性を高めると共に、形成コストを低減することを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態の製造方法においては、被処理物として配線基板上に搭載された半導体チップと封止樹脂層とを備える複数の半導体パッケージ20と、複数の被処理物収納部22を備えるトレー21とを用意する。被処理物収納部22内には、底面を有する非貫通孔を備えるくぼみ部30が形成されている。複数の被処理物収納部22内に半導体パッケージ20をそれぞれ配置する。トレー21に収納された半導体パッケージ20に金属材料をスパッタして導電性シールド層を形成する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以增加导电屏蔽层的形成性能并降低成本成本的半导体器件制造方法。解决方案：实施例的制造方法包括以下步骤：制备多个半导体封装20，每个半导体封装20包括半导体芯片和封装树脂层，它们作为加工对象安装在布线板上，并制备具有多个处理对象存储部分22的托盘21.在每个加工对象存储部分22中，具有非贯通孔的凹部30具有底面形成。该制造方法还包括以下步骤：将半导体封装20分别布置在多个处理对象存储部22中; 并将金属材料溅射在布置在托盘21中的半导体封装20上，以形成导电屏蔽层。

64. 发明专利

JP5636849B2 移載システム有权
标题翻译：传输系统
公开(公告)号：JP5636849B2
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：JP2010221953
申请日：2010-09-30
申请人：村田機械株式会社
发明人：椿　達雄 , 達雄椿 , 佑輔藤原 , 佑輔藤原
IPC分类号： B65G1/04 , B65G49/07 , B66C13/22 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67 , H01L21/67259 , H01L21/6773 , H01L21/67733 , H01L21/67736 , H01L21/68707

65. 发明专利

JP2014199917A 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体有权
标题翻译：基板液体处理方法，基板液体处理装置和储存介质
公开(公告)号：JP2014199917A
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：JP2014008085
申请日：2014-01-20
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： ORII TAKEHIKO , SHINDO NAOKI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67
摘要：【課題】処理液の供給量を低減しつつ、基板の表面全体を処理液で覆うこと。【解決手段】基板液処理方法は、基板(W)を水平姿勢で鉛直軸線周りに回転させながら、基板の表面の中心部に第1ノズル(30)から処理液を供給して、基板の直径よりも小さい直径の処理液の液膜を基板の表面に形成する工程と、第1ノズルにより基板の表面に形成された処理液の液膜の周縁部に、第1ノズルから供給されている処理液と同じ処理液を第2ノズル(33)から供給する工程と、その後、基板の表面への第2ノズルからの前記処理液の供給位置を基板の周縁部に向けて移動させ、これによって処理液の液膜を基板の周縁部に向けて広げてゆく工程と、を備えている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在减少处理液体的供给量的同时，用工艺液体覆盖基板的整个表面。溶液：基板液体处理方法包括以下步骤：通过第一喷嘴（30）供给处理液体，到基板（W）的表面的中心，同时沿垂直轴线水平姿势旋转基板，并且在基板的表面上形成处理液体的液膜，该液膜的直径小于底物; 将通过第一喷嘴供给的处理液体的处理液体通过第二喷嘴（33）供给到已经通过第一喷嘴（33）形成在基板的表面上的处理液体的液膜的周边部分喷嘴; 然后将通过第二喷嘴供给的处理液体的供给位置朝向基板的周边部分移动到基板的表面，从而将处理液体的液膜朝向基板的周边部分扩大。

67. 发明专利

JP5518513B2 FOUP openers and its method of operation 有权
公开(公告)号：JP5518513B2
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：JP2010023522
申请日：2010-02-04
申请人：平田機工株式会社
发明人：哲慶豊田 , 博史中村
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673

68. 发明专利

JPWO2012056915A1 静電チャック有权
公开(公告)号：JPWO2012056915A1
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：JP2012540772
申请日：2011-10-11
申请人：日本碍子株式会社
发明人：賢一郎相川 , 賢一郎相川 , 守道渡邊 , 守道渡邊 , 明日美神藤 , 明日美神藤 , 勝田　祐司 , 祐司勝田 , 佐藤　洋介 , 洋介佐藤 , 佳範磯田 , 佳範磯田
IPC分类号： C04B35/58 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H02N13/00
CPC分类号： H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
摘要：静電チャック1Aは、半導体を吸着する吸着面11aを有するサセプター11Aと、このサセプター内に埋設されている静電チャック電極4とを備える。サセプター11Aが、板状本体部3と、吸着面11aに面する表面耐食層2とを備えている。表面耐食層2が、マグネシウム、アルミニウム、酸素及び窒素を主成分とするセラミックス材料からなり、このセラミックス材料が、CuKα線を用いたときのXRDピークが少なくとも2θ=47〜50°に現れるマグネシウム−アルミニウム酸窒化物相を主相とする。

