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21. 发明专利

JP2014523130A Mode-locked optical pump semiconductor laser 审中-公开
公开(公告)号：JP2014523130A
公开(公告)日：2014-09-08
申请号：JP2014518875
申请日：2012-06-22
申请人：コヒレント, インコーポレイテッド
发明人：イアンマクギリブレイ， , アンドレアカプララ， , セルジェイゴボコブ，
IPC分类号： H01S5/14 , H01S5/065
CPC分类号： H01S5/0657 , H01S3/07 , H01S3/0813 , H01S3/094026 , H01S3/1118 , H01S3/1121 , H01S3/1306 , H01S3/1307 , H01S5/041 , H01S5/14 , H01S5/183
摘要：レーザ（１０）は、光ポンプ半導体ＯＰＳ利得構造（１６）を含む。本装置は、レーザに、モード同期パルスを送達させるためのモード同期デバイスを含む、レーザ共振器（１１）を有する。共振器は、モード同期パルスが、約１００ＭＨｚのパルス繰返し周波数で送達されるように選択された、総長を有する。共振器内の光学配列は、共振器内で循環する放射が、ＯＰＳ利得構造上に複数の入射をもたらすことを提供し、連続する入射間の時間は、利得構造の励起状態寿命未満である。

22. 发明专利

JP2014502090A Passive wavelength division multiplexing device and a system for automatic wavelength lock 有权
公开(公告)号：JP2014502090A
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：JP2013538614
申请日：2010-11-30
申请人：ソリッドインコーポレーテッドSolid,Inc. , ソリッドシステムスインコーポレーテッドSolid Systems,Inc. , ケムオプティクスインコーポレーテッドChemoptics Inc.
发明人：キウンナ , ウジンイ , クォンフンハン , スンロクチェ , テヒョンキム , ヨンウクノ
IPC分类号： H04B10/572 , G02F1/01 , H01S5/065 , H04B10/272 , H04B10/50 , H04J14/00 , H04J14/02
CPC分类号： H04J14/02 , H04B10/50575 , H04B10/506 , H04B10/572 , H04J14/0228 , H04J14/0272 , H04J14/0282
摘要：【課題】光多重化器、光フィルタ、集合型光受信器モニタ及び波長可変光伝送器を備えてなる自動波長ロックのための受動型波長分割多重化装置及びそのシステムの提供。
【解決手段】温度変化などの外部環境によって変化する光信号の波長を最大の光強度を有する光信号の波長に調整する波長ロックを行うことで安定した通信チャネルを保証して通信品質の極大化を図ることができ、ロックにかかる時間及び通信チャネルの設定にかかる時間などを短縮することができ、しかも、より確実なロックを保証することのできる自動波長ロックのための受動型波長分割多重化装置及びそのシステム。
【選択図】図３

23. 发明专利

JP2014007434A Mode-locked semiconductor laser element and semiconductor laser device assembly 审中-公开
标题翻译：模式锁定半导体激光元件和半导体激光器件组件
公开(公告)号：JP2014007434A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：JP2013217199
申请日：2013-10-18
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社 , Tohoku Univ , 国立大学法人東北大学
发明人： OKI TOMOYUKI , KURAMOTO MASARU , IKEDA MASAO , MIYAJIMA TAKAO , WATANABE HIDEKI , YOKOYAMA HIROYUKI
IPC分类号： H01S5/065 , H01S5/22 , H01S5/343
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mode-locked semiconductor laser element having a configuration capable of reducing the influence of piezo polarization and intrinsic polarization.SOLUTION: The mode-locked semiconductor laser element includes: a stacked structure including a sequential stack of a first compound semiconductor layer 30 composed of a GaN-based compound semiconductor, a third compound semiconductor layer 40 having a light-emitting region 41, and a second compound semiconductor layer 50; a second electrode 62; and a first electrode 61. The stacked structure is formed on a semi-polar or non-polar compound semiconductor substrate 21. The third compound semiconductor layer has a quantum well structure having a well layer and a barrier layer, and has an inclined waveguide. The flow of a current from the second electrode to the first electrode via the stacked structure generates an optical pulse in the light-emitting region.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有能够降低压电极化和固有极化影响的结构的锁模半导体激光元件。解决方案：锁模半导体激光元件包括：堆叠结构，其包括第一由GaN基化合物半导体构成的化合物半导体层30，具有发光区域41的第三化合物半导体层40和第二化合物半导体层50; 第二电极62; 和第一电极61.层叠结构形成在半极性或非极性化合物半导体衬底21上。第三化合物半导体层具有阱层和阻挡层的量子阱结构，并且具有倾斜波导。通过堆叠结构从第二电极到第一电极的电流的流动在发光区域中产生光脉冲。

