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1. 发明专利

JP2017207623A 反射マスクおよびパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017207623A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2016099878
申请日：2016-05-18
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：鈴木勝 , 水野央之 , 吉持一幸
IPC分类号： G03F1/24
CPC分类号： G03F7/70283 , G03F1/24 , G03F1/52 , G03F1/54 , G03F7/2004 , G03F7/2039 , G03F7/322
摘要：【課題】EUV露光処理にDTDを組み合わせた際に、周期パターンのピッチを縮小するとともに、孤立した非周期パターンを形成することができる反射マスクを提供する。【解決手段】実施形態によれば、EUV光または軟X線を反射させる多層反射膜12を備える反射マスク10が提供される。反射マスク10は、第1パターンが周期的に配置される周期パターン配置領域R P と、第2パターンが非周期的に配置される非周期パターン配置領域R NP と、を有する。非周期パターン配置領域R NP と、周期パターン配置領域R P と、でEUV光または軟X線の反射率が異なる。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2017138632A マイクロリソグラフィ投影対物レンズ审中-公开
公开(公告)号：JP2017138632A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：JP2017100697
申请日：2017-05-22
申请人：カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
发明人：フェルトマン,ハイコ , クラエフマー,ダーニエル , ペラン,ジャン−クロード , カルラー,ユーリアン , ドドック,アウレリアン , カメノフ,ウラディミル , コンラディ,オーラフ , グルナー,トーアアルフ , オーコン,トーマス , エップル,アレクサンダー
IPC分类号： G02B5/00 , G02B17/08
CPC分类号： G03F7/70225 , G02B17/08 , G03F7/702 , G03F7/70283 , G03F7/70941
摘要：【課題】物体平面に配置されるパターンを像平面内に結像するマイクロリソグラフィ投影対物レンズにおいて迷光を抑制する。【解決手段】物体平面に配置されるパターンを像平面内に結像するマイクロリソグラフィ投影対物レンズ10が提供され、第1対物レンズ部16と、第2対物レンズ部18と、少なくとも一つの第3対物レンズ部20とを備え、第2対物レンズ部18は、第1対物レンズ部10における光伝搬方向および第3対物レンズ部20における光伝搬方向と異なる光伝搬方向を規定し、かつ第1対物レンズ部10と第2対物レンズ部18との間および第2対物レンズ部18と第3対物レンズ部20との間に少なくとも一つのビーム偏向装置22をさらに備え、少なくとも一つのシールド24が、第1対物レンズ部16から第3対物レンズ部内20への直接光漏れが少なくとも減少するようにしてビーム偏向装置22の領域に配置される。【選択図】図1

4. 发明专利

JP5766393B2 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造反射曝光掩模和半导体器件的方法
公开(公告)号：JP5766393B2
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：JP2009172367
申请日：2009-07-23
申请人：株式会社東芝 , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：加茂隆 , 須賀治
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/24
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F7/70283

5. 发明专利

JP5576423B2 Lithographic apparatus and device manufacturing method 有权
公开(公告)号：JP5576423B2
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：JP2012084934
申请日：2012-04-03
申请人：エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
发明人：マルケンス，ヨハネス，キャサリヌス，ハーバータス
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/68 , G03F1/84 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/70 , G03F1/72 , G03F7/70283 , G03F7/7065

7. 发明专利

JP5400579B2 Exposure apparatus and device manufacturing method 有权
公开(公告)号：JP5400579B2
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：JP2009259793
申请日：2009-11-13
申请人：キヤノン株式会社
发明人：修森本
IPC分类号： H01L21/027 , G01B11/16 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70191 , G03B27/52 , G03B27/68 , G03F7/70283 , G03F7/70508 , G03F7/70783 , G03F7/70875

8. 发明专利

JP5294490B2 Photomask 有权
公开(公告)号：JP5294490B2
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：JP2009290651
申请日：2009-12-22
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：通伸水村 , 誠畑中
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/38
CPC分类号： G03F7/70283 , G03F1/38 , G03F1/50

10. 发明专利

JP2012133352A Photolithographic led fabrication using phase-shift mask 有权
标题翻译：使用相位移屏蔽的照相机LED制造
公开(公告)号：JP2012133352A
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：JP2011265742
申请日：2011-12-05
申请人： Ultratech Inc , ウルトラテックインク
发明人： ANDREW M HAWRYLUK , ROBERT L HSIEH , WARREN W FLACK
IPC分类号： G03F7/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , G03F1/26 , G03F7/70283 , G03F7/703 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photolithographic method of forming a roughened surface for an LED to improve LED light emission efficiency.SOLUTION: The method includes photolithographically imaging a phase-shift mask pattern onto a photoresist layer of a substrate to form therein a periodic array of photoresist features. A roughened substrate surface is created by processing the exposed photoresist layer to form a periodic array of substrate posts in the substrate surface. A p-n junction multilayer structure is then formed atop the roughened substrate surface to form the LED. The periodic array of substrate posts serve as scatter sites that improve LED light emission efficiency as compared to the LED having no roughened substrate surface. The use of the phase-shift mask enables the use of affordable photolithographic imaging at a depth of focus suitable for non-flat LED substrates while also providing the needed resolution to form the substrate posts.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种形成LED粗糙化表面以提高LED发光效率的光刻方法。解决方案：该方法包括将相移掩模图案光刻成像到基板的光致抗蚀剂层上，以在其中形成光致抗蚀剂特征的周期性阵列。通过处理暴露的光致抗蚀剂层以在衬底表面中形成周期性阵列的衬底柱而产生粗糙化的衬底表面。然后在粗糙化的基板表面上形成p-n结多层结构以形成LED。与没有粗糙化的衬底表面的LED相比，衬底柱的周期性阵列用作改善LED发光效率的散射点。使用相移掩模使得可以在适合于非平坦LED基板的聚焦深度下使用经济的光刻成像，同时还提供形成基板柱的所需分辨率。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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