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1. 发明专利

JP2005197266A Mems device employing soi wafer, its fabrication process and grounding method 审中-公开
标题翻译：采用SOI WAFER的MEMS器件及其制造工艺及接地方法
公开(公告)号：JP2005197266A
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：JP2003182519
申请日：2003-06-26
申请人： Samsung Electro Mech Co Ltd , 三星電機株式会社
发明人： PARK KYU YEON , KIM KI HOON
IPC分类号： G01P15/00 , B81B7/00 , G01P15/08 , H01L21/00 , H01L27/01 , H01L27/12 , H01L29/84 , H01L31/0392
CPC分类号： B81B7/0006
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an MEMS (Micro-Electro Mechanical Systems, hereinafter referred to as "MEMS") device employing such an SOI (Silicon on Insulator) wafer as the ground hole of the device and a handle wafer are coupled electrically through a simple process without requiring any extra step, and also to provide its fabrication process and grounding method.
SOLUTION: The MEMS device 40 sandwiching an insulation layer between upper and lower silicon layers comprises: a first silicon layer 41; an insulation layer 42 formed on the first silicon layer 41; a second silicon layer 43 formed on the insulation layer 42; a protective layer 44 formed on the second silicon layer 43; and a ground hole GGH extending from the upper end part of the protective layer 44 to a part of the first silicon layer 41 with a conductor substance CM being formed internally.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了提供使用这种SOI（绝缘体上硅）晶片的MEMS（微机电系统，以下称为“MEMS”）器件作为器件的接地孔和处理晶片通过简单的工艺电连接，而不需要任何额外的步骤，并且还提供其制造工艺和接地方法。解决方案：在上硅层和下硅层之间夹持绝缘层的MEMS器件40包括：第一硅层41; 形成在第一硅层41上的绝缘层42; 形成在绝缘层42上的第二硅层43; 形成在第二硅层43上的保护层44; 以及从保护层44的上端部向内部形成有导体物质CM的第一硅层41的一部分的接地孔GGH。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

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