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21. 发明专利

JP2019201046A DAF 审中-公开
公开(公告)号：JP2019201046A
公开(公告)日：2019-11-21
申请号：JP2018093287
申请日：2018-05-14
申请人：株式会社ディスコ
发明人：岡村卓 , 中村勝 , 淀良彰
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/52
摘要：【課題】効率的に改質層を形成することを可能とするDAFを提供すること。【解決手段】DAF115は、DAF115が透過性を有する波長のレーザー光線を吸収する吸光材15が複数混入されている。DAF115に混入される吸光材15は、DAF115に照射されるレーザー光線を吸収し、DAF115の内部を加熱する。その結果、DAF115の内部に効率的に改質層を形成できる。すなわち、DAF115の内部に形成される改質層が、エキスパンド処理によって分割されるDAF115の分割起点として機能する。【選択図】図5

22. 发明专利

JP2019197802A DAF 审中-公开
公开(公告)号：JP2019197802A
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：JP2018090705
申请日：2018-05-09
申请人：株式会社ディスコ
发明人：岡村卓 , 中村勝 , 淀良彰
IPC分类号： H01L21/301
摘要：【課題】被加工物を加工する際の所要時間を抑制しつつ、デバイスチップ毎に容易に分割することができるDAFを提供すること。【解決手段】ウエーハから分割されたデバイスチップを被固定部材に固定するためのDAF115であって、内部に破断起点となる改質層20が形成されている。この改質層20がスポット状に形成されている。DAF115は、エキスパンドテープ117の上に積層されて該エキスパンドテープ117と一体に成形されている。【選択図】図3

23. 发明专利

JP2019197758A 被加工物の加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019197758A
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：JP2018089400
申请日：2018-05-07
申请人：株式会社ディスコ
发明人：岡村卓 , 中村勝 , 淀良彰
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/683 , B23K26/53 , B24B1/00 , B24B7/22 , H01L21/301
摘要：【課題】煩雑な工程を要さずDAFをデバイスチップ毎に分割することが出来る被加工物の加工方法を提供すること。【解決手段】被加工物の加工方法は、DAFが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点をDAFに設定してレーザー光線をDAFに照射してDAFの全体に改質層を形成するDAF改質層形成ステップST1と、被加工物が透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を被加工物の内部に設定して分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射して被加工物に改質層を形成する破断起点形成ステップST2と、被加工物を裏面から研削し改質層に沿って被加工物をデバイスチップに分割する裏面研削ステップST3と、被加工物の裏面に改質層が形成されたDAFを貼着するDAF貼着ステップST4と、DAFを拡張してDAFをデバイスチップ毎に破断するDAF破断ステップST5とを備える。【選択図】図3

24. 发明专利

JP2019181656A 切削ブレードの整形方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019181656A
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：JP2018079167
申请日：2018-04-17
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： B24B53/12 , B23K26/53 , B24B53/00
摘要：【課題】切削ブレードの先端形状が複数種となる場合に、ドレス用部材を予め用意する負担を軽減できるようにすること。【解決手段】ドレス用部材(B)に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をドレス用部材の内部に位置づけて一方の面から複数回レーザービームを照射する。このレーザービームの照射によってドレス用部材の内部に複数の改質層(R)を形成する。その後、切削ブレード(10)で改質層に至るまでドレス用部材を切削し、複数の改質層により形作られた所定の形状に切削ブレードの形状を整形する。【選択図】図3

25. 发明专利

JP6560052B2 密着度合検出方法有权
公开(公告)号：JP6560052B2
公开(公告)日：2019-08-14
申请号：JP2015153425
申请日：2015-08-03
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： B24B49/12 , H01L21/683 , H01L21/301 , H01L21/304

26. 发明专利

JP2018078249A ウェーハの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018078249A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2016220796
申请日：2016-11-11
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： B23K26/53 , H01L21/301
摘要：【課題】ウェーハから分割されたチップ側面の汚染を防止できるようにすること。【解決手段】分割予定ライン(L)に沿ってウェーハ(W)内部に改質層(R)を形成した後、研削動作により改質層を起点としてウェーハを分割予定ラインに沿って分割する。次いで、研削されたウェーハの裏面側にエキスパンドテープ(ET)を貼着した後、隣接するチップ(C)同士を離間させる方向にエキスパンドテープを拡張し、隣接するチップ間に間隙(S)を形成する。その後、チップ間の間隙にドライアイス微粒子(DR)を複数のチップ間に沿って高速噴射させ、チップ間を洗浄する。【選択図】図6

