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11. 发明专利

JP2011216856A Surface-emitting laser module, optical scanner device, and image forming apparatus 有权
标题翻译：表面发射激光模块，光学扫描仪器和图像形成装置
公开(公告)号：JP2011216856A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：JP2011008870
申请日：2011-01-19
申请人： Ricoh Co Ltd , 株式会社リコー
发明人： ISHII TOSHIHIRO , SUGAWARA SATORU , OBA YOSHIHIRO , HARASAKA KAZUHIRO , SATO SHUNICHI , ADACHI KAZUHIKO
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/02208 , B41J2/45 , B41J2/47 , B82Y20/00 , G06K15/129 , H01S5/02212 , H01S5/02248 , H01S5/02296 , H01S5/0425 , H01S5/0683 , H01S5/18311 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18386 , H01S5/18391 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/34306 , H01S5/34333 , H01S5/423 , H01S2301/14
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface-emitting laser module which has extremely small variation in light quantity due to return light.SOLUTION: The surface-emitting laser module includes: a surface-emitting laser formed on a substrate to emit light in a direction perpendicular to its surface; a package including a recess portion in which the substrate is arranged; and a transparent substrate arranged to enclose the recess portion and the substrate and connected to the package on a light emitting side of the surface-emitting laser. In the surface-emitting laser module, a high reflectance region and a low reflectance region for the light are formed within a region enclosed by an electrode formed on an upper part of a mesa of the surface-emitting laser, and the transparent substrate is slanted to the surface of the substrate in a polarization direction of the light determined by the high reflectance region and the low reflectance region.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种由于返回光而具有极小的光量变化的表面发射激光器模块。解决方案：表面发射激光器模块包括：形成在基板上的表面发射激光器，以在方向垂直于其表面; 包括其中布置有所述基板的凹部的封装; 以及透明基板，其被布置为围绕所述凹部和所述基板并且在所述表面发射激光器的发光侧连接到所述封装。在表面发射激光器模块中，在由表面发射激光器的台面的上部形成的电极包围的区域内形成用于光的高反射率区域和低反射率区域，并且透明基板倾斜在由高反射率区域和低反射率区域确定的光的偏振方向上到基板的表面。

12. 发明专利

JP2011135030A Surface emitting laser element, surface emitting laser array, optical scanner device, and image forming apparatus 有权
标题翻译：表面发射激光元件，表面发射激光阵列，光学扫描仪器和图像形成装置
公开(公告)号：JP2011135030A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：JP2010150759
申请日：2010-07-01
申请人： Ricoh Co Ltd , 株式会社リコー
发明人： SATO SHUNICHI , HARASAKA KAZUHIRO , JIKUTANI NAOTO
IPC分类号： H01S5/183 , B41J2/44
CPC分类号： H01S5/18394 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0655 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/3434 , H01S5/423 , H01S2301/18
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface emitting laser element reducing an element resistance while allowing a single transverse mode operation with a high output.
SOLUTION: A lower semiconductor DBR 103, a resonator structure including an active layer 105, an upper semiconductor DBR 107 and a contact layer 109 are laminated on a substrate 101. A p-side electrode 113 is provided to surround an emitting region on an emitting surface. A mode filter 115, which is a transparent dielectric film provided to surround the center of the emitting region, is formed within the emitting region with an optical thickness of λ/4. An outer shape of a part of the p-side electrode 113 in contact with the contact layer 109 is a shape including corners. In this case, a contact area between the p-side electrode 113 and the contact layer 109 can be increased without increasing a size of a mesa.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种降低元件电阻同时允许具有高输出的单横模操作的表面发射激光元件。解决方案：下半导体DBR 103，包括有源层105，上半导体DBR 107和接触层109的谐振器结构层叠在基板101上。设置p侧电极113以围绕发射区域在发光面上。作为围绕发光区域的中心的透明电介质膜的模式滤波器115以λ/ 4的光学厚度形成在发光区域内。与接触层109接触的p侧电极113的一部分的外形为包括角部的形状。在这种情况下，可以增加p侧电极113和接触层109之间的接触面积而不增加台面的尺寸。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

13. 发明专利

JP4621393B2 Method of manufacturing the surface-emitting semiconductor laser and the surface-emitting semiconductor laser 有权
公开(公告)号：JP4621393B2
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：JP2001285964
申请日：2001-09-19
申请人：富士ゼロックス株式会社 , 二三夫小山
发明人：二三夫小山 , 伸明植木
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/028 , H01S5/042 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/18391 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18338 , H01S5/1835 , H01S5/18394 , H01S2301/166 , H01S2301/18