24. 发明专利

JP5360828B2 Optical frequency synthesizer and optical frequency synthesis method using a femtosecond laser beam injection lock {Opticalfrequencysynthesizerandopticalfrequencysynthesizingmethodusingfemtosecondlaseropticalinjectionlocking} 有权
公开(公告)号：JP5360828B2
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：JP2009532284
申请日：2007-10-04
申请人：コリアリサーチインスティテュートオブスタンダーズアンドサイエンスKorea Research Institute Of Standards And Science
发明人：サンイオンパク , ハンセブムン , エクボンキム , チャンヨンパク , テグヨンクォン
IPC分类号： H01S5/065 , H01S3/23
CPC分类号： H01S5/4006 , H01S3/10092 , H01S3/1106 , H01S3/1603 , H01S3/1643
摘要： The present invention relates to an optical frequency synthesizer and an optical frequency synthesizing method using femtosecond laser optical injection locking, which inject a femtosecond laser optical frequency comb into a diode laser, thus obtaining single-mode laser light, phase-locked to only a single mode in the optical frequency comb, and which change the optical frequency and interval, that is, the repetition rate, of a femtosecond laser, together with the frequency of a semiconductor laser, thus scanning optical frequencies while realizing a single desired optical frequency. The optical frequency synthesizer using femtosecond laser optical injection locking, includes a mode-locked femtosecond laser (110), which is a master laser, and a diode laser (120), which is a slave laser and into which laser light emitted from the femtosecond laser is injected.

25. 发明专利

JP2013191895A Semiconductor laser element, method for driving the same, and semiconductor laser device 审中-公开
标题翻译：半导体激光元件及其驱动方法及半导体激光器件
公开(公告)号：JP2013191895A
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：JP2013139507
申请日：2013-07-03
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社 , Tohoku Univ , 国立大学法人東北大学
发明人： KURAMOTO MASARU , OKI TOMOYUKI , SUGAWARA TOMOYA , YOKOYAMA HIROYUKI
IPC分类号： H01S5/065 , H01S5/042 , H01S5/343
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser element of ultra short pulse and ultra high output, capable of emitting a pulse laser beam having higher peak power notwithstanding its simple configuration and structure.SOLUTION: A semiconductor laser element comprises: (A) a laminated structure composed of a first compound semiconductor layer 30 containing an n-type impurity, an active layer 40 having a quantum well structure, and a second compound semiconductor layer 50 containing a p-type impurity; (B) a first electrode 61 electrically connected to the first compound semiconductor layer 30; and (C) a second electrode 62 electrically connected to the second compound semiconductor layer 50. The second compound semiconductor layer 50 is provided with an electron barrier layer 53 having a thickness of not less than 1.5×10m. The second electrode 62 is separated into a first portion 62A and a second portion 62B by an isolation groove 63. The semiconductor laser element is driven by a pulse voltage having a value twice or more of a threshold voltage.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有超短脉冲和超高输出的半导体激光元件，其能够发射具有较高峰值功率的脉冲激光束，尽管其结构和结构简单。解决方案：半导体激光元件包括：（A）由包含n型杂质的第一化合物半导体层30，具有量子阱结构的有源层40和含有p型杂质的第二化合物半导体层50组成的层叠结构; （B）与第一化合物半导体层30电连接的第一电极61; 和（C）与第二化合物半导体层50电连接的第二电极62.第二化合物半导体层50设置有厚度不小于1.5×10μm的电子阻挡层53。第二电极62通过隔离槽63分成第一部分62A和第二部分62B。半导体激光元件由具有阈值电压的两倍或更多值的脉冲电压驱动。

26. 发明专利

JP5184804B2 Semiconductor laser, laser module and a method of manufacturing a semiconductor laser having the same 有权
公开(公告)号：JP5184804B2
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：JP2007083846
申请日：2007-03-28
申请人：株式会社国際電気通信基礎技術研究所 , 古河電気工業株式会社
发明人：順自吉田 , 則之横内 , 卓久原山 , 丈浩福嶋
IPC分类号： H01S5/16 , H01S5/065

