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41. 发明专利

JP5458241B2 A method for manufacturing a fine structure 有权
公开(公告)号：JP5458241B2
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：JP2011536166
申请日：2010-10-14
申请人：国立大学法人京都大学 , 国立大学法人香川大学
发明人：孝明鈴木 , 秀俊小寺 , 伊策神野 , 大介平丸
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0037 , B81C1/00126 , B81C99/002 , G03F1/14 , G03F1/38 , G03F1/50 , G03F7/2002 , G03F7/201

42. 发明专利

JP2013539549A Improved mask for photolithography Rimuweha 审中-公开
公开(公告)号：JP2013539549A
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：JP2013523693
申请日：2011-08-10
申请人：株式会社ディスコ
发明人：ビエック，フロリアン
IPC分类号： G03F1/60 , G03F1/38 , H01L21/027 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： G03F1/00 , G03F1/14 , G03F1/50 , G03F1/60
摘要：半導体ウェーハのフォトリソグラフィ用のマスクが開示される。マスクは、マスクのハンドリング部から突き出た突起部を備える。ハンドリング部の外形は、マスクアライナ装置によって取り扱うことが可能になるように規定される。突起は、ハンドリング部の表面領域と異なる高さに設けられた表面を有する。

43. 发明专利

JP2012256066A Mask blank substrate 审中-公开
标题翻译：掩蔽空白基板
公开(公告)号：JP2012256066A
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：JP2012179341
申请日：2012-08-13
申请人： Hoya Corp , Hoya株式会社
发明人： SASAKI TATSUYA , MIYAZAKI TAKAHIRO
IPC分类号： G03F1/60 , B24B37/04 , C03C19/00 , G03F1/00 , G03F1/24 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/50 , B24B1/005 , B24B37/042 , C03C19/00 , G03F1/14 , G03F1/60 , G03F7/20
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask blank substrate that can reduce the change in flatness of a main surface thereof before and after chucking to make very small the position offset caused by a photomask and that can significantly reduce the difference in tendency of substrate deformation before and after chucking between photomasks.SOLUTION: In a mask blank substrate having two main surfaces and four end faces, a central point is set on the main surface, a first axis of symmetry that passes through the central point and that is parallel to one of the end faces and a second axis of symmetry that passes through the central point and that is perpendicular to the first axis of symmetry are respectively set, measurement points are set in the form of a grid with respect to the first axis of symmetry and the second axis of symmetry so as to measure heights of the main surfaces from a reference plane at the measurement points, respectively, differences each between measured height values at those measurement points located at positions that are axisymmetric with respect to the first axis of symmetry are calculated, and those differences corresponding to at least 95% of the total number of the calculated differences between the measured height values are within a predetermined value.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够减少夹持前后的主表面的平坦度变化的掩模基板，使由光掩模引起的位置偏移非常小，并且可以显着降低倾斜度的差异在光掩模之前和之后的基板变形。解决方案：在具有两个主表面和四个端面的掩模坯料基板中，中心点设置在主表面上，第一对称轴线穿过中心点并且平行于一个端面并且分别设置穿过中心点并且垂直于第一对称轴线的第二对称轴线，相对于第一对称轴线和第二对称轴线将测量点设置为网格的形式为了从测量点的参考平面分别测量主表面的高度，计算位于相对于第一对称轴对称的位置处的测量点的测量高度值之间的差异，并且这些差异对应于所测量的高度值之间的计算差值的总数的至少95％在预定值内。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

44. 发明专利

JP5073835B2 Substrate for a mask blank 有权
公开(公告)号：JP5073835B2
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：JP2010540483
申请日：2009-11-25
申请人： Hoya株式会社
发明人：達也佐々木 , 貴裕宮崎
IPC分类号： G03F1/24 , B24B37/04 , C03C17/34 , G03F1/00 , G03F1/60
CPC分类号： G03F1/50 , B24B1/005 , B24B37/042 , C03C19/00 , G03F1/14 , G03F1/60 , G03F7/20
摘要： In a mask blank substrate having two main surfaces and four end faces, a central point is set on the main surface, a first axis of symmetry that passes through the central point and that is parallel to one of the end faces and a second axis of symmetry that passes through the central point and that is perpendicular to the first axis are respectively set, measurement points are set in the form of a grid with respect to the first and the second axes so as to measure heights of the main surface from a reference plane at the measurement points, respectively, differences each between measured height values at those measurement points located at positions axisymmetric with respect to the first axis are calculated. Those differences corresponding to at least 95% of the total number of the calculated differences between the measured height values are within a predetermined value.