14. 发明专利

JP2011014869A Surface emitting laser element, surface emitting laser array, optical scanner, image forming device and method of manufacturing surface emitting laser element 有权
标题翻译：表面发射激光元件，表面发射激光阵列，光学扫描仪，图像形成装置和制造表面发射激光元件的方法
公开(公告)号：JP2011014869A
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：JP2010023994
申请日：2010-02-05
申请人： Ricoh Co Ltd , 株式会社リコー
发明人： AZUMA YASUHIRO , HARASAKA KAZUHIRO
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/026
CPC分类号： H01S5/0042 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/18333 , H01S5/18338 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/3202 , H01S5/3434 , H01S5/3436 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H04N1/024
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface emitting laser element by which lateral mode oscillation is controlled without causing high cost.SOLUTION: A laminate on which a lower reflector, a resonator structure including an active layer, and an upper reflector having a selective oxidized layer are laminated is formed on a substrate. There are formed on an upper surface of the laminate: a first region on which optically transparent dielectric layer 111a whose optical thickness is oscillation wavelength/4 is partially laminated; and a second region on which the optically transparent dielectric layer 111a is not laminated. Further, there is formed a constriction structure by selectively oxidizing the selective oxidized layer from a side of a mesa structure after a periphery of the first and second regions is etched from respective upper surface so as to form the mesa structure. Then, the second region is observed, and the size of a current passing region 108b is measured.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种表面发射激光器元件，通过该表面发射激光器元件可以控制横向振荡，而不会导致高成本。解决方案：一种层压板，其上具有下反射器，包括有源层的谐振器结构和具有选择性氧化的上反射器层叠在基板上。层叠体的上表面形成有光学厚度为振荡波长λ4的透光性电介质层111a的一部分层叠的第一区域; 以及光学透明电介质层111a未层叠的第二区域。此外，在从相应的上表面蚀刻第一和第二区域的周边之后，通过从台面结构的侧面选择性地氧化选择性氧化层而形成收缩结构，以形成台面结构。然后，观察第二区域，并测量电流通过区域108b的尺寸。

15. 发明专利

JP2010182973A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2010182973A
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：JP2009026673
申请日：2009-02-06
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社
发明人： MASUI TAKESHI , ARAKIDA TAKAHIRO , KIKUCHI KAYOKO , NARUSE AKIKAZU , OKI TOMOYUKI , SHIROKISHI NAOTERU
IPC分类号： H01S5/187 , H01L21/312
CPC分类号： H01S5/02276 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/18311 , H01S5/1835 , H01S5/34313 , H01S2301/176
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor element capable of improving the adhesive properties between a low dielectric-constant material and a semiconductor material.
SOLUTION: A columnar mesa section 17 is provided on a substrate 10, where the columnar mesa section 17 includes a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, an upper DBR layer 15, and a contact layer 16, in this order starting from the side of the substrate 10. An annular upper electrode 21 is provided on an upper surface of the mesa section 17, and an electrode pad 23, electrically connected to the upper electrode 21, is provided around the mesa section. A pedestal section 26 is provided directly below the electrode pad 23. The pedestal section 26 includes a ruggedness section 26A made of a semiconductor oxide; and an embedded section 26B made of a low dielectric-constant material. The ruggedness section 26A has a ruggedness structure, and the embedded section 26B is formed so that it embeds the ruggednesses of the ruggedness structure.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够改善低介电常数材料和半导体材料之间的粘合性能的半导体元件。解决方案：柱状台面部分17设置在基板10上，其中柱状台面部分17包括下DBR层11，下间隔层12，有源层13，上间隔层14，上DBR 层15和接触层16，从基板10的侧面开始。环形上电极21设置在台面部分17的上表面上，电极焊盘23电连接到上电极 21设置在台面部分周围。基座部分26直接设置在电极焊盘23的下面。基座部分26包括由半导体氧化物制成的粗糙部分26A; 以及由低介电常数材料制成的嵌入部分26B。坚固性部分26A具有坚固结构，并且嵌入部分26B形成为使其嵌入坚固结构的坚固性。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

16. 发明专利

JP2004281942A Surface light emission type semiconductor laser and its manufacturing method 有权
公开(公告)号：JP2004281942A
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：JP2003074511
申请日：2003-03-18
申请人： Fuji Xerox Co Ltd , 富士ゼロックス株式会社
发明人： UEKI NOBUAKI
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/042 , H01S5/183 , H01S5/20 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/18341 , B82Y20/00 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/209 , H01S5/34313
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a selecting oxidation type surface light emission semiconductor laser which satisfies requirements of low capacity, low resistance and high power at once. SOLUTION: The surface light emission type semiconductor laser 100 has a GaAs substrate 1, a lower semiconductor multilayer reflection film 2 which is formed on the substrate 1 and comprises a semiconductor conductive layer 3 partially containing at least gallium, indium and phosphorous, active regions 4, 5 formed on the lower semiconductor multilayer reflection film 2, an upper semiconductor multilayer reflection film 7 formed on the active regions 4, 5, a current constriction layer 6 which is formed between the lower and upper semiconductor multilayer reflection films 2, 7 and comprises an oxidation region 6a in a peripheral part, a p-side electrode 9 and an n-side electrode 10. The n-side electrode 10 is electrically connected to the semiconductor conductive layer 3 included in the lower semiconductor multilayer reflection film 2. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

