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1. 发明专利

JPWO2013054806A1 セラミックス部材、半導体製造装置用部材及びセラミックス部材の製造方法有权
标题翻译：制造陶瓷构件，构件，用于半导体制造装置和陶瓷构件的方法
公开(公告)号：JPWO2013054806A1
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2013538550
申请日：2012-10-10
申请人：日本碍子株式会社
发明人：守道渡邊 , 守道渡邊 , 明日美神藤 , 明日美神藤 , 勝田　祐司 , 祐司勝田 , 佐藤　洋介 , 洋介佐藤 , 佳範磯田 , 佳範磯田 , 渡辺　篤 , 篤渡辺
IPC分类号： C04B35/053 , C04B35/58 , C04B41/87 , C04B41/88 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6831 , C04B35/053 , C04B35/58 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , H01L21/6833
摘要：本発明のセラミックス部材30は、酸化マグネシウムにAl、N成分が固溶したMg(Al)O(N)を主相とするセラミックス基体32と、セラミックス基体32の一部に配置され窒化物、炭化物、炭窒化物及び金属のいずれか1以上を電極成分として含む電極34とを備えている。このセラミックス基体32は、CuKα線を用いたときの記Mg(Al)O(N)の(111)面、又は(200)面、又は(220)面のXRDピークがそれぞれ酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2&thetas;=36.9〜39?、42.9〜44.8?、62.3〜65.2?に現れるものとしてもよい。
摘要翻译：本发明的陶瓷构件30中，A1到氧化镁，与（Al）的O（N）作为主相固溶体的陶瓷基体32 N成分的Mg，设置在陶瓷基体32，碳化物的一部分氮化物和包含根据任何一个或多个碳氮化物，金属的电极成分的电极34。陶瓷基体32中，串行的Mg时使用CuKα线（Al）的O（N）（111）面或（200）面或（220）立方各自氧化镁平面的XRD峰它是氮化铝2θ驱动的立方峰之间; ?? = 36.9〜39 42.9〜44.8，可以是出现在62.3至65.2？

2. 发明专利

JP4683554B2 Method for producing a porous titania shaped body 有权
公开(公告)号：JP4683554B2
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：JP2005515801
申请日：2004-11-18
申请人：日本碍子株式会社
发明人：和樹中西 , 洋介佐藤 , 茂半澤 , 一之平尾 , 晃司藤田
IPC分类号： C04B38/00 , C01B13/32 , C04B35/46 , C04B35/622 , C04B35/624
CPC分类号： C04B38/0045 , B01J20/0211 , B01J20/0244 , B01J20/06 , B01J20/08 , B01J20/103 , B01J20/28085 , C04B35/46 , C04B35/624 , C04B35/62655 , C04B35/63 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B35/453 , C04B35/48 , C04B38/0054

3. 发明专利

JP5680644B2 セラミックス材料、半導体製造装置用部材、スパッタリングターゲット部材及びセラミックス材料の製造方法有权
标题翻译：陶瓷材料，该构件用于半导体制造装置，溅射靶构件和所述陶瓷材料的制造方法
公开(公告)号：JP5680644B2
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：JP2012524038
申请日：2011-10-11
申请人：日本碍子株式会社
发明人：守道渡邊 , 守道渡邊 , 明日美神藤 , 明日美神藤 , 勝田　祐司 , 祐司勝田 , 佐藤　洋介 , 洋介佐藤 , 佳範磯田 , 佳範磯田
IPC分类号： C04B35/04 , C04B35/58 , C23C14/34
CPC分类号： H01L21/6833 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/5445 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C23C14/3414

5. 发明专利

JP5525388B2 Ceramic material and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5525388B2
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：JP2010194666
申请日：2010-08-31
申请人：日本碍子株式会社
发明人：嘉彦山村 , 達哉服部 , 俊広吉田 , 昭彦本多 , 洋介佐藤
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/00 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01M10/00 , H01M12/08
CPC分类号： C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C04B35/486 , C04B2235/3203 , C04B2235/3217 , C04B2235/322 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/764 , C04B2235/77 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M2300/0071 , Y02E60/122 , Y02P70/54

6. 发明专利

JPWO2012056915A1 静電チャック有权
公开(公告)号：JPWO2012056915A1
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：JP2012540772
申请日：2011-10-11
申请人：日本碍子株式会社
发明人：賢一郎相川 , 賢一郎相川 , 守道渡邊 , 守道渡邊 , 明日美神藤 , 明日美神藤 , 勝田　祐司 , 祐司勝田 , 佐藤　洋介 , 洋介佐藤 , 佳範磯田 , 佳範磯田
IPC分类号： C04B35/58 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H02N13/00
CPC分类号： H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
摘要：静電チャック1Aは、半導体を吸着する吸着面11aを有するサセプター11Aと、このサセプター内に埋設されている静電チャック電極4とを備える。サセプター11Aが、板状本体部3と、吸着面11aに面する表面耐食層2とを備えている。表面耐食層2が、マグネシウム、アルミニウム、酸素及び窒素を主成分とするセラミックス材料からなり、このセラミックス材料が、CuKα線を用いたときのXRDピークが少なくとも2θ=47〜50°に現れるマグネシウム−アルミニウム酸窒化物相を主相とする。