45. 发明专利

JP2012515431A How inspection, the inspection system, the substrate, and the mask 有权
公开(公告)号：JP2012515431A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：JP2011542779
申请日：2009-12-17
申请人：エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
发明人：クラメル，フーゴ , ヒンネン，パウル
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/42 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70683 , G03F1/14 , G03F1/44 , G03F7/70625 , G03F7/70641 , Y10T428/24802
摘要：【課題】レジスト厚さが低減されたときでさえ、正確な焦点値を得ることができる改善された焦点メトロロジーを提供する。
【解決手段】マスクのテストパターンは、基板表面上にマーカパターンを生じさせるように構成される。マーカパターンは、少なくとも２つの測定可能な側壁角度を有する構造体を含む。構造体の側壁角度間の非対称性は、露光装置からの露光放射の焦点（または焦点はずれ）に関連する。それによって、焦点はずれの大きさは、プリントされたマーカパターンの構造体の側壁角度の非対称性を測定することにより求めることができる。
【選択図】図６

46. 发明专利

JPWO2010061828A1 マスクブランク用基板有权
公开(公告)号：JPWO2010061828A1
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：JP2010540483
申请日：2009-11-25
申请人： Hoya株式会社 , Hoya株式会社
发明人：佐々木　達也 , 達也佐々木 , 貴裕宮崎 , 貴裕宮崎
IPC分类号： G03F1/60 , B24B37/04 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/50 , B24B1/005 , B24B37/042 , C03C19/00 , G03F1/14 , G03F1/60 , G03F7/20
摘要：チャック前後の主表面の平坦度変化をより小さくして、フォトマスク起因の位置ずれを非常に少なくすることができ、さらに、フォトマスク毎のチャック前後の基板変形の傾向の相違を非常に少なくすること。本発明のマスクブランク用基板は、2つの主表面と4つの端面を有する基板の主表面に中心点を設定し、該中心点を通りいずれかの端面に平行な第一対称軸と、前記中心点を通り第一対称軸に直交する第二対称軸とをそれぞれ設定し、前記第一対称軸および第二対称軸を基準にグリッド状に測定点を設定して基準面からの前記主表面の高さをそれぞれ測定し、前記第一対称軸を基準に線対称の位置にある測定点同士について高さ測定値の差分を算出し、算出した高さ測定値の差分について、全個数のうち少なくとも95%にあたる個数の差分が所定値以内であることを特徴とする。

47. 发明专利

JP2011522279A The method for forming micron or submicron cavity 审中-公开
公开(公告)号：JP2011522279A
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：JP2011502390
申请日：2009-04-03
申请人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
发明人：クロード・ヴナン , ステファーヌ・カプレ
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0007 , G02F1/133377 , G03F1/14 , G03F7/0005 , G03F7/2014
摘要：本発明は、ミクロンまたはサブミクロンのキャビティのウォールを形成する方法に関連しており、透明な支持体（１０、１２、1４）上にフォトリソグラフィーマスクを形成する段階と、前記マスクを支持する前記支持体の前面と呼ばれる面上に感光性材料の樹脂の層（１８）を堆積する段階と、前記支持体の後面（１０'）を通して前記感光性材料を露光する段階と、前記ウォールを得るために前記感光性材料を現像する段階と、を含んでいる。

48. 发明专利

JP2011507008A Multi-color mask 审中-公开
公开(公告)号：JP2011507008A
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：JP2010534942
申请日：2008-11-10
申请人：イーストマンコダックカンパニー
发明人：エドワードアービング，マーク , マリーアービング，リン , ラエエリンガー，キャロライン , ハワードレビー，デイビッド
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/08 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0007 , G03F1/14 , G03F7/2022 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H01L29/7869 , Y10T428/24802
摘要：本発明は、支持体を用意し、前記支持体の片側にマルチカラーマスクをコーティングし、支持体の反対側に可視光により硬化可能な層をコーティングし、光硬化可能な層をマスクを通して可視光に露光して光により硬化可能な層を露光部分において硬化させて硬化パターンを形成することを含む、積層透明構造体を形成する方法に関する。

