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11. 发明专利

JP2017519971A 共焦点ライン検査光学システム审中-公开
公开(公告)号：JP2017519971A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2016564037
申请日：2015-04-22
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：マークエスワン , マークエスワン , クリスカーク , クリスカーク , アンドレイハリソフ , アンドレイハリソフ
IPC分类号： G01N21/956 , G01B11/30 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N2201/068 , G01N2201/10 , G01N2201/121 , G02B21/0028 , G02B21/0032 , G02B21/0072 , G02B21/365 , H01L22/12
摘要：ライン走査検査システムが共焦点スリット開口フィルタを含み、サイドローブを除去して、走査方向における解像度を向上する。スリット開口フィルタに関連付けられた位置検出器が、スリット開口に対する照射ラインイメージの位置をモニタ及び修正して、イメージ位置の変動を許容限界内に維持する。各検出器はライン位置を測定して、それからそのライン位置信号を使用して、フィードバックループの収集経路における光学的、機械式、及び電子式構成部品を調整する。フィードバックループは、安定性を向上するために、実行時間校正プロセスにて、又は検査の間に利用され得る。

12. 发明专利

JP2017516130A マスクのための高密度位置合わせマップを生成するための方法、システム、およびコンピュータプログラム製品审中-公开
公开(公告)号：JP2017516130A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2016560399
申请日：2015-04-02
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：フランクラスケ , フランクラスケ , モハンマドエムダネシュパナー , モハンマドエムダネシュパナー , プラディープスブラマニアン , プラディープスブラマニアン , ヤリンシオン , ヤリンシオン
IPC分类号： G03F1/70 , G03F1/42 , G03F1/84 , G03F9/00 , H01L21/66
CPC分类号： G06F17/5081 , G03F1/84
摘要：マスクのための高密度位置合わせマップを生成するための方法とシステムが開示される。データ準備モジュールは、マスクの複数のアンカポイントを生成する。さらに、データ準備モジュールは、複数のサンプルポイントを生成する。データ準備モジュールでは重みも生成され、この重みは、後にデータ融合モジュールにおいて使用される。アンカポイントの位置は、位置合わせツールにより、生成されたレシピにしたがってマスク座標系の中で測定される。サンプルポイントの位置は、検査ツールにより、生成されたレシピにしたがってマスク座標系の中で測定される。アンカポイントの測定位置とサンプルポイントの測定位置はデータ融合モジュールへと渡され、そこで位置合わせマップが決定される。

13. 发明专利

JP2017513188A ナノ構造の反射防止層を有する光源审中-公开
公开(公告)号：JP2017513188A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016557932
申请日：2015-03-19
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：セベックオー , セベックオー , アナントチムマルギ , アナントチムマルギ , ラフールヤーダヴ , ラフールヤーダヴ , マシューダースティン , マシューダースティン , イリヤベゼル , イリヤベゼル
IPC分类号： H01J65/04 , H01J9/20 , H01J65/00
CPC分类号： H01J65/00 , H01J61/025 , H01J61/32 , H01J65/04
摘要：レーザ持続プラズマ光源は、ガスの体積を含むように構成されたプラズマセルを含む。プラズマセルは、ポンプレーザから照明を受けてガスの体積内にプラズマを発生させるように構成される。プラズマは広帯域放射を放出する。プラズマセルは、ポンプレーザからの照明の少なくとも一部と、プラズマにより放出される広帯域放射の少なくとも一部とを少なくとも部分的に透過する1つ以上の透明部分を含む。プラズマセルはまた、プラズマセルの1つ以上の透明部分の1つ以上の表面に配置された1つ以上のナノ構造層を含む。1つ以上のナノ構造層は、プラズマセルの1つ以上の透明部分と大気との界面にわたって屈折率制御の領域を形成する。

14. 发明专利

JP2017512990A イメージセンサ、検査システム及び製品を検査する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017512990A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016558130
申请日：2015-03-13
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：ユン−ホアレックスチャン , ユン−ホアレックスチャン , ジンジンジャン , ジンジンジャン , ジョンフィールデン , ジョンフィールデン
IPC分类号： G01N21/956 , H01L21/66 , H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/33 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14632 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2201/061 , G01N2201/0638 , G01N2201/12 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14681 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H01L27/14825 , H01L27/14831 , H01L27/14856 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804
摘要：高感度画像センサは、本来のもの、あるいは軽くPドープされた(例えば、1立方センチメートル当たり約1013未満のドーピングレベルの)シリコンのエピタキシャル層を含む。CMOSあるいはCCD回路は、エピタキシャル層の前側に製造される。エピタキシャルなp型及びn型の層は、エピタキシャル層の後側に成長させる。純粋ホウ素層は、n型エピタキシャル層の上に蒸着させる。いくつかのホウ素は、ホウ素析出プロセスの間に、n型エピタキシャル層の内部に後側から2、3ナノメートル移動させる。反射防止膜を純粋ホウ素層に付加することができる。センサが作動する間、数十乃至数百ボルトのマイナスのバイアス電圧をホウ素層に印加し、後側表面から離れるように光電子を加速させ、アバランシェ効果により追加のエレクトロンを生じさせる。接地p型ウェルは、必要に応じ、逆バイアスされたエピタキシャル層から能動回路を保護する。

