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51. 发明专利

JP2006114915A Vecsel of funnel structure 有权
标题翻译： FUNNEL结构的VECSEL
公开(公告)号：JP2006114915A
公开(公告)日：2006-04-27
申请号：JP2005300330
申请日：2005-10-14
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： KIN TAKU
IPC分类号： H01S5/183 , G02F1/37
CPC分类号： H01S5/18333 , H01S3/109 , H01S5/141 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/2059 , H01S5/2063 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3095
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical cavity surface emitting laser (VECSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser) of a funnel structure. SOLUTION: A surface emitting laser element is provided with a first substrate arranged between a first electrode layer and a first reflection layer. An active region is disposed between the first reflection layer and a second reflection layer. A current interruption layer is arranged between a second electrode layer and the active region for forming an opening. A first semiconductor layer is disposed between the second electrode layer and the second reflection layer. The second electrode layer has a through part which is substantially aligned by adjusting it to the opening part. A current injection region can be positioned in a resonator formed between the opening part and the through part of the second electrode. The current injection region facilitates electrical conduction through the resonator. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供漏斗结构的垂直腔面发射激光器（VECSEL：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）。解决方案：表面发射激光元件设置有布置在第一电极层和第一反射层之间的第一衬底。有源区设置在第一反射层和第二反射层之间。电流中断层布置在第二电极层和用于形成开口的有源区域之间。第一半导体层设置在第二电极层和第二反射层之间。第二电极层具有通过将其调整到开口部而基本对齐的贯通部。电流注入区域可以位于形成在第二电极的开口部分和贯穿部分之间的谐振器中。电流注入区域便于通过谐振器的电导通。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

52. 发明专利

JP2005327783A Semiconductor laser 审中-公开
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：JP2005327783A
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：JP2004142187
申请日：2004-05-12
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社
发明人： ASAZUMA YASUNORI , TAKIGUCHI YOSHIRO , HIRATA SHOJI
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/00 , H01S5/028 , H01S5/10 , H01S5/20 , H01S5/223
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0286 , H01S5/1014 , H01S5/204 , H01S5/2063 , H01S5/2072 , H01S5/2214 , H01S5/2231
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser capable of effectively inhibiting the influence of return light.
SOLUTION: Notches 51 are formed at a pair of corners on the main light emitting side end surface 11 of a protrude 50. Light emission does not occur at regions near transverse boundaries 31B, 31C of a light emission region 31, thus making it possible to inhibit the influence of the return light, even if it may enter or intrude the region. In another embodiment on the main light emitting side end surface, a reflection coefficient of a laser beam at a region near the transverse center of the light emitting region is caused to be higher those that at the regions near the transverse boundaries. Alternately, two groove like recesses are formed on the surface of a second conductivity type semiconductor layer in the same direction, and the two groove-shaped recesses near the main light emitting side end surface may have larger widths than those of groove-shaped recesses at an intermediate position between the main light emitting side end surface and an opposite side end surface. Additionally, the light emitting region near the transverse boundaries may have an inclined plane in the main light emitting side end surface, or an impurity added region may be formed on the main light emitting side end surface so that it covers corners of the main light emitting side end surface of the protruding part.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供能够有效地抑制返回光的影响的半导体激光器。解决方案：凹口51形成在突出部分50的主发光侧端面11上的一对角部处。在发光区域31的横向边界31B，31C附近的区域处不发光。因此，即使可能进入或侵入该区域，也可以抑制返回光的影响。在主发光侧端面的另一实施例中，激光束在发光区域的横向中心附近的区域的反射系数比横向边界附近的那些的反射系数更高。或者，在相同方向的第二导电类型半导体层的表面上形成两个凹槽状凹部，并且主发光侧端面附近的两个凹槽状凹部的宽度可以比槽形凹部的宽度大在主发光侧端面和相对侧端面之间的中间位置。此外，横向边界附近的发光区域可以在主发光侧端面中具有倾斜平面，或者可以在主发光侧端面上形成杂质添加区域，使得其覆盖发光主发光侧的角部突出部的侧端面。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

53. 发明专利

JP3717215B2 Surface-emitting laser 失效
公开(公告)号：JP3717215B2
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：JP29459395
申请日：1995-11-13
申请人：シャープ株式会社
发明人：ダガンジョフリー , デービッドベストウィックティモシー , デービッドドーソンマーチン
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/183 , H01S5/20 , H01S5/34 , H01S5/343
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0267 , H01S5/1064 , H01S5/18308 , H01S5/18327 , H01S5/18333 , H01S5/18358 , H01S5/18388 , H01S5/2063 , H01S5/3421 , H01S5/3428 , H01S2301/18

54. 发明专利

JP3464204B2 Surface light laser, and a method of manufacturing the same multi-wavelength 有权
公开(公告)号：JP3464204B2
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：JP2001072603
申请日：2001-03-14
申请人：三星電子株式会社
发明人：銀京李 , 敏亨鄭
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/18 , H01S5/40 , H01S5/42
CPC分类号： H01S5/423 , H01S5/18308 , H01S5/18344 , H01S5/18361 , H01S5/2063 , H01S5/4087