27. 发明专利

JP2018064078A 積層チップの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018064078A
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：JP2016203071
申请日：2016-10-14
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/304 , H01L21/301 , B24B7/04 , B24B27/06 , H01L25/065
摘要：【課題】所定の厚みに揃った積層チップを製造できる新たな積層チップの製造方法を提供する。【解決手段】複数のチップが積層された積層チップの製造方法であって、ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄くし、ウェーハを複数のチップへと分割するチップ形成ステップと、チップ形成ステップで得られた各チップの厚みを測定する測定ステップと、複数のチップを積層した際に所定の厚みになるように、測定ステップで測定した各チップの厚みに基づき積層すべき複数のチップを選択して積層するチップ積層ステップと、を含む。【選択図】図3

28. 发明专利

JP2018058084A レーザー加工装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018058084A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016197035
申请日：2016-10-05
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： B23K26/53 , H01L21/301 , B23K26/00
摘要：【課題】ウエーハの表面全体において緩やかに変化する凹凸をイメージすることができ、レーザー加工を実施する際の集光器の焦点位置を正確に位置付けることが可能なレーザー加工装置を提供する。【解決手段】制御手段は、該加工送り手段を作動して該保持手段に保持された該ウエーハの複数の所定位置を該高さ計測手段に位置付けて該所定位置の高さを計測し、該所定位置の高さをX座標、Y座標に対応したZ座標として記憶する座標記憶部と、X座標軸、Y座標軸、Z座標軸の3次元座標軸を該表示手段47に表示すると共に該座標記憶部に記憶されている該複数の所定位置のX座標、Y座標、Z座標を該3次元座標軸に表して3次元グラフを作成するレーザー加工装置。【選択図】図5

29. 发明专利

JP2017199781A ウエーハの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017199781A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2016089088
申请日：2016-04-27
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/53 , H01L21/683 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/6836 , H01L21/6838 , H01L2221/68327 , H01L2221/68363
摘要：【課題】ウエーハ内部に改質層を形成するレーザー加工時に意図しない箇所に割れ現象が生じることを防止する。【解決手段】ウエーハ10の表面に保護テープを貼着してから第1のチャックテーブルに保護テープ側を保持して裏面を研削して薄化し、搬送手段50によってウエーハの裏面を吸引保持して第1のチャックテーブルから搬出した後第2のチャックテーブル60にウエーハを搬送し、ウエーハの保護テープ側を保持面に保持して搬送手段の吸引パッド54をウエーハの裏面から離反させ、ウエーハの裏面からレーザー光線を照射して分割予定ラインに沿って改質層を形成する工程を少なくとも含む。搬送工程では、ウエーハを第2のチャックテーブルの保持面に載置した後に吸引パッドの吸引力を遮断し吸引パッドと保持面とでウエーハを挟持し、保持面に吸引力を作用させ保護テープ側を吸引保持してから吸引パッドをウエーハの裏面から離反させる。【選択図】図7

30. 发明专利

JP2017017290A ウエーハの加工方法审中-公开
标题翻译：该晶片处理方法
公开(公告)号：JP2017017290A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2015135531
申请日：2015-07-06
申请人：株式会社ディスコ
发明人：中村勝
IPC分类号： B23K26/53 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/53 , B23K2203/56
摘要：【課題】本発明の課題は、パルスレーザー光線による改質層とクラックの形成後、研削工程を実行し、個々のデバイスに分割する場合に、デバイスの品質低下を招くことがないウエーハの加工方法を提供することにある。【解決手段】上記課題を解決するため、本発明のウエーハの加工方法の改質層形成工程において設定されるパルスレーザー光線のパワーを、裏面研削工程にて設定される所定の研削条件にて研削することにより、仕上がり厚みに達する前にウエーハを個々のデバイスに分割可能で且つ個々のデバイスに分割された後、仕上がり厚みに達するまでの時間において個々のデバイス同士が擦れて損傷を生じることのない程度の時間となる改質層及びクラックを形成するパワーに設定する。【選択図】図2
摘要翻译：通过光和裂缝形成所述脉冲激光改性层后，本发明的一个目的，运行研磨步骤，在分割为各个装置的情况下，该晶片处理方法未在装置的质量造成的恶化它是提供。解决方案为了解决上述问题，所述脉冲激光束的功率，以在改性层形成在本发明的晶片处理方法的步骤来设定，在背面研磨步骤中设置的预定条件磨削磨通过，在被划分成与各个设备可以在到达最终厚度之前分割晶片分成单独的器件，而不会引起损坏时刻各个装置相互摩擦程度到达终点厚度设置电源，以形成时间成为改质层和裂缝。 .The

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