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11. 发明专利

JP2011162417A Dielectric ceramic for high frequency, method for producing the same, and high frequency circuit element using the same 审中-公开
标题翻译：用于高频率的电介质陶瓷，用于制造它们的方法和使用它的高频电路元件
公开(公告)号：JP2011162417A
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：JP2010029617
申请日：2010-02-15
申请人： Ube Industries Ltd , 宇部興産株式会社
发明人： KONO TAKASHI , YAMANAGA MASATAKA , OKABE ATSUSHI
IPC分类号： C04B35/20 , C04B35/00 , H01B3/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dielectric ceramic for high frequency in which electrical properties in a high frequency region are excellent and production is facilitated, a method for producing the same, and a high frequency circuit element using the dielectric ceramic for high frequency as a constituting member and having excellent electrical properties.
SOLUTION: The dielectric ceramic for high frequency comprises a main component expressed by compositional formula: a(Sn, Ti)O
2 -bMg
2 SiO
4 -cMgTi
2 O
5 -dMgSiO
3 ; wherein a, b, c and d are mol% and, a, b, c and d respectively lie within the ranges of 10≤a≤37, 34≤b≤82, 4≤c≤15 and 4≤d≤15, and a+b+c+d=100, and an additional component made of MgO, and in which the additional component is added by 0.5 to 2.0 pts.wt. to 100 pts.wt. of the main component. The high frequency circuit element uses the same as a constituting member.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种高频区域的电气特性优异且易于生产的高频电介质陶瓷及其制造方法以及使用电介质陶瓷的高频电路元件高频作为构成元件，具有优异的电性能。解决方案：用于高频率的电介质陶瓷包括由组成式表示的主要组分：a（Sn，Ti）O 2 SB SB-2 SBB -cMgTi 2 0 5 -dMgSiO 3 ; 其中a，b，c和d分别为mol％，a，b，c和d分别在10≤a≤37,34≤b≤82,4≤c≤15和4≤d≤15的范围内，和a + b + c + d = 100，以及由MgO制成的附加组分，并且其中添加组分加入0.5至2.0重量份。到100磅的主要组成部分。高频电路元件与构成部件相同。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

14. 发明专利

JP4426524B2 Inorganic porous material and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4426524B2
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：JP2005503540
申请日：2004-03-10
申请人：日本碍子株式会社
发明人：崇弘冨田
IPC分类号： C04B38/00 , C04B35/14 , C04B35/18 , C04B35/195 , C04B35/20 , C04B35/46 , C04B35/622
CPC分类号： C04B38/0051 , C04B38/0074

15. 发明专利

JP4353183B2 Dielectric ceramic composition and a multilayer electronic component 有权
公开(公告)号：JP4353183B2
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：JP2005516304
申请日：2004-12-10
申请人：株式会社村田製作所
发明人：晴信佐野 , 浩田村
IPC分类号： C04B35/46 , C04B35/20 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： C04B35/20 , B32B2311/09 , C04B2235/3213 , C04B2235/3232 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2237/341 , C04B2237/408 , H01G4/1218 , H01G4/30

16. 发明专利

JP2009215144A Manufacturing method of high frequency forsterite porcelain from asbestos 审中-公开
标题翻译：来自ASBESTOS的高频砷酸钙的制备方法
公开(公告)号：JP2009215144A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：JP2008063497
申请日：2008-03-13
申请人： Nagoya Institute Of Technology , 国立大学法人名古屋工業大学
发明人： TAKEDA HAYAMI , HASHIMOTO SHINOBU , AIKAWA KENICHIRO
IPC分类号： C04B35/20 , A62D3/36 , A62D101/41 , B09B3/00 , C01B33/22 , C04B35/00 , H01B3/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a high-frequency forsterite (Mg
2 SiO
4 ) porcelain by using an asbestos (chrysotile: Mg
3 Si
2 O
5 (OH)
4 ), that is, to manufacture a high quality forsterite by using a raw material obtained by removing impurities such as iron etc. from the asbestos by an acid treatment since the forsterite having a large Q×f value being a performance index of a high-frequency characteristic can not be obtained when the asbestos is used as it is as a raw material of the forsterite because the asbestos is a natural mineral and includes many impurities.
SOLUTION: An impure iron can be simultaneously eluted with an Mg
2+ ion by subjecting the asbestos (chrysotile: Mg
3 Si
2 O
5 (OH)
4 ) to a hydrochloric acid-treatment and a high purity amorphous SiO
2 fiber can be manufactured. A forsterite powder can be manufactured by subjecting the SiO
2 fiber and a reactive MgO to a solid phase reaction. A dense forsterite porcelain can be obtained by subjecting the obtained forsterite powder to electropulsing sintering and the Q×f value of the porcelain is more than 100,000 GHz.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：待解决的问题：为了通过使用石棉（温石棉：Mg 3 S 3）制造高频镁橄榄石（Mg 2 SiO 4 ）瓷器，通过使用通过除去得到的原料制造高质量的镁橄榄石通过酸处理从石棉中除去铁等杂质，因为当将石棉作为原料使用时，不能获得具有高Q值的高镁氧化物作为高频特性的性能指标的镁橄榄石因为石棉是天然矿物，包括许多杂质。解决方案：通过使石棉（温石棉：Mg 3 Si 2 ）同时用Mg 2 + 可以制造盐酸处理和高纯度非晶SiO 2 SBB纤维。镁橄榄石粉末可以通过使SiO 2 SB 2纤维和反应性MgO进行固相反应来制造。通过使所得到的镁橄榄石粉末进行电脉冲烧结，并且瓷器的Q×f值大于100,000GHz，可以得到密实的镁橄榄石瓷。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