49. 发明专利

JP2010276998A Pattern exposure method, method for producing conductive film, and conductive film 有权
标题翻译：图案曝光方法，制造导电膜的方法和导电膜
公开(公告)号：JP2010276998A
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：JP2009131487
申请日：2009-05-29
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： MATSUDA TOYOMI , SUDO ATSUSHI , BABA YUKI , MIHASHI DAISUKE
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： H01B5/00 , G03F1/14 , H05K1/0393 , H05K3/0082 , H05K3/106 , H05K2201/0108 , H05K2201/09681 , H05K2203/056 , H05K2203/1545 , Y10T428/24917 , Y10T428/24997
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern exposure method capable of reducing generation of moire, and to provide a method for producing a conductive film and a conductive film. SOLUTION: The conductive film 10 is obtained by subjecting a photosensitive material to proximity exposure through a photomask disposed away from the photosensitive material via a proximity gap of 70 to 200 μm, and transferring the mask pattern onto the photosensitive material as a periodical pattern periodical in a conveyance direction. The conductive film 10 has a conductive portion 12 composed of a plurality of conductive metal thin wires and a plurality of openings 14, wherein side portions of a first metal thin wire 12a and of a second metal thin wire 12b are shaped to have protruding portions 26, which protrude toward the openings 14 from virtual lines m representing a design width Wc of the first metal thin wire 12a and of the second metal thin wire 12b, and have a protrusion amount of 1/25 to 1/6 of the design width Wc. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够减少莫尔条纹产生的图案曝光方法，并提供导电膜和导电膜的制造方法。解决方案：导电膜10通过经由70至200μm的接近间隙使感光材料接近曝光通过远离感光材料设置的光掩模获得，并将掩模图案作为周期性传送到感光材料上在传送方向的图案周期。导电膜10具有由多个导电金属细线构成的导电部12和多个开口部14，第一金属细线12a和第二金属细线12b的侧部成形为具有突出部26 从虚拟线m向第一金属细线12a和第二金属细线12b的设计宽度Wc突出的开口14突出，并且具有设计宽度Wc的1/25至1/6的突出量。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

50. 发明专利

JP2010102149A Exposure apparatus and photomask 有权
标题翻译：曝光装置和照相机
公开(公告)号：JP2010102149A
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：JP2008273863
申请日：2008-10-24
申请人： V Technology Co Ltd , 株式会社ブイ・テクノロジー
发明人： MIZUMURA MICHINOBU
IPC分类号： G03F7/20 , G02F1/13 , G02F1/1368 , G03F1/00 , G03F1/70 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70791 , G03F1/00 , G03F1/14 , G03F1/38 , G03F1/50 , G03F7/70283
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the efficiency of exposure processing by simultaneously forming two kinds of exposure patterns having different required resolutions from each other in the same exposure step. SOLUTION: An exposure pattern is formed on a TFT substrate 8 coping with a plurality of mask patterns formed on a photomask 3 by intermittently irradiating the TFT substrate 8 through the photomask 3 with light 24 from a light source while conveying the TFT substrate 8 in one direction. The photomask 3 has an electrode wiring pattern 14 and a signal wiring pattern 17 in different required resolving powers from each other, formed on one surface of the mask such that an electrode wiring pattern group 16 comprising a plurality of electrode wiring patterns 14 and a signal wiring pattern group 18 comprising a plurality of signal wiring patterns 17 are sequentially formed along a conveying direction of the TFT substrate 8. On the other surface of the photomask, a microlens 19 that reduces and projects the electrode wiring pattern 14 having a high required resolving powder onto the TFT substrate 8 is formed coping with the electrode wiring pattern. The photomask is disposed with the microlens 19 side close to the TFT substrate 8. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：通过在相同的曝光步骤中同时形成具有不同所需分辨率的两种曝光图案，从而提高曝光处理的效率。解决方案：在TFT基板8上形成曝光图案，该TFT基板8通过在来自光源的光24间歇地照射通过光掩模3的TFT基板8而形成在光掩模3上的多个掩模图案，同时传送TFT基板 8在一个方向。光掩模3具有形成在掩模的一个表面上的彼此不同的所需分辨能力的电极布线图案14和信号布线图案17，使得包括多个电极布线图案14的电极布线图案组16和信号沿着TFT基板8的输送方向依次形成包括多个信号布线图案17的布线图案组18.在光掩模的另一个表面上，设有微透镜19，该微透镜19使具有高要求分辨率的电极布线图案14 形成与TFT基板8的粉末对应于电极布线图形。光掩模配置有微透镜19侧靠近TFT基板8.版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

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