专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明专利

JP2009543334A Nanoimprint technology flexibility is improved with respect to the molding of alignment and features 有权
公开(公告)号：JP2009543334A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：JP2009518102
申请日：2007-04-05
申请人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated
发明人：ピーターズカルシュテン , フォイステルフランク , ザイデルロバート
IPC分类号： H01L21/027 , B29C59/02 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC分类号： B81B7/0006 , B81C2201/0153 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/28114 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L21/76804 , H01L21/76807 , H01L21/76817 , H01L21/76838 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L2221/1021
摘要：ビア開口部とトレンチとが共通に形成されるインプリント技術に基づいてメタライゼーションを形成することによって、従来のプロセス技術に求められたような少なくとも１つのさらなる位置合せプロセスを省略することができることから、プロセスの複雑性を実質的に軽減することができる。さらに、適切に設計されたインプリントモールドを提供することによりインプリントリソグラフィのフレキシビリティおよび実効性が向上し、これにより、信頼性、エレクトロマイグレーションに対する抵抗などの点から、最終的に得られるメタライゼーション構造のパフォーマンスもまた向上する。

42. 发明专利

JP2009543327A Nano-element structure and a method of manufacturing the same 审中-公开
公开(公告)号：JP2009543327A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：JP2009517966
申请日：2007-06-22
申请人：コリア・インスティテュート・オブ・マシナリー・アンド・マテリアルズ
发明人：ソン，ジン‐ウォン , ハン，チャン‐ソー , ユーン，イョ‐ホワン , リー，ユン‐スグ
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01J1/304 , B81B7/0006 , B81B2207/07 , B82Y10/00 , H01J31/127 , H01J2201/30446 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , H01L51/0003 , H01L51/0021 , H01L51/0048
摘要：本発明によるナノ素子構造物はナノ物質層（２０）を容易に塗布し、ナノ物質層（２０）と電極の間の接触抵抗を減少させるように整列基準部（１６）が形成された基板（１０）と、前記基板上に塗布された複数のナノ物質層（２０）及び前記ナノ物質層（２０）の上面と接するように形成された電極を含む。

43. 发明专利

JP2009509786A Interconnection in Mems devices and mems equipment 审中-公开
公开(公告)号：JP2009509786A
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：JP2008533663
申请日：2006-09-29
申请人：クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
发明人：アラン・ジー・ルイス , グレゴリー・ディー・ウレン , ジョン・ベイティ , スティーブン・ズェー , マニシュ・コサリ , ミン−ホウ・タン , 照夫笹川
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , G02B26/02 , G09G3/34
CPC分类号： B81B7/0006 , B81B7/007 , B81B2201/047 , G02B26/001 , H02N1/006
摘要：微小電気機械システム装置であって、この装置の外側の電気回路網とこの装置の電極（１６）及び可動層（１４）の少なくとも１つとの間に電気相互接続を有する微小電気機械システム装置が提供される。この電気相互接続の少なくとも一部は、この装置のこの電極（１４）と機械層（９２）との間に導電層と同一の材料で形成される。一実施形態では、この導電層は、この電極（１６）とこの可動層（１４）との間にキャビティ（１９）を形成するために後に除去される犠牲層（６０）である。この犠牲層（６０）は、好ましくは、モリブデン、ドープされたシリコン、タングステンまたはチタンで形成される。一実施形態によれば、この導電層は、好ましくはアルミニウムを含む可動反射層である。

44. 发明专利

JP4012886B2 Method of manufacturing a micro-electro-mechanical systems using solder balls 有权
公开(公告)号：JP4012886B2
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：JP2004046490
申请日：2004-02-23
申请人：三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： ▲ミン▼ ▲ソ▼ 崔 , 聖熏左 , 雲培金
IPC分类号： B81C1/00 , B81C3/00 , B81B3/00 , B81B7/00 , H01L21/00 , H01L21/44 , H01L21/4763 , H01L21/60 , H01L23/10 , H01L23/12
CPC分类号： B81B7/0006 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

45. 发明专利

JP2005326620A Micromirror element 审中-公开
标题翻译： MICROMIRROR元素
公开(公告)号：JP2005326620A
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：JP2004144552
申请日：2004-05-14
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
发明人： XIAOYU MI , SONETA HIROMITSU , UEDA TOMOSHI , SAWAKI IPPEI
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/00 , G02B26/08
CPC分类号： B81B7/0006 , B81B2201/042 , G02B26/0841
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a micromirror element with which the upsizing of the element due to an increase in the number of mirror faces is suppressed and the operation condition of the mirror faces is appropriately detected. SOLUTION: The micromirror element X1 is provided with a frame part 130, a movable parts 110 and 120 having a mirror part, a micromirror substrate 100 on which the frame part 130 and a torsion bar 150 connecting the movable parts 110 and 120 are formed, a wiring substrate 200 on which a wiring pattern 210 is formed, and a conductive spacer 300 for separating the micromirror substrate 100 and the wiring substrate 200 and electrically connecting the frame part 130 and the wiring pattern 210. The wiring substrate 200 has a first face 201 facing to the micromirror substrate 100, and a detection means 400 for detecting the turning angle of the mirror part is provided on the first face 201. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种微镜元件，通过该微镜元件抑制由于镜面数量的增加引起的元件的尺寸增大，并且适当地检测了镜面的操作条件。解决方案：微镜元件X1设置有框架部分130，具有镜部分的可移动部分110和120，微镜基板100，框架部分130和连接可动部分110和120的扭杆150 形成有布线图案210的布线基板200和用于分离微镜基板100和布线基板200并电连接框架部130和布线图案210的导电间隔件300.布线基板200具有面对着微反射镜基板100的第一面201和检测反射镜部的转动角度的检测装置400设置在第一面201上。（C）2006，JPO＆NCIPI

