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41. 发明专利

JPWO2012173251A1 ＳｉＣ単結晶の製造装置及び製造方法有权
标题翻译：设备和用于制造SiC单晶的方法
公开(公告)号：JPWO2012173251A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013520608
申请日：2012-06-15
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：楠　一彦 , 一彦楠 , 亀井　一人 , 一人亀井 , 矢代　将斉 , 将斉矢代 , 信宏岡田 , 信宏岡田 , 寛典大黒 , 寛典大黒 , 幹尚加渡 , 幹尚加渡 , 秀光坂元 , 秀光坂元
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/06 , H01L21/208
CPC分类号： C30B35/00 , C30B9/10 , C30B11/003 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B29/36 , Y10T117/1068 , Y10T117/1092
摘要：シードシャフトに取り付けられた種結晶を効率良く冷却することができる、SiC単結晶の製造装置を提供することを、目的とする。Si−C溶液(16)を収容する坩堝(14)と、SiC種結晶(36)が取り付けられる下端面(34)を有するシードシャフト(30)とを備える。シードシャフトは、坩堝の高さ方向に延び、内側に第1流路(60)を形成する内管(48)と、内管を収容し、内管との間に第2流路(SP1)を形成する外管(50)と、外管の下端開口を覆い、下端面を有する底部とを備える。第1流路及び第2流路のうち、一方の流路は冷却ガスが下方に流れる導入流路であり、他方の流路は冷却ガスが上方に流れる排出流路である。シードシャフトの軸方向から見て、SiC種結晶の60%以上の領域が、導入流路を形成する管の内側の領域に重なる。
摘要翻译：连接到籽晶轴晶种能够有效地冷却，以提供一种用于制造SiC单晶的装置，和一个对象。包括用于容纳SiC溶液（16），所述SiC晶种的下端表面的坩埚（14）（36）附连到具有籽晶轴（30）（34）。籽晶轴在坩埚的高度方向延伸，内管上形成的内侧（48）的第一流路（60），容纳所述内管，所述内管之间（SP1）的第二流动路径的外管，以形成（50），覆盖所述外管的下端开口，并具有底表面的底部部分。第一流动路径和第二流动路径中，一个流路被引入流路的冷却向下，另一个流路被排出流动路径的冷却气体向上流动的气流。从籽晶轴，60％或SiC晶种的多个区域的轴向方向观察时，重叠在管形成入口路内的区域中。

42. 发明专利

JP2015034103A １３族窒化物結晶の製造方法及び製造装置有权
标题翻译：制造13组氮化物晶体的方法和装置
公开(公告)号：JP2015034103A
公开(公告)日：2015-02-19
申请号：JP2013165083
申请日：2013-08-08
申请人：株式会社リコー , Ricoh Co Ltd
发明人： SATO TAKASHI , SARAYAMA SHOJI , HAYASHI MASAHIRO , WADA JUNICHI
IPC分类号： C30B29/38 , C30B9/00
CPC分类号： C30B9/00 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B19/068 , C30B29/406
摘要：【課題】高品質且つ大型の13族窒化物単結晶を得ることができるようにする。【解決手段】本発明に係る13族窒化物結晶の製造方法はフラックス法により13族窒化物結晶5を製造するものであって、反応容器13内にアルカリ金属又はアルカリ土類金属及び13族元素を含む混合融液6と種結晶7とを収容する工程と、反応容器13を回転させることにより混合融液6を撹拌する工程とを含む。反応容器13は内部に混合融液6を撹拌するための構造物14を備える。反応容器13の中心軸以外の部分に、種結晶7のc面が反応容器13の底面と略平行となるように、複数の種結晶7が中心軸を基準として点対称に設置される。反応容器13の少なくとも中心軸以外の部分に構造物14が中心軸を基準として点対称に設置される。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造高品质和大尺寸的13族氮化物单晶的方法和装置。解决方案：一种制造13族氮化物晶体的方法制造13族氮化物晶体5 通过助焊剂法。该方法包括以下步骤：在反应容器13中容纳含有碱金属或碱土金属和13族元素和晶种7的混合熔融液6; 并且通过旋转反应容器13来搅拌混合的熔融液6.反应容器13中装有用于搅拌混合的熔融液体6的结构14.在反应容器13的除中心轴之外的部分，晶种7相对于中心轴以点对称的方式被布置，使得它们的晶面7的c面可以与反应容器13的底面基本平行。在反应容器13的部分除了至少中心轴线之外，结构14相对于中心轴线对称地设置。