15. 发明专利

JP2017083860A 光学的検査システム审中-公开
公开(公告)号：JP2017083860A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016241892
申请日：2016-12-14
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , Kla-Encor Corp , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人： CHUANG YUNG-HO , VLADIMIR DRIBINSKI
IPC分类号： G02F1/355 , C30B29/22 , C30B33/02
CPC分类号： H01L21/3003 , C30B29/10 , C30B33/00 , C30B33/02 , G01N21/3563 , G01N21/59 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/3568 , G01N2021/3595 , G01N2021/8477 , G01N2021/8822 , G01N2201/06113 , H01L21/322 , H01S3/027 , H01S3/094 , H01S3/109 , H01S3/1666
摘要：【課題】1つまたは複数の非線形光学(NLO)結晶の結晶欠陥を直して、性能を改善するまたはレーザ誘起損傷に対する抵抗性を高めるためのシステムを提供する。【解決手段】選択された水素濃度を有する不活性化ガスを含むように構成された曝露チャンバ101であって、チャンバ内部の不活性化ガスへの曝露のために少なくとも1つのNLO結晶104を含むようにさらに構成された曝露チャンバ101と、曝露チャンバ101に流体的に接続される不活性化ガスソース108を含む。コンピューティングシステム112は、検出器によって受光される照明の少なくとも一部に関する情報を取得するように構成され、検出器によって受光される照明の少なくとも一部に関する情報を活用して、試料の少なくとも1つの欠陥の存在または不在を決定するように構成される。【選択図】図1A

16. 发明专利

JP2017083448A パターン援用補正を用いる局所的位相アンラッピングの方法とシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2017083448A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016210957
申请日：2016-10-27
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , Kla-Encor Corp , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人： HELEN LIU , ZHAO XUAN , LI SHAOWEI
IPC分类号： G01B11/02 , G01B9/02
CPC分类号： G01B9/02083 , G01B9/02078 , G01B9/02088 , G01B11/0608 , G01B11/2441 , G01B2210/56
摘要：【課題】パターン援用補正を用いる局所的位相アンラッピングの方法とシステムを提供する。【解決手段】ウェハ計測計システムは、干渉計サブシステム140a、140bと、コントローラ130を含む。干渉計サブシステムは、ウェハ表面の変調表現に対応する強度マップを有する干渉画像を生成するように構成される。さらに、干渉計サブシステムは、干渉画像を作成するように構成された検出器116a、116bを含む。コントローラ130は、1つまたは複数のプロセッサ132を含み、これらは、干渉画像のラップト(畳み込み)位相マップ(wrapped phase map)を生成し、ウェハ上の特徴物に関連するパターンを定義し、位相アンラッピング手順をラップト位相マップに適用してアンラップト位相マップを生成し、アンラップト位相マップの中の位相不連続性をパターンに基づいて補正することによって、位相不連続性を補正する。【選択図】図1

17. 发明专利

JP2017509142A 裏面照射型センサのための反射防止層审中-公开
公开(公告)号：JP2017509142A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2016544609
申请日：2015-01-08
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション , 浜松ホトニクス株式会社
发明人：村松　雅治 , 雅治村松 , 久則鈴木 , 久則鈴木 , 康人米田 , 康人米田 , 慎也大塚 , 慎也大塚 , ジェン‐フアハワードチャーン， , ジェン‐フアハワードチャーン， , デイビッドエル．ブラウン， , デイビッドエル．ブラウン， , ユン‐ホアレックスチュアン， , ユン‐ホアレックスチュアン， , ジョンフィールデン， , ジョンフィールデン， , ベンカトラマンイヤー， , ベンカトラマンイヤー，
IPC分类号： H01L27/14 , G02B1/115 , G03F1/84 , H01L21/02 , H01L21/316 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/0232
CPC分类号： H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687
摘要：短波長光用のイメージセンサは半導体膜、半導体膜の1つの面に形成される回路素子、及び半導体膜の他の面の純ホウ素層を含む。反射防止又は保護層が純ホウ素層の上に形成される。このイメージセンサは複数年にわたる高束での連続使用下でさえ高効率及び良好な安定性を有する。イメージセンサはCCD(電荷結合素子)又はCMOS(相補型金属酸化膜半導体)技術を使用して製作されてもよい。イメージセンサは2次元エリアセンサ又は1次元アレイセンサでもよい。【選択図】図1