17. 发明专利

JP2003535480A Surface emitting semiconductor laser device is optically pumped 有权
公开(公告)号：JP2003535480A
公开(公告)日：2003-11-25
申请号：JP2002500501
申请日：2001-05-16
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
发明人：アルブレヒトトニー , リンダーノルベルト , ルフトヨハン
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/04 , H01S5/10 , H01S5/14 , H01S5/183 , H01S5/34 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/18305 , B82Y20/00 , H01S3/1062 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1017 , H01S5/1071 , H01S5/1075 , H01S5/1082 , H01S5/141 , H01S5/1835 , H01S5/2022 , H01S5/2214 , H01S5/34313 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要： (57)【要約】本発明は、光学的にポンピングされる表面放出半導体レーザ装置であって、少なくとも１つの、放射生成量子井戸構造（１１）と、量子井戸構造（１１）を光学的にポンピングするための少なくとも１つのポンピング放射源（２０）とを備えており、ここでポンピング放射源（２０）は縁部放出半導体構造（２１）を有している形式のものに関する。放射生成量子井戸構造（１１）および縁部放出半導体構造（２１）はそれぞれ、共通の基板（１）にエピタキシャルに順次成長されている。このモノリシックに製造された半導体レーザ装置によって有利にも、放射生成量子井戸構造の非常に効率のよくかつ均質な光学的なポンピングが可能である。更に、本発明の半導体レーザ装置を製造するための方法が提案されている。

18. 发明专利

JP6410008B2 面発光レーザーおよび原子発振器审中-公开
公开(公告)号：JP6410008B2
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：JP2013263467
申请日：2013-12-20
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：竹中敏 , 倉知祐司
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18313 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18338 , H01S5/18341 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18352 , H01S5/18355 , H01S5/3201 , H01S2301/176

19. 发明专利

JP6107089B2 面発光レーザ素子及び原子発振器有权
公开(公告)号：JP6107089B2
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：JP2012262757
申请日：2012-11-30
申请人：株式会社リコー
发明人：本村寛 , 佐藤俊一
IPC分类号： H01S5/068 , H01S5/42 , H03L7/26 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18355 , G04F5/14 , G04F5/145 , H01S5/18377 , H01S5/18394 , H01S5/423 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/4087

20. 发明专利

JP2016526785A キャリアを有する発光アセンブリ有权
标题翻译：发光组件具有载体
公开(公告)号：JP2016526785A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2016520356
申请日：2014-06-03
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
发明人：イェレナリスティチ , イェレナリスティチ , マルチンストラスバーグ , マルチンストラスバーグ , アルフレドレル , アルフレドレル , ウーヴェシュトラウス , ウーヴェシュトラウス
IPC分类号： H01S5/183 , H01L33/02 , H01L33/10 , H01L33/48 , H01S5/022 , H01S5/42
CPC分类号： H01S5/3428 , H01L27/156 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/16 , H01L33/24 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01S5/0207 , H01S5/0217 , H01S5/02236 , H01S5/1042 , H01S5/1835 , H01S5/18377 , H01S5/341 , H01S5/34333 , H01S5/4025 , H01S5/4087 , H01S5/423
摘要：本発明は、キャリアを有するアセンブリ(30)であって、コア(3)を有する構造体がキャリア上に形成され、コアは、2つの端部領域(9,10)を有する長手方向に延在する範囲を有し、第1の端部領域がキャリアに対向し、第2の端部領域がキャリアとは反対側に配置され、コアは、少なくとも外側領域において導電性であり、コアは、活性ゾーン層(4)で少なくとも部分的に被覆され、活性ゾーン層は、電磁放射を発生させるように設計されている、アセンブリに関する。第1の電気接触層(5)がコアに接触し、第2の接触層(6,22)が活性ゾーン層(4)に接触している。ミラー層が特にレーザ放射を発生させる目的で、少なくともコアの端部領域内に設けられている。
摘要翻译：本发明提供了一种具有载体（30）的组件，在形成在该结构上具有芯（3），芯部在纵向方向上延伸，具有两个端部区域（9,10）在载体上有一个范围，第一端部区域面向所述载体，所述第二端部区域和载流子被布置在相对侧上，所述芯是导电至少在外部区域中，芯，所述活性至少部分地涂覆有区层（4），有源区层被设计成产生电磁辐射，该组件。第一电接触层（5）与所述芯中，第二接触层（6，22）与所述有源区层（4）接触。为了产生镜层的目的尤其是激光辐射，它被设置在至少核心端部区域。

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