43. 发明专利

JP5656697B2 窒化アルミニウム結晶の製造方法有权
标题翻译：制造氮化铝晶体的方法
公开(公告)号：JP5656697B2
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：JP2011050415
申请日：2011-03-08
申请人：住友金属鉱山株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：福山　博之 , 博之福山 , 正芳安達 , 正芳安達 , 明和田中 , 明和田中 , 一夫前田 , 一夫前田
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/04
CPC分类号： C30B19/12 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B19/04 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02625 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

44. 发明专利

JP5651481B2 ３Ｂ族窒化物結晶有权
标题翻译： 3B族氮化物晶体
公开(公告)号：JP5651481B2
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：JP2010547414
申请日：2009-12-21
申请人：日本碍子株式会社
发明人：崇行平尾 , 崇行平尾 , 岩井　真 , 真岩井 , 克宏今井 , 克宏今井
IPC分类号： C30B29/38 , C01B21/06 , C30B19/02
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , Y10T428/24355

45. 发明专利

JP5451651B2 Crystal growth method and 13-nitride of Group 13 nitride crystal 有权
公开(公告)号：JP5451651B2
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：JP2010550423
申请日：2009-12-25
申请人：日本碍子株式会社
发明人：孝直下平 , 崇行平尾 , 克宏今井
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/02 , H01L21/208
CPC分类号： H01L29/2003 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406

46. 发明专利

JPWO2012023568A1 Ｎａ−Ｓｉ−Ｂ組成を有するホウ化物、ホウ化物の多結晶反応焼結体及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012023568A1
公开(公告)日：2013-10-28
申请号：JP2012529604
申请日：2011-08-17
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：春彦森戸 , 春彦森戸 , 山根　久典 , 久典山根
IPC分类号： C01B35/04 , C04B35/58
CPC分类号： C01B35/04 , C01D13/00 , C04B14/321 , C04B35/5805 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/40 , C04B2235/422 , C04B2235/424 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/6584 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C30B9/10 , C30B29/10
摘要：高機能性材料として有用な新しいホウ化物の提供及び、エネルギーコストがかからず焼結助剤を必要とせず、しかも複雑な形状の成形が可能で、さらには多元系ホウ化物への展開も可能とする、ホウ化物の多結晶焼結体の新しい製造方法を提供する。Na−Si−B組成を有するホウ化物及びその多結晶反応焼結体であり、ホウ素と元素:M(MはSi及び/又はCを表す)の混合成形体を金属ナトリウムとともに加熱して多結晶反応焼結体を得る。

47. 发明专利

JPWO2011040240A1 ＳｉＣ単結晶およびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2011040240A1
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：JP2011534186
申请日：2010-09-15
申请人：富士電機株式会社
发明人：民雅呂 , 民雅呂 , 米澤　喜幸 , 喜幸米澤 , 鈴木　健 , 健鈴木
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/00
CPC分类号： C30B29/36 , C30B9/10 , C30B17/00
摘要： 2000℃以下の低温域においても、実効的な結晶成長速度で、長時間にわたり安定的にSiC単結晶、特に4H−SiC単結晶を成長させる。黒鉛製の坩堝1内に、先ず、Si、Ti及びNiを含む原料を投入し、加熱融解させて溶媒とするとともに、坩堝1からCを溶媒に溶解させて融液6を形成する。次に、SiC種結晶基板8を融液6に接触させ、SiC種結晶基板8の表面近傍で融液6をSiC過飽和状態とすることによって、SiC種結晶基板8上にSiC単結晶を成長させることで、SiC単結晶を製造する。

48. 发明专利

JPWO2010084681A1 ３Ｂ族窒化物結晶の製法有权
公开(公告)号：JPWO2010084681A1
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：JP2010547413
申请日：2009-12-21
申请人：日本碍子株式会社
发明人：崇行平尾 , 崇行平尾 , 岩井　真 , 真岩井 , 克宏今井 , 克宏今井
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/04 , C30B19/06
CPC分类号： C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/10 , C30B29/403
摘要：種結晶基板として、サファイア基板の表面に窒化ガリウムの薄膜が形成されたものを用意し、育成容器12に収容する。また、金属ガリウムと金属ナトリウムとをモル比25〜32:68〜75となるように秤量して育成容器12に収容する。この育成容器12を反応容器20に入れ、インレットパイプ22を反応容器20に接続し、窒素ボンベ42から圧力制御器40を介して窒素ガスを反応容器20に充填する。そして、反応容器20内が所定の窒素ガス圧となるように制御し、上ヒーター44に比べて下ヒーター46の温度が高くなるように各目標温度を設定し、窒化ガリウムの結晶を成長させる。これにより、育成容器12内の混合融液には熱対流により種結晶基板の表面に沿った方向の流れが生じる。