7. 发明专利

JPWO2012056876A1 セラミックス材料、半導体製造装置用部材、スパッタリングターゲット部材及びセラミックス材料の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012056876A1
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：JP2012524038
申请日：2011-10-11
申请人：日本碍子株式会社
发明人：守道渡邊 , 守道渡邊 , 明日美神藤 , 明日美神藤 , 勝田　祐司 , 祐司勝田 , 佐藤　洋介 , 洋介佐藤 , 佳範磯田 , 佳範磯田
IPC分类号： C04B35/04 , C04B35/443 , C04B35/58 , C23C14/34
CPC分类号： H01L21/6833 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/5445 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C23C14/3414
摘要：本発明のセラミックス材料は、マグネシウム、アルミニウム、酸素及び窒素を主成分とするセラミックス材料であって、酸化マグネシウムに窒化アルミニウムが固溶したMgO−AlN固溶体の結晶相を主相とするものである。MgO−AlN固溶体は、CuKα線を用いたときの(200)面及び(220)面のXRDピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=42.9〜44.8°,62.3〜65.2°に現れるものとすることが好ましく、(111)面のXRDピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=36.9〜39°に現れるものとすることがより好ましい。

8. 发明专利

JP5376252B2 Ceramic materials and its use 有权
公开(公告)号：JP5376252B2
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：JP2010194671
申请日：2010-08-31
申请人：日本碍子株式会社 , 公立大学法人首都大学東京
发明人：聖志金村 , 敦史帰山 , 俊広吉田 , 昭彦本多 , 洋介佐藤
IPC分类号： C04B35/50 , C01G25/00 , C04B35/48 , H01B1/06 , H01B13/00 , H01M10/0562 , H01M12/08
CPC分类号： C01G25/006 , C01D15/02 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2006/10 , C01P2006/40 , C04B35/486 , C04B2235/3203 , C04B2235/322 , C04B2235/3227 , C04B2235/658 , C04B2235/6583 , C04B2235/764 , C04B2235/77 , H01M6/185 , H01M10/0562 , Y02E60/122
摘要： The present invention provides a ceramic material allowing a pellet having higher density and satisfactory Li ion conduction to be obtained. The ceramic material contains Li, La, Zr, Al and O and has a garnet-type or garnet-like crystal structure, the ratio of the number of moles of Li with respect to La being 2.0 or greater to 2.5 or lower.

9. 发明专利

JP5304168B2 All-solid-state battery 有权
公开(公告)号：JP5304168B2
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：JP2008268333
申请日：2008-10-17
申请人：国立大学法人九州大学 , 日本碍子株式会社
发明人：重人岡田 , 栄次小林 , 一博山本 , 俊広吉田 , 洋介佐藤
IPC分类号： H01M4/1397 , H01M10/052 , H01M4/136 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0562
CPC分类号： Y02E60/122
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an all-solid battery for charge and discharge operation even with all solid by expanding an interface area where an electrode active material and an all-solid electrolyte are jointed and by lowering the interface reaction resistance. SOLUTION: The all-solid battery includes a solid electrolyte calcined body 14, a first electrode layer 18 (for example, a positive electrode) which is formed by calcining and integrating on one face of the solid electrolyte calcined body 14 and by mixing and heating calcination of an electrode active material 16 and the solid electrolyte 12, and a second electrode layer 20 (for example, a negative electrode) which is formed by calcining and integrating on the other face of the solid electrolyte calcined body 14 and by mixing and heating calcination of the electrode active material 16 and the solid electrolyte 12. The first electrode layer 18 and the second electrode layer 20 are made by mixing and heating calcination of an amorphous solid electrolyte and the electrode active material which have relations of Ty>Tz, when the temperature at which the capacity of the electrode active material is reduced by reaction of the solid electrolyte material and the electrode active material is made Ty, and the temperature at which the solid electrolyte material shrinks by calcination is made Tz. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

10. 发明专利

JP5265925B2 Phosphate-metal-containing complex and dense body made of it 有权
公开(公告)号：JP5265925B2
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：JP2007555016
申请日：2007-01-18
申请人：日本碍子株式会社
发明人：浩基藤田 , 洋介佐藤 , 裕樹別所
IPC分类号： C01B25/45 , H01M8/02
CPC分类号： C01B25/45 , H01M8/086 , H01M8/1016 , H01M2300/0008 , H01M2300/0065 , H01M2300/0091 , Y10T428/24975 , Y10T428/249953

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