27. 发明专利

JP5138023B2 Semiconductor laser element 有权
公开(公告)号：JP5138023B2
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：JP2010273359
申请日：2010-12-08
申请人：ソニー株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：智之大木 , 秀輝渡邊 , 倫太郎幸田 , 大倉本 , 弘之横山
IPC分类号： H01S5/065 , H01S5/22 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/06253 , H01S5/0658 , H01S5/1014 , H01S5/1064 , H01S5/141 , H01S5/22

28. 发明专利

JP2012195475A Semiconductor laser element assembly and method of driving the same 有权
标题翻译：半导体激光元件组件及其驱动方法
公开(公告)号：JP2012195475A
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：JP2011058899
申请日：2011-03-17
申请人： Sony Corp , Tohoku Univ , ソニー株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人： OKI TOMOYUKI , KURAMOTO MASARU , KODA RINTARO , WATANABE HIDEKI , YOKOYAMA HIROYUKI
IPC分类号： H01S5/065
CPC分类号： H01S5/0602 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/1064 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2301/166
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser element assembly that can emit laser light with high power.SOLUTION: A semiconductor laser element assembly comprises a semiconductor laser element 10 and a light reflection device 70. A stacked structure constituting the semiconductor laser element 10 has a ridge stripe structure 56. Laser light is emitted from one edge face 57A of the ridge stripe structure 56, a part of the laser light is reflected by the light reflection device 70 and is returned to the semiconductor laser element 10, and the rest of the laser light is emitted from the light reflection device to the outside. In addition, the laser light is reflected at the other edge face 57B of the ridge stripe structure 56. When the minimum width of the ridge stripe structure is Wand the maximum width of the ridge stripe structure is W, the following relation is satisfied: 1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够以高功率发射激光的半导体激光元件组件。解决方案：半导体激光元件组件包括半导体激光元件10和光反射装置70.构成半导体激光元件10的堆叠结构具有脊状条纹结构56.激光从一个边缘面57A发射脊条纹结构56，一部分激光被光反射装置70反射并返回到半导体激光元件10，其余的激光从光反射装置发射到外部。此外，激光在脊条结构56的另一边缘面57B处被反射。当脊条纹结构的最小宽度为W min 时，最大宽度脊条纹结构为W max ，满足以下关系：1 max / W min <3.3或6≤W max / W min ≤13.3。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

29. 发明专利

JP4946662B2 Optical clock signal reproduction device, an optical clock signal reproduction method 有权
公开(公告)号：JP4946662B2
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：JP2007170888
申请日：2007-06-28
申请人：沖電気工業株式会社
发明人：慎荒平
IPC分类号： H01S5/065 , B82Y20/00 , H04B10/40 , H04B10/50 , H04B10/508 , H04B10/524 , H04B10/556 , H04B10/58 , H04B10/60
CPC分类号： H04L7/0075 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/0265 , H01S5/0656 , H01S5/0657 , H01S5/5036

30. 发明专利

JP2012089776A Semiconductor laser device assembly 有权
标题翻译：半导体激光器件组件
公开(公告)号：JP2012089776A
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：JP2010237094
申请日：2010-10-22
申请人： Sony Corp , Tohoku Univ , ソニー株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人： KONO SHUNSUKE , YOKOYAMA HIROYUKI , KURAMOTO MASARU , OKI TOMOYUKI
IPC分类号： H01S5/065
CPC分类号： H01S5/0657 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/141 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser device assembly capable of suppressing occurrence of a problem of a mode synchronous operation becoming instable and capable of obtaining a large output.SOLUTION: The semiconductor laser device assembly comprises: (A) a mode synchronous semiconductor laser element 10; (B) an external resonator; a diffraction grating 100 to return diffraction light of the first or higher order to the mode synchronous semiconductor laser element 10 and output 0-order diffraction light to the outside; and imaging means 101 between the mode synchronous semiconductor laser element 10 and the diffraction grating 100 to image an image of a light emission end face of the mode synchronous semiconductor laser element 10 on the diffraction grating.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制模式同步操作变得不稳定并且能够获得大输出的问题的发生的半导体激光装置组件。解决方案：半导体激光器件组件包括：（A）模式同步半导体激光器元件10; （B）外部谐振器; 衍射光栅100，将第一或更高阶的衍射光返回到模式同步半导体激光元件10，并将0级衍射光输出到外部; 以及模式同步半导体激光元件10与衍射光栅100之间的成像装置101，以将衍射光栅上的模式同步半导体激光元件10的发光端面的图像成像。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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