49. 发明专利

JP2012072047A Method for producing n-type group iii nitride single crystal, n-type group iii nitride single crystal, and crystal substrate 有权
标题翻译：生产N型III族氮化物单晶，N型III族氮化物单晶和晶体基板的方法
公开(公告)号：JP2012072047A
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：JP2011151093
申请日：2011-07-07
申请人： Ricoh Co Ltd , 株式会社リコー
发明人： IWATA HIROKAZU
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/10
CPC分类号： C30B29/406 , C01B21/0632 , C30B9/00 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/38 , C30B29/403 , H01B1/06 , H01L33/0075 , Y10T117/1068
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To produce an n-type group III nitride single crystal that has a high quality and a low resistance by a simple process.SOLUTION: A method of producing the n-type group III nitride single crystal includes: a step of putting raw materials that include at least a substance including a group III element, an alkali metal, and boron oxide into a reaction vessel; a step of melting the boron oxide by heating the reaction vessel to a melting point of the boron oxide; a step of forming a mixed melt which includes the group III element, the alkali metal, and the boron oxide, in the reaction vessel by heating the reaction vessel to a crystal growth temperature of a group III nitride; a step of dissolving nitrogen into the mixed melt by bringing a nitrogen-containing gas into contact with the mixed melt; and a step of growing an n-type group III nitride single crystal, which is doped with oxygen as a donor, from the group III element, the nitrogen, and oxygen in the boron oxide that are dissolved in the mixed melt.
摘要翻译：要解决的问题：通过简单的工艺生产具有高质量和低电阻的n型III族氮化物单晶。解决方案：制造n型III族氮化物单晶的方法包括：将至少包含III族元素，碱金属和氧化硼的物质的原料放入反应容器中的步骤; 通过将反应容器加热至氧化硼的熔点来熔化氧化硼的步骤; 通过将反应容器加热至III族氮化物的晶体生长温度，在反应容器中形成包含III族元素，碱金属和氧化硼的混合熔体的步骤; 通过使含氮气体与混合熔体接触来将氮溶解到混合熔体中的步骤; 以及从混合熔体中溶解的氧化硼中的III族元素，氮和氧中生长掺杂有氧作为供体的n型III族氮化物单晶的步骤。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

50. 发明专利

JP2011213579A Gallium nitride crystal, crystal of group 13 element nitride, crystal substrate and method for producing the same 有权
标题翻译： 13号氮化硅晶体，晶体晶体，晶体基板及其制造方法
公开(公告)号：JP2011213579A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：JP2011031397
申请日：2011-02-16
申请人： Ricoh Co Ltd , 株式会社リコー
发明人： IWATA HIROKAZU , NANBU HIROSHI , SATO TAKASHI
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/02
CPC分类号： C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/12 , Y10T428/2958 , Y10T428/2973
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To produce a large-sized bulk crystal from which a crystal substrate in a practically usable size can be cut out.SOLUTION: A gallium nitride crystal is characterized in that: the length (L) of the c-axis is equal to or longer than 9 mm; the crystal diameter (d) of a cross-section perpendicular to the c-axis is equal to or longer than 100 μm; and the ratio (L/d) of the length (L) of the c-axis to the crystal diameter (d) of a cross-section perpendicular to the c-axis is equal to or greater than 7. By thickening this long needle-like crystal, a bulk crystal having a large volume can be produced. Thus, it becomes possible to produce a large-sized bulk crystal from which a crystal substrate in a practically usable size can be cut out.
摘要翻译：要解决的问题：制造可以切出实际可用尺寸的晶体基板的大尺寸块状晶体。解决方案：氮化镓晶体的特征在于：c轴的长度（L）为等于或长于9毫米; 垂直于c轴的截面的晶体直径（d）等于或大于100μm; 并且c轴的长度（L）与垂直于c轴的截面的晶体直径（d）的比（L / d）等于或大于7.通过使该长针可以制造体积大的块状晶体。因此，可以制造可以切出实际可用尺寸的晶体基板的大尺寸块状晶体。

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