55. 发明专利

JPS6111478B2 JPS6111478B2 - 失效
公开(公告)号：JPS6111478B2
公开(公告)日：1986-04-03
申请号：JP31185
申请日：1985-01-04
申请人： Nippon Electric Co
发明人： MATSUMOTO YOSHINARI
IPC分类号： H01L21/22 , H01S5/00 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/2063

56. 发明专利

JP2018010913A 発光デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2018010913A
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：JP2016137341
申请日：2016-07-12
申请人：富士ゼロックス株式会社
发明人：城岸直輝 , 櫻井淳 , 村上朱実 , 近藤崇 , 早川純一朗
IPC分类号： H01S5/183 , H01L31/10 , H01S5/026
CPC分类号： H01S5/2214 , H01S5/0264 , H01S5/0282 , H01S5/183 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/2063
摘要：【課題】面発光レーザを包囲するようにモニタ用受光素子を配置する場合と比較して、容易に酸化狭窄層を設けることが可能なモニタ用受光素子一体型の発光デバイスを提供すること。【解決手段】発光部を有する第1のメサ構造体M1と、第1のメサ構造体M1と共通の半導体層で接続され、発光部から半導体層を介して横方向に伝播する光を受光する受光部を有する第2のメサ構造体M2と、受光部が受光した光の光量を検出する検出部と、第1のメサ構造体M1及び第2のメサ構造体M2に跨って設けられた、酸化領域32bと非酸化領域32aとを含む酸化狭窄層と、を備えた発光デバイス。【選択図】図1

57. 发明专利

JP6033406B2 端面放射型の半導体ボディを備えている半導体レーザ光源有权
标题翻译：半导体激光光源和一个边缘发射半导体本体
公开(公告)号：JP6033406B2
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：JP2015507481
申请日：2013-04-19
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング , Osram Opto Semiconductors GmbH
发明人：クリストフアイヒラー , アンドレアスブライデナッセル , アルフレートレル
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/1003 , H01S5/0264 , H01S5/1017 , H01S5/22 , H01S2301/166 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/0286 , H01S5/1237 , H01S5/2063

58. 发明专利

JP2014078709A Hybrid vertical cavity laser for photonic integrated circuit 有权
标题翻译：用于光电集成电路的混合垂直腔激光器
公开(公告)号：JP2014078709A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：JP2013207060
申请日：2013-10-02
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： KIM TEK , IGOR SHCHERBATKO
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/026
CPC分类号： H01S5/105 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/026 , H01S5/10 , H01S5/1032 , H01S5/12 , H01S5/1206 , H01S5/1218 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/18363 , H01S5/1838 , H01S5/2018 , H01S5/2063
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hybrid vertical cavity laser for a photonic integrated circuit.SOLUTION: According to a hybrid vertical cavity laser for a photonic integrated circuit, the hybrid vertical cavity laser comprises: a grating mirror between two low refractive index layers; an optical waveguide optically coupled to the grating mirror; a group III-V semiconductor layer including an active layer on the two low refractive index layers; and a top mirror on the semiconductor layer. The grating mirror includes a plurality of bar-shaped low refractive index material portions formed in a silicon layer between the two low refractive index layers and arranged parallel to each other. The low refractive index material portions have at least two widths having different sizes from each other in the width direction.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于光子集成电路的混合垂直腔激光器。解决方案：根据用于光子集成电路的混合垂直腔激光器，混合垂直腔激光器包括：两个低折射率层之间的光栅镜; 光学耦合到光栅镜的光波导; 在所述两个低折射率层上包含活性层的III-V族半导体层; 和半导体层上的顶镜。光栅镜包括形成在两个低折射率层之间的硅层中并且彼此平行布置的多个棒状低折射率材料部分。低折射率材料部分具有在宽度方向上具有彼此不同尺寸的至少两个宽度。

59. 发明专利

JPWO2010100738A1 半導体レーザ、シリコン導波路基板、集積素子有权
公开(公告)号：JPWO2010100738A1
公开(公告)日：2012-09-06
申请号：JP2011502541
申请日：2009-03-05
申请人：富士通株式会社
发明人：秋山　傑 , 傑秋山
IPC分类号： H01S5/12 , H01S5/14
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/021 , H01S5/02248 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/1085 , H01S5/1206 , H01S5/124 , H01S5/2063 , H01S5/3202
摘要：半導体レーザを、シリコンを含む材料からなり、光導波路(4)と、位相シフト(5)を有する第1回折格子(6)と、第2回折格子(7)とを含む第1の部分(1)と、第1の部分(1)と異なる材料からなる発光層(12)を含む第2の部分(2)と、第1回折格子(6)と、第1回折格子(6)に対応する位置に設けられた光導波路(4)及び発光層(12)とを含むレーザ領域(10)と、第2回折格子(7)と、第2回折格子(7)に対応する位置に設けられた光導波路(4)及び発光層(12)とを含むミラー領域(11)とを備えるものとする。

60. 发明专利

JP4967463B2 The surface-emitting type semiconductor laser device 有权
公开(公告)号：JP4967463B2
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：JP2006157580
申请日：2006-06-06
申请人：富士ゼロックス株式会社
发明人：広己乙間
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/02284 , H01S5/02296 , H01S5/0261 , H01S5/0425 , H01S5/06837 , H01S5/18311 , H01S5/2063 , H01S5/2081 , H01S5/423

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