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21. 发明专利

JP3593371B2 Insulated gate semiconductor device 失效
公开(公告)号：JP3593371B2
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：JP32601094
申请日：1994-12-27
申请人：株式会社ルネサステクノロジ
发明人：泰男丸山 , 嶺雄勝枝 , 功吉田
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/49
CPC分类号： H01L29/7835 , H01L29/0692 , H01L29/4175 , H01L29/41758 , H01L29/4238 , H01L29/4925

22. 发明专利

JP2004529489A The method of forming the high dielectric constant gate insulating layer 审中-公开
公开(公告)号：JP2004529489A
公开(公告)日：2004-09-24
申请号：JP2002565356
申请日：2002-02-12
申请人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド
发明人：マイケルイー．ギブンス , エリックジェイ．シェロ , マイケルエイ．トッド , クリストーフポマレード
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/02 , C30B25/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/4763 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC分类号： H01L21/28194 , B82Y10/00 , C23C16/0272 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/28035 , H01L21/28044 , H01L21/28525 , H01L21/28556 , H01L29/4925 , H01L29/517 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：電極層を高誘電率(「high-k」)材料上に形成する方法を提供する。例示の実施の形態では、酸化ジルコニウムなどの高誘電率ゲート絶縁層をまず形成し(70)、次いで後続のシリコン含有ゲート電極の成膜(79)中に還元されないように保護する。具体的には、シード成膜フェーズ(74)は、ゲート絶縁層の水素による還元が最低限になるように選択された条件を含み、それは低い水素含有量、低温および／または低い分圧のシリコン原料ガスを含む。好ましくは、成膜速度がより速くなるように条件を変更し(76)、バルクフェーズ(78)で成膜を続ける。しかし、上記のパラメータを制御することによって、水素の拡散をさらに最低限に抑えることが望ましい。ある実施の形態では、水素キャリヤガスを省略して、高誘電率絶縁層の還元を最低限に抑えている。別の実施の形態では、ジシランやトリシランなどのより高配位のシランが、与えられた成膜速度において水素含有量を減少させるのに役立つ。

23. 发明专利

JP6164636B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6164636B2
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：JP2013043407
申请日：2013-03-05
申请人：ローム株式会社
发明人：中野佑紀 , 中村亮太
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/49 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/0661 , H01L29/0688 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/36 , H01L29/41766 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/4916 , H01L29/4925 , H01L29/4958 , H01L29/518 , H01L29/7809 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/0619 , H01L29/407 , H01L29/42372

24. 发明专利

JP5700027B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5700027B2
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：JP2012268293
申请日：2012-12-07
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：澤田友成
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L29/0634 , H01L29/407 , H01L29/4916 , H01L29/4925 , H01L29/7397 , H01L29/4236

25. 发明专利

JP2014175314A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014175314A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2013043407
申请日：2013-03-05
申请人： Rohm Co Ltd , ローム株式会社
发明人： NAKANO YUUKI , NAKAMURA RYOTA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/0661 , H01L29/0688 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/36 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42372 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/4916 , H01L29/4925 , H01L29/4958 , H01L29/518 , H01L29/7809 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which can improve flatness of a surface metal layer without sacrificing of voltage endurance characteristics in the past.SOLUTION: A semiconductor device 1 includes: an ntype epitaxial layer 10 having a cell part 2 and a peripheral part 3 arranged around the cell part 2; and a surface insulation film 26 which is arranged to bridge over the cell part 2 and the peripheral part 3 and formed so as to become thinner at the cell part 2 than a part in the peripheral part 3. By doing this, flatness of the surface metal layer can be improved without sacrificing of voltage endurance characteristics in the past.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件，其可以在不牺牲过去的耐电压特性的情况下提高表面金属层的平坦度。解决方案：半导体器件1包括：n型外延层10，其具有单元部分2和外围围绕电池部分2布置的部分3; 以及表面绝缘膜26，其布置成跨越单元部分2和周边部分3，并且形成为比单元部分2在周边部分3中的部分更薄。通过这样做，表面的平坦度可以改善金属层，而不会牺牲过去的耐电压特性。

