专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

JP2018145052A 単結晶シリコン中の炭素濃度測定方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018145052A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2017042067
申请日：2017-03-06
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆 , 高沢雅紀
IPC分类号： G01N21/62 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , G01N21/62
摘要：【課題】製品部の酸素濃度が5ppma−JEIDAを超えるシリコン単結晶であっても、FT−IRでは測定できない低濃度の炭素濃度を測定できる単結晶シリコン中の炭素濃度測定方法を提供する。【解決手段】水平磁場を印加したシリコン融液からチョクラルスキー法によって引上げられたシリコン単結晶の炭素濃度の測定方法であって、酸素濃度が5ppma−JEIDA以下となる前記シリコン単結晶の丸め部の領域から検査サンプルを切り出し、低温PL測定によって前記検査サンプルの炭素濃度を測定することで、炭素濃度の測定下限値を5×10 14 atoms/cm 3 以下とし、前記シリコン単結晶の直胴中の炭素濃度の算出を行うことを特徴とする単結晶シリコン中の炭素濃度測定方法。【選択図】図1

22. 发明专利

JP2018111611A 単結晶製造方法及び単結晶引き上げ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018111611A
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：JP2017001070
申请日：2017-01-06
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆 , 鎌田洋之 , 高沢雅紀
IPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06
摘要：【課題】ASTM’80で、2.2×10 17 (atoms/cm 3 )以下の低酸素結晶が得られるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法及び引き上げ装置の提供。【解決手段】水平磁場印加チョクラルスキー法による単結晶製造方法であって、ヒーター4が、垂直方向の部分の上スリットの下端位置8bが垂直方向以外の部分の上スリットの下端位置8aよりも高くすなどの手段により、水平磁場の磁力線と超電導コイルの中心軸を含む水平面内で磁力線に垂直な垂直方向における石英坩堝2bの外周面の熱中心高さを、単結晶インゴットの直胴の引上げ開始時における石英坩堝2b底から湯面までの高さを100%とするとき、100%以上130%以下の高さとし、かつ、磁力線と超電導コイルの中心軸を含む水平面内であり垂直方向以外の方向における石英坩堝2bの外周面の熱中心高さを、60%以上80%以下の高さとする単結晶製造方法。【選択図】図1

23. 发明专利

JP2017168771A シリコン単結晶の加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017168771A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016054919
申请日：2016-03-18
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆 , 小内駿英 , 菅原孝世 , 鎌田洋之 , 高沢雅紀 , 星亮二 , 太田友彦 , 三木克彦
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/22 , C30B33/00 , B24B5/04 , H01L21/304
摘要：【課題】CZ法により育成した単結晶シリコンインゴットをスライス用インゴットに加工する際に、単結晶シリコンインゴットの直胴部の周辺部において点欠陥が外方拡散することによる、欠陥分布が湾曲した領域を含まないスライス用インゴットを簡便に加工することができるシリコン単結晶の加工方法を提供することを目的とする。【解決手段】チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットをスライス用インゴットに加工する方法であって、育成したシリコン単結晶インゴットの直胴部から、円柱状のシリコン単結晶を成長軸方向に同心円状にくり貫いてスライス用インゴットに加工するシリコン単結晶の加工方法。【選択図】図1

24. 发明专利

JP2016108204A 単結晶引上げ装置有权
标题翻译：单晶拉丝装置
公开(公告)号：JP2016108204A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014249814
申请日：2014-12-10
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高沢雅紀 , 高野清隆
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
摘要：【課題】冷却筒の経時的な冷却能力の低下を防止することができる単結晶引上げ装置を提供する。【解決手段】加熱ヒータと原料融液を収容する石英ルツボとが配置されたメインチャンバーと、該メインチャンバー上に設けられた引上げチャンバーと、前記メインチャンバーの天井部より延設され、前記原料融液の直上に設けられ、引上げられた単結晶棒を冷却する冷却筒とを有する単結晶引上げ装置であって、前記冷却筒は冷却水が通過する流路を有し、前記流路の前記原料融液側の先端部に、前記流路の内部を観察する観察装置が設けられたものであることを特徴とする単結晶引上げ装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够防止冷却筒的冷却能力随时间下降的单晶拉制装置。解决方案：单晶体的拉动装置包括：主室，其中加热加热器和石英坩埚用于容纳原料熔体; 布置在主室上的拉动室; 以及冷却筒，其从主室的顶部延伸并且布置在原料熔体的正上方，以冷却上拉的单晶棒。冷却缸配备有冷却水流动的流路，在流路的原料熔融侧的前端设置用于观察流路内部的观察装置。图1

25. 发明专利

JP5849932B2 チャージ方法有权
标题翻译：充电方法
公开(公告)号：JP5849932B2
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：JP2012244545
申请日：2012-11-06
申请人：信越半導体株式会社
发明人：小田道明 , 高野清隆
IPC分类号： C30B15/02 , C30B15/10 , C30B29/20
CPC分类号： C30B15/02 , C30B29/20 , C30B15/10

26. 发明专利

JP6662330B2 単結晶シリコン中の炭素濃度測定方法有权
公开(公告)号：JP6662330B2
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：JP2017042067
申请日：2017-03-06
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆 , 高沢雅紀
IPC分类号： G01N21/62 , C30B29/06

27. 发明专利

JP6390577B2 シリコン単結晶基板の評価方法有权
公开(公告)号：JP6390577B2
公开(公告)日：2018-09-19
申请号：JP2015196046
申请日：2015-10-01
申请人：信越半導体株式会社
发明人：木村明浩 , 菅原孝世 , 高野清隆
IPC分类号： C30B29/06 , G01N27/02 , H01L21/66

28. 发明专利

JP6299543B2 抵抗率制御方法及び追加ドーパント投入装置有权
公开(公告)号：JP6299543B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2014190199
申请日：2014-09-18
申请人：信越半導体株式会社
发明人：星亮二 , 鎌田洋之 , 高野清隆
IPC分类号： C30B29/06

29. 发明专利

JP6281479B2 単結晶引上げ装置有权
公开(公告)号：JP6281479B2
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：JP2014249814
申请日：2014-12-10
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高沢雅紀 , 高野清隆
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06

30. 发明专利

JP2017206396A 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017206396A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2016098073
申请日：2016-05-16
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆 , 菅原孝世 , 太田友彦 , 浦野雅彦
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
摘要：【課題】育成する単結晶中の酸素濃度を低減できるとともに、育成する単結晶中の成長縞を抑制することができ、同じ引き上げ装置において、簡便な方法で酸素濃度の高い単結晶も得ることができる単結晶引き上げ装置の提供。【解決手段】加熱ヒータ3及び溶融した単結晶原料6が収容される坩堝2が配置され中心軸10を有する引き上げ炉1と、引き上げ炉1の周囲に設けられ超伝導コイル4を有する磁場発生装置30とを備え、超電導コイル4への通電により溶融した単結晶原料6に水平磁場を印加して、溶融した単結晶原料6の坩堝2内での対流を抑制する単結晶引き上げ装置11であって、磁場発生装置30は、超電導コイル4のコイル軸を含む水平面12内の中心軸10における磁力線7の方向が互いに異なり、かつ磁場分布が互いに異なる、2種類の磁場を切り替えて発生させることができる単結晶引き上げ装置11。【選択図】図1

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式