69. 发明专利

JP2013153063A Liquid processing apparatus 有权
标题翻译：液体加工设备
公开(公告)号：JP2013153063A
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：JP2012013136
申请日：2012-01-25
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： YOSHIHARA KOSUKE , YOSHIDA YUICHI , OKADA SOICHIRO
IPC分类号： H01L21/027 , B05C11/08 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67 , G03F7/162 , H01L21/02107 , H01L21/67017 , H01L21/6715
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress an amount of a foreign object brought onto a substrate from a process liquid when the substrate is processed with the process liquid.SOLUTION: In order to easily spread a resist liquid on a wafer W on a spin chuck 20, a solvent of PGMEA, etc. is applied onto the wafer W in advance. Before the application, the solvent supplied from a solvent supply source 42 is stored in a distillation tank 51 temporarily and the solvent is heated in a heating part 53 to be vaporized. The vaporized solvent is cooled in a cooler 60 thereby conducting purification through distillation and removing particles in the solvent. The purified solvent is stored in a storage tank 71 temporarily and is supplied from a solvent supply path 74 to a solvent nozzle 40 above the spin chuck 20. Then, the solvent is discharged from the solvent nozzle 40 to the wafer W and is applied onto the wafer W. Further, the distillation tank 51 is periodically cleaned thereby suppressing the rise of the particle concentration of the solvent.
摘要翻译：要解决的问题：当用工艺液体处理基板时，抑制从处理液体引入到基板上的异物量。解决方案：为了将抗蚀剂液体容易地在旋转卡盘20上的晶片W上展开，预先将PGMEA等的溶剂施加到晶片W上。在施用之前，将从溶剂供应源42供应的溶剂临时储存在蒸馏箱51中，并将溶剂在加热部分53中加热以蒸发。蒸发的溶剂在冷却器60中冷却，从而通过蒸馏进行纯化并除去溶剂中的颗粒。将纯化的溶剂临时储存在储存罐71中，并从溶剂供给路径74供给到旋转卡盘20的上方的溶剂喷嘴40.然后，将溶剂从溶剂喷嘴40排出到晶片W，并涂布在晶片W.此外，周期性地清洗蒸馏罐51，从而抑制溶剂的颗粒浓度的上升。

70. 发明专利

JP2013128043A Semiconductor cleaner and semiconductor cleaning method 有权
标题翻译：半导体清洗器和半导体清洗方法
公开(公告)号：JP2013128043A
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：JP2011276952
申请日：2011-12-19
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： OKADA AKIRA , NOGUCHI TAKAYA , AKIYAMA HAJIME
IPC分类号： H01L21/673 , B65D85/86 , H01L21/304 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/02076 , B08B5/04 , B08B6/00 , H01L21/02041 , H01L21/02046 , H01L21/67 , H01L21/67028 , H01L21/673 , H01L21/67333
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor cleaner and a semiconductor cleaning method which eliminate foreign objects adhering to a side surface of a semiconductor device and prevent the eliminated foreign objects from adhering again thereto.SOLUTION: A semiconductor cleaner eliminates foreign objects 2 from a semiconductor device 1 and comprises: an external electrode 11 which is disposed so as to face a side surface 1a of the semiconductor device 1; a base 12 provided so that the semiconductor device 1 may be installed and having openings 12a, each of which is provided below the side surface 1a of the semiconductor device 1 at a position between the side surface 1a of the semiconductor device 1 and the external electrode 11 in a state that the semiconductor device 1 is installed; an insulative frame part 13 disposed on the base 12 so as to contact with the external electrode 11 and face the side surface 1a of the semiconductor device 1; and air suction means that is connected with the openings 12a of the base 12 and may suction the foreign objects from the openings 12a.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体清洁器和半导体清洁方法，其消除附着在半导体器件的侧表面上的异物并且防止被除去的异物再次粘附。解决方案：半导体清洁器从半导体器件1中除去异物2，并且包括：外部电极11，其设置成面对半导体器件1的侧表面1a; 设置为半导体器件1可以安装并且具有开口12a的基座12，开口12a设置在半导体器件1的侧表面1a和半导体器件1的侧表面1a之间的位置处的半导体器件1的侧表面1a的下方在安装半导体器件1的状态下，绝缘框架部分13，设置在基座12上以与外部电极11接触并面向半导体器件1的侧面1a; 以及与基座12的开口12a连接的吸气装置，并且可以从开口12a抽吸异物。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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