26. 发明专利

JP2014116399A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014116399A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：JP2012268293
申请日：2012-12-07
申请人： Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
发明人： SAWADA TOMONARI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L29/0634 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4916 , H01L29/4925 , H01L29/7397
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high breakdown voltage semiconductor device in which a leak current is suppressed.SOLUTION: The semiconductor device has: a semiconductor substrate comprising a drift layer of a first conductivity type, a body layer of a second conductivity type which is formed on a surface of the drift layer, and a source layer formed on a part of a surface of the body layer; and a trench gate penetrating through the source layer and the body layer from a surface of the semiconductor substrate to the drift layer. The trench gate includes a trench formed in the semiconductor substrate, a gate insulating film formed on an inner wall surface of the trench, and a gate electrode covered by the gate insulating film and accommodated in the trench. The gate electrode has a region located on the side closer to the drift layer than the boundary between the body layer and the drift layer. The region includes at least one first semiconductor layer of the first conductivity type and one second semiconductor layer of the second conductivity type. The first semiconductor layer and the second semiconductor layer are joined to each other and arranged alternately.
摘要翻译：要解决的问题：提供抑制泄漏电流的高耐压电压半导体器件。解决方案：半导体器件具有：半导体衬底，其包括第一导电类型的漂移层，第二导电类型的体层，形成在所述漂移层的表面上，以及源层，形成在所述主体层的表面的一部分上; 以及从半导体衬底的表面穿透源极层和主体层到沟道层的沟槽栅极。沟槽栅极包括形成在半导体衬底中的沟槽，形成在沟槽的内壁表面上的栅极绝缘膜和被栅极绝缘膜覆盖并容纳在沟槽中的栅电极。栅电极具有位于比体层和漂移层之间的边界更靠近漂移层的一侧的区域。该区域包括第一导电类型的至少一个第一半导体层和第二导电类型的一个第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层彼此接合并交替布置。

27. 发明专利

JP2014514756A Silicon carbide semiconductor device having a gate electrode 审中-公开
公开(公告)号：JP2014514756A
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：JP2014502732
申请日：2012-03-28
申请人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人：アーサー，スティーブン・デイリー , ジョンソン，タミー・リン , マイケル，ジョセフ・ダリル , フロンハイザー，ジョディー・アラン , リリエンフェルド，デイビッド・アラン , マトチャ，ケビン・シーン , ホーキンス，ウィリアム・グレッグ
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/74 , H01L29/749 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/045 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/4925 , H01L29/4933 , H01L29/7395 , H01L29/7455 , H01L29/7802
摘要：一実施形態によれば、半導体デバイスは、炭化ケイ素を含み、第１の表面上で基板の一部の上に配置されたゲート電極を有し、基板の第２の表面上に配置されたドレイン電極を有する半導体基板を有する。ゲート電極上に配置された誘電体層、および誘電体層の上に、内部にまたは下方に配置されたリメディアル層があり、リメディアル層は、負バイアス温度不安定性を軽減するように構成され、約１ボルト未満のしきい値電圧の変化を維持する。ソース電極は、リメディアル層上に配置され、ソース電極は、半導体基板のソースコンタクト領域に電気的に結合される。
【選択図】図１

28. 发明专利

JP5195747B2 A method of manufacturing a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5195747B2
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：JP2009506176
申请日：2007-03-27
申请人：富士通セミコンダクター株式会社
发明人：秀暢福留 , 裕之大田 , 貢田島
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28035 , H01L21/823807 , H01L29/4925 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7834 , H01L29/7845 , H01L29/7848
摘要： A semiconductor device includes a transistor configuration including first and second gate electrodes, each of the first and second gate electrodes having at least a bottom layer and an upper layer including polycrystalline silicon grains, wherein the first gate electrode is a nMOS gate electrode formed in an nMOS region of the transistor configuration, wherein the polycrystalline silicon grains included in the bottom layer of the first gate electrode have a greater particle diameter than the polycrystalline grains included in the upper layer of the second gate electrode.

29. 发明专利

JP2013074189A Semiconductor device and manufacturing method of the same 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2013074189A
公开(公告)日：2013-04-22
申请号：JP2011213120
申请日：2011-09-28
申请人： Elpida Memory Inc , エルピーダメモリ株式会社
发明人： FUKUSHIMA YOICHI , NISHISAKA MIKA
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/10876 , H01L21/28035 , H01L21/28273 , H01L27/10808 , H01L27/10891 , H01L27/10894 , H01L29/4925
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem that an ion implanted in a gate electrode film reaches a channel region to affect electrical characteristics of an MISFET.SOLUTION: A field effect transistor comprises a first gate electrode film formed on a principal surface of a semiconductor substrate via a gate insulation film and consisting primarily of silicon containing an impurity to be a first conductivity type; an intermediate layer formed on the first gate electrode film and consisting primarily of silicon containing one or both of oxygen and nitrogen; and a second gate electrode film formed on the first gate electrode film via the intermediate layer and consisting primarily of silicon containing the impurity to be the first conductivity type.
摘要翻译：解决的问题：为了解决注入在栅电极膜中的离子到达沟道区域以影响MISFET的电特性的问题。解决方案：场效应晶体管包括通过栅极绝缘膜形成在半导体衬底的主表面上的第一栅电极膜，主要由含有杂质的硅构成为第一导电类型; 形成在所述第一栅极电极膜上并且主要由含有氧和氮中的一个或两个的硅组成的中间层; 以及第二栅电极膜，其经由所述中间层形成在所述第一栅电极膜上，并且主要由含有所述杂质的硅构成为第一导电类型。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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