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1. 发明专利

JPWO2015005064A1 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置有权
标题翻译：制造方法和碳化硅半导体器件的碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JPWO2015005064A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015526229
申请日：2014-06-16
申请人：富士電機株式会社
发明人：泰之河田 , 喜幸米澤
IPC分类号： C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/161
CPC分类号： H01L21/02529 , C23C16/42 , C30B25/02 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/1608
摘要：反応炉内に、珪素を含むガス、炭素を含むガスおよび塩素を含むガスを同時に導入する(ステップS5)。次に、ステップS5で導入した複数のガスからなる混合ガス雰囲気中においてハライドCVD法により4H−SiC基板の表面にSiCエピタキシャル膜を成長させる(ステップS6)。ステップS6においては、まず、第1成長速度で2μmの厚さのSiCエピタキシャル膜を成長させる。第1成長速度は、3μm/hの初期成長速度から75μm/hの高成長速度になるまで連続的に一定の割合で増加させる。さらに、SiCエピタキシャル膜の厚さが製品として必要な所定厚さになるまで、75μm/h以上の第2成長速度でSiCエピタキシャル膜を成長させる。このようにすることで、ハロゲン化合物を含むガス雰囲気において成長させた炭化珪素半導体膜の結晶性を向上させることができる。
摘要翻译：到反应器中，引入含硅气体，含氧气体和含氯的碳同时（步骤S5）的气体。然后在由在步骤S5中（步骤S6）引入多个气体的混合气体气氛中生长的SiC外延膜的4H-SiC衬底的表面上通过卤化物CVD法。在步骤S6中，首先，在生长的第一生长速率具有厚度为2μm的SiC外延膜。第一生长率的增加连续恒定的速率从3微米/小时的初始生长速率，直到75微米/小时的高生长速率。此外，直到该SiC外延膜的厚度变得作为产品在75微米/小时或更多个第二生长速度生长的SiC外延膜必要预定的厚度。通过这样做，它可以提高在含卤素化合物的气体气氛中生长的碳化硅半导体膜的结晶度。

2. 发明专利

JP5359845B2 Single crystal growth apparatus 有权
公开(公告)号：JP5359845B2
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：JP2009283531
申请日：2009-12-15
申请人：富士電機株式会社
发明人：健二国原 , 隆之広瀬 , 正敬大登 , 喜幸米澤
IPC分类号： C30B11/00 , G02F1/355
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for growing a single crystal, which prevents cracks from being caused in a crystal in the process of producing a single crystal to be used as a substrate for an optical device or the like. SOLUTION: A single crystal free of cracks can be obtained with high reproducibility regardless of a large difference in thermal expansion between a platinum crucible and an LN (lithium niobate) single crystal in the process of growing an LN single crystal by VB (vertical Bridgeman) method, by employing a crucible structure of the present invention having a foil type platinum plate inserted inside the platinum crucible for growing a crystal. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

3. 发明专利

JP5163442B2 Crystal growth apparatus and the crystal growth method 有权
公开(公告)号：JP5163442B2
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：JP2008297219
申请日：2008-11-20
申请人：富士電機株式会社
发明人：健二国原 , 隆之広瀬 , 正敬大登 , 喜幸米澤
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/30

4. 发明专利

JP5017823B2 A method of manufacturing a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5017823B2
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：JP2005264278
申请日：2005-09-12
申请人：富士電機株式会社
发明人：俊一中村 , 喜幸米澤 , 広幸藤澤 , 崇辻
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/046 , H01L29/045 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , Y10S438/931
摘要： In a semiconductor device having SiC vertical trench MOSFETs, it is aimed to prevent the generation of large scattering in the channel resistance without largely increasing the average value of channel resistance. A 4H-SiC substrate having a major face thereof that is generally a {0001} face and having an off angle alpha. The trench is formed with the standard deviation sigma in scattering of the angle formed by a trench side wall face and a substrate major face within a wafer face. By setting the designed value of the angle formed by the trench side wall face and the substrate major face at an any angle ranging from [(60 degrees)+2sigma] to [(90 degrees)-tan-1 (0.87xtan alpha)-2sigma] in forming the trench in the SiC substrate, a semiconductor device in which the angle formed by the trench side wall face and the substrate major face is 60 degrees or more but not more than [(90 degrees)-tan-1 (0.87xtan alpha)] can be obtained.