18. 发明专利

JP2017508172A 半導体検査およびリソグラフィシステムのためのステージ装置有权
公开(公告)号：JP2017508172A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2016536821
申请日：2014-12-05
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：アビブバラン , アビブバラン
IPC分类号： G03F9/00 , G01N21/84 , G01N21/956 , G03F7/20 , H01L21/66 , H01L21/68
CPC分类号： G03F7/70775
摘要：半導体サンプルは、ステージフレームに関して移動式ステージのチャックの上に受けられる。ステージ、チャック、およびサンプルは、サンプルを検査または露光するための検査または露光ヘッドの下で移動され、複数の2Dエンコーダヘッドがチャックに接続される。複数の2Dエンコーダスケールはベースに連結され、その中にヘッドが挿入され、ステージエンコーダはステージフレーム上に位置付けられる。ステージ、チャック、およびサンプルの移動は、2Dエンコーダスケールによってカバーされないギャップ内にある所定の位置に到達するまで、2Dエンコーダヘッドのうちの少なくとも1つによって検出される位置に基づいて制御される。ステージ、チャック、およびサンプルの移動制御は、ギャップ内のこのような所定の位置に到達したときにステージエンコーダが検出する位置に基づいて行われるように切り替えられる。

19. 发明专利

JP2017504801A 極端紫外線（ＥＵＶ）検査システム审中-公开
标题翻译：极紫外（EUV）的检查系统
公开(公告)号：JP2017504801A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2016545790
申请日：2015-01-07
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：デーモンエフクヴァーミー , デーモンエフクヴァーミー
IPC分类号： G01N21/956 , G03F1/24 , G03F1/84
CPC分类号： G01J1/0411 , G01J1/429 , G01N21/33 , G01N21/956 , G01N21/95607 , G01N2021/95676 , G01N2201/0636 , G02B17/0657 , G03F1/84 , G03F7/70233
摘要：標的基板から反射された極端紫外(EUV)光をセンサに向かって反射する方法と装置が開示される。システムは、標的基板から反射されたEUV光を受け取り、反射するように配置された第一のミラーと、第一のミラーにより反射されたEUV光を受け取り、反射するように配置された第二のミラーと、第二のミラーにより反射されたEUV光を受け取り、反射するように配置された第三のミラーと、第三のミラーにより反射されたEUV光を受け取り、反射するように配置された第四のミラーと、を含む。第一のミラーは非球面を有する。第二、第三、および第四のミラーは各々、球面を有する。
摘要翻译：朝向传感器公开了用于反射极紫外（EUV）光的方法和装置，从所述目标基板反射。系统接收EUV光从目标基板反射的，第一反射镜布置成反射，以接收由反射镜反射的第一EUV光，第二被定位，以反映镜，接收由反射镜，定位成反射的第三反射镜反射的第二EUV光，接收由所述第三反射镜反射的EUV光，该布置成反射包括一个第四反射镜，一个。第一反射镜具有非球面表面。每个第二，第三，和第四反射镜具有球形。

20. 发明专利

JP2017504014A 位置敏感基板デバイス审中-公开
标题翻译：位置敏感的衬底器件
公开(公告)号：JP2017504014A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2016541582
申请日：2014-12-16
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：イアールジンセン , イアールジンセン , ケビンオブライエン , ケビンオブライエン
IPC分类号： G01B11/00 , G03F9/00 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/68 , H01L21/681
摘要：本開示のいくつかの態様は、基板デバイスと、基板支持体表面と、基板デバイスを基板支持体表面上に位置決めする基板ハンドラとを有するシステムに関する。基板デバイスおよび基板支持体表面は、対の片方の粗位置ユニットと精密位置ユニットとを有することができる。システムは、第1の粗位置ユニットと第2の粗位置ユニットとの間の粗位置オフセットを測定し、粗位置オフセットに基づいて基板デバイスを基板支持体表面上に再位置決めし、続いて、第1の精密位置ユニットと第2の精密位置ユニットとの間の精密位置オフセットを測定することができる。いくつかの実装形態において、基板デバイスは、さらに配置するためのフィードバックとして位置情報を通信するために、ワイヤレス通信リンクを介して基板ハンドラに一体的に結合される。
摘要翻译：本公开的一些实施例涉及一种具有衬底器件的系统中，与衬底支撑表面，以及用于衬底器件定位到衬底支撑表面的衬底处理程序。板装置和所述衬底支撑表面可以具有粗略位置单元对和高精度位置单元的一个。系统中，粗调位置的第一粗略位置单元和第二粗调位置单元之间的偏移量被测量，并且重新定位所述基板装置的衬底支撑表面大致位置的偏移量的基础上，接着，在它可以测量的精确位置的第一精确位置单元和第二细位置单元之间的偏移。在一些实施方式中，为了进行通信的位置信息作为进一步安排反馈基板设备经由无线通信链路被整体地联接到所述基板处理程序。

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