46. 发明专利

JP2005197266A Mems device employing soi wafer, its fabrication process and grounding method 审中-公开
标题翻译：采用SOI WAFER的MEMS器件及其制造工艺及接地方法
公开(公告)号：JP2005197266A
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：JP2003182519
申请日：2003-06-26
申请人： Samsung Electro Mech Co Ltd , 三星電機株式会社
发明人： PARK KYU YEON , KIM KI HOON
IPC分类号： G01P15/00 , B81B7/00 , G01P15/08 , H01L21/00 , H01L27/01 , H01L27/12 , H01L29/84 , H01L31/0392
CPC分类号： B81B7/0006
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an MEMS (Micro-Electro Mechanical Systems, hereinafter referred to as "MEMS") device employing such an SOI (Silicon on Insulator) wafer as the ground hole of the device and a handle wafer are coupled electrically through a simple process without requiring any extra step, and also to provide its fabrication process and grounding method.
SOLUTION: The MEMS device 40 sandwiching an insulation layer between upper and lower silicon layers comprises: a first silicon layer 41; an insulation layer 42 formed on the first silicon layer 41; a second silicon layer 43 formed on the insulation layer 42; a protective layer 44 formed on the second silicon layer 43; and a ground hole GGH extending from the upper end part of the protective layer 44 to a part of the first silicon layer 41 with a conductor substance CM being formed internally.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了提供使用这种SOI（绝缘体上硅）晶片的MEMS（微机电系统，以下称为“MEMS”）器件作为器件的接地孔和处理晶片通过简单的工艺电连接，而不需要任何额外的步骤，并且还提供其制造工艺和接地方法。解决方案：在上硅层和下硅层之间夹持绝缘层的MEMS器件40包括：第一硅层41; 形成在第一硅层41上的绝缘层42; 形成在绝缘层42上的第二硅层43; 形成在第二硅层43上的保护层44; 以及从保护层44的上端部向内部形成有导体物质CM的第一硅层41的一部分的接地孔GGH。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

47. 发明专利

JP2004361394A Capacitive dynamical amount sensor 审中-公开
公开(公告)号：JP2004361394A
公开(公告)日：2004-12-24
申请号：JP2004130793
申请日：2004-04-27
申请人： Seiko Instruments Inc , セイコーインスツル株式会社
发明人： SHODA MITSUO , SUDO MINORU , KATO KENJI
IPC分类号： B81B7/00 , G01C19/56 , G01P15/08 , G01P15/125 , G01R27/26 , H01G5/04
CPC分类号： H01G5/04 , B81B7/0006 , B81C2203/0109 , G01C19/5719 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/084 , G01R27/2605
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a capacitive dynamical amount sensor which is low in cost and small in size.
SOLUTION: The sensor comprises a capacity detection electrode which is mounted on a lower glass plate is conducted electrically into an outer surface of an upper glass plate, by means of a through-hole and soft solder ball mounted on the upper glass plate; the electrodes connecting to an external substrate are collected on the outer surface of the upper glass plate so as to be mounted directly to the external substrate.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

48. 发明专利

JP2004047993A Method for forming bridge for microelectromechanical structure, and integrated circuit 审中-公开
公开(公告)号：JP2004047993A
公开(公告)日：2004-02-12
申请号：JP2003173074
申请日：2003-06-18
申请人： Intel Corp , インテルコーポレイション
发明人： MA QING , CHOU TSUNG-KUAN ALLEN
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/00 , B81B7/02 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L23/66 , H01L27/04
CPC分类号： H01L23/66 , B81B7/0006 , H01L23/5221 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a better method for connection in an MEMS device.
SOLUTION: The method comprises a step for forming a pair of first and second conductive strips (earthing wires 12a) separated from each other by a gap in a first conductive layer (bottom conductive layer 12); a step for forming a conductor (control voltage line 18) extending through the gap 22 in the first conductive layer; and a step for forming a conductive bridge 16e electrically connecting the first and second conductive strips to each other while being insulated from the conductor 18 in a second conductive layer (top conductive layer).
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

49. 发明专利

JP6235902B2 静電容量型トランスデューサ及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6235902B2
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：JP2013273672
申请日：2013-12-28
申请人：キヤノン株式会社
发明人：王詩男 , 渡辺信一郎
IPC分类号： A61B8/00 , H04R31/00 , H04R19/00
CPC分类号： G01N29/2418 , B06B1/0292 , B81B7/0006 , G01N29/0654 , G01N29/2406 , B81B2201/0271 , B81B2203/0127 , B81B2203/04 , B81B2207/07

50. 发明专利

JP6127611B2 静電容量型センサ、音響センサ及びマイクロフォン有权
公开(公告)号：JP6127611B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2013052538
申请日：2013-03-14
申请人：オムロン株式会社
发明人：井上匡志 , 笠井隆 , 内田雄喜
IPC分类号： H01L29/84 , H04R19/04
CPC分类号： H04R7/18 , B81B7/0006 , H04R19/005 , H04R19/04 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0307 , B81B2207/07 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/15151 , H01L2924/16152 , H04R2410/03

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式