5. 发明专利

JP4844330B2 Manufacturing method, and a silicon carbide semiconductor device of the silicon carbide semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4844330B2
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：JP2006271450
申请日：2006-10-03
申请人：富士電機株式会社
发明人：武志俵 , 喜幸米澤
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/20 , H01L29/227
CPC分类号： H01L21/02579 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/66068

6. 发明专利

JP5625480B2 分極反転構造を有する光学素子の製造方法とその光学素子およびレーザー装置有权
标题翻译：用于制造具有极化反转结构的光学元件和它的光学器件和激光器件的方法中
公开(公告)号：JP5625480B2
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：JP2010116560
申请日：2010-05-20
申请人：富士電機株式会社
发明人：広瀬　隆之 , 隆之広瀬 , 国原　健二 , 健二国原 , 大登　正敬 , 正敬大登 , 米澤　喜幸 , 喜幸米澤
IPC分类号： G02F1/37

7. 发明专利

JP5483216B2 SiC single crystal and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5483216B2
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：JP2011534186
申请日：2010-09-15
申请人：富士電機株式会社
发明人：民雅呂 , 喜幸米澤 , 健鈴木
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/00
CPC分类号： C30B29/36 , C30B9/10 , C30B17/00
摘要： An object of the present invention is to obtain stable growth of SiC single crystals, particularly 4H-SiC single crystals with an effective crystal growth rate for a prolonged time even at a low temperature range of 2000°C or lower. A raw material containing Si, Ti and Ni is charged into a crucible 1 made of graphite and heat-melted to obtain a solvent. At the same time, C is dissolved out from the crucible 1 into the solvent to obtain a melt 6. A SiC seed crystal substrate 8 is then brought into contact with the melt 6 such that SiC is supersaturated in the melt 6 in the vicinity of the surface of the SiC seed crystal substrate 8, thereby allowing growth and production of an SiC single crystal on the SiC seed crystal substrate 8.

8. 发明专利

JP5017865B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5017865B2
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：JP2006008995
申请日：2006-01-17
申请人：富士電機株式会社
发明人：俊一中村 , 喜幸米澤
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L29/0619 , H01L29/0657 , H01L29/0661 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要： The device has a field stop layer (47), a drift layer (32), a current diffusion layer, a body zone (33) and a source contact zone (34) laminated on a substrate (31) in a semiconductor base body. A ditch (41) is formed in the body and reaches the stop layer or the substrate, and an insulator (46) is buried into the ditch in a lower section. The insulator has a normal value of electrical field strength during insulation breakdown, where the normal value is equal to or larger than the value of the electrical field strength during the insulation breakdown of a semiconductor material of the body.

9. 发明专利

JP5515913B2 Method of manufacturing a quasi-phase matching element 有权
公开(公告)号：JP5515913B2
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：JP2010063474
申请日：2010-03-19
申请人：富士電機株式会社
发明人：顕一沖島 , 隆之広瀬 , 正敬大登 , 喜幸米澤
IPC分类号： G02B5/18 , B24B9/00 , B24B9/14 , G02B3/00

10. 发明专利

JP5446975B2 Single crystal growth apparatus 有权
公开(公告)号：JP5446975B2
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：JP2010034598
申请日：2010-02-19
申请人：富士電機株式会社
发明人：健二国原 , 隆之広瀬 , 正敬大登 , 喜幸米澤
IPC分类号： C30B11/00

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