18. 发明专利

JP2007314395A Forsterite substrate 审中-公开
标题翻译： FORSTERITE基板
公开(公告)号：JP2007314395A
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：JP2006148006
申请日：2006-05-29
申请人： Sumitomo Metal Electronics Devices Inc , 株式会社住友金属エレクトロデバイス
发明人： MINO KATSUJI , YAMAGUCHI TEPPEI
IPC分类号： C04B35/20
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive forsterite substrate having high airtightness reliability in which a mark formed on the substrate itself by irradiation with laser has clear contrast with the surface of the substrate and is easily discriminated.
SOLUTION: The forsterite substrate is obtained by adding water, a binder and a plasticizer into a forsterite raw material composition obtained by calcining a mixture (2MgO SiO
2 ) having a ratio of magnesia to silica by mol of 2:1 then mixing a sintering agent and an inorganic coloring agent to develop a black color by sintering into the calcined mixture, drying and granulating the mixed slurry while pulverizing to form a granulated body and press forming and firing the granulated body. The inorganic coloring agent contained in the forsterite raw material composition comprises a simple substance of one kind of manganese oxide. In the forsterite substrate, it is preferable that the content of the inorganic coloring agent in the forsterite raw material composition is 3-20 wt.%.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种廉价的高密度可靠性的镁橄榄石基体，其中用激光照射形成在基板本身上的标记与基板的表面具有清晰的对比度，并且容易被鉴别。解决方案：通过将镁，粘合剂和增塑剂加入通过煅烧具有氧化镁与二氧化硅的比例的混合物（2MgO SiO 2 SiO 2）获得的镁橄榄石原料组合物中获得镁橄榄石基体，摩尔为2:1，然后混合烧结剂和无机着色剂，通过烧结到煅烧混合物中以形成黑色，在粉碎的同时将混合浆料干燥和造粒，形成粒状体并压制成形烧制该粒状体。包含在镁橄榄石原料组合物中的无机着色剂包含一种氧化锰的单质。在镁橄榄石基材中，镁橄榄石原料组合物中的无机着色剂的含量优选为3-20重量％。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

19. 发明专利

JP2007522919A Ceramic structure having a hydrophobic coating 有权
公开(公告)号：JP2007522919A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：JP2006547138
申请日：2004-12-15
申请人：コーニングインコーポレイテッド
发明人：ジェイウォーレン，クリストファー , シーブックバインダー，ダナ , ピーブリス，マックス , ジェイペイズリー，ロバート
IPC分类号： B01J33/00 , B01D39/14 , B01D39/20 , B01D46/00 , B01D53/86 , B01D53/94 , B01J20/00 , B01J21/04 , B01J23/00 , B01J23/08 , B01J23/10 , B01J32/00 , B01J35/04 , B01J37/02 , C03C3/04 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B35/16 , C04B35/18 , C04B35/185 , C04B35/20 , C04B35/22 , C04B35/44 , C04B35/636 , C04B35/80 , C04B38/00 , C04B41/52 , C04B41/85 , C04B41/89 , F01N3/022 , F01N3/28
CPC分类号： C04B41/009 , B01D2258/012 , B01J23/10 , B01J35/04 , B01J37/0217 , B01J37/0242 , C04B35/185 , C04B35/6263 , C04B35/6365 , C04B35/803 , C04B38/0009 , C04B41/52 , C04B41/89 , C04B2111/0081 , C04B2111/0087 , C04B2235/3418 , C04B2235/422 , C04B2235/483 , C04B2235/5228 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/96 , F01N3/0222 , F01N3/2828 , F01N2330/06 , F01N2510/14 , Y02T10/20 , C04B35/195 , C04B38/0054 , C04B35/478 , C04B14/4656 , C04B41/5037 , C04B41/5089 , C04B41/4961 , C04B41/522 , C04B2103/65 , C04B41/455 , C04B41/5045
摘要：ＮＯｘ触媒支持体またはＤＰＦのいずれかとして使用するための触媒支持構造体であって、(i)マルチセルラ・セラミック体、好ましくは、例えば、コージエライトまたはチタン酸アルミニウムからなるモノリス型セラミック・ハニカム、および(ii)触媒コーティングを施すプロセスに用いられる水性媒質および液体触媒コーティング媒質の両方に露出されたときに、減少したまたは低い吸収を示すセラミック・ハニカムが得られる、少なくともその外面にある疎水性コーティングを含む構造体が開示されている。好ましい実施の形態において、疎水性コーティングは、マルチセルラ・セラミック体に設けられた塗布された外皮層内またはその上に形成される。

20. 发明专利

JP3793560B2 Low-temperature co-fired porcelain and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP3793560B2
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：JP2000364763
申请日：2000-11-30
申请人：京セラ株式会社
发明人：伝井料 , 吉健寺師 , 裕美岩地
IPC分类号： C04B35/00 , C04B35/20 , C03C10/00 , C03C10/04 , C03C14/00 , C04B35/195 , C04B35/22 , H01B3/02 , H01L23/12 , H01L23/15 , H01L23/498 , H05K1/03
CPC分类号： C04B35/195 , C03C10/0045 , C03C14/004 , C03C2214/20 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/3445 , C04B2235/3463 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/365 , C04B2235/3826 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/9615 , H01L23/49894 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/09701 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , Y10T428/24926 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Ceramics containing a diopside crystal phase and a cordierite phase, the remainder being a glass phase and/or other ceramic crystal phases, and having an open porosity of not larger than 1%. The ceramics is obtained by firing at from 800 to 1050° C., and exhibits a dielectric constant of not larger than 7 and a small dielectric loss in a high-frequency region, a ceramic strength of not smaller than 250 MPa, and a coefficient of thermal expansion close to those of the chips such as of Si and Ga-As and of the printed board.

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