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1. 发明专利

JP2017512382A エキシマレーザアニーリングの制御のための監視方法および装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017512382A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016555338
申请日：2015-03-02
申请人：コヒーレントレーザーシステムズゲーエムベーハーウントコンパニーカーゲー , コヒーレントレーザーシステムズゲーエムベーハーウントコンパニーカーゲー
发明人：デアヴィルト，パウルファン , デアヴィルト，パウルファン
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67253 , C30B1/02 , C30B29/06 , G01N21/21 , G01N21/4788 , G01N21/8422 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N2021/8461 , G01N2021/8477 , G01N2201/06113 , G01N2201/068 , G01N2201/0683 , G01N2201/0697 , G01N2201/10 , G01N2201/105 , G02B21/002 , G02B21/0092 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L22/12
摘要：エキシマレーザからのパルスを用いた照射によって結晶化されたシリコン層(22)を評価する方法が、開示される。結晶化は、層が暴露されるパルスの数およびその中のエネルギー密度に応じて、結晶化された層上に周期的特徴を生成する。層のある面積が、光(29)で照明される。照明された面積の顕微鏡画像は、周期的特徴によって照明された面積から回折された光から作製される。顕微鏡画像は、対応する周期的特徴を含む。EDは、顕微鏡画像内の周期的特徴のコントラストの測定値から判定される。

2. 发明专利

JP2014534464A 非線形光学結晶の水素不活性化有权
标题翻译：所述非线性光学晶体的氢钝化
公开(公告)号：JP2014534464A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2014534799
申请日：2012-10-05
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：ユン−ホチュアン , ユン−ホチュアン , ウラジミールドリビンスキー , ウラジミールドリビンスキー
IPC分类号： G02F1/37 , G01N21/956
CPC分类号： H01L21/3003 , C30B29/10 , C30B33/00 , C30B33/02 , G01N21/3563 , G01N21/59 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/3568 , G01N2021/3595 , G01N2021/8477 , G01N2021/8822 , G01N2201/06113 , H01L21/322 , H01S3/027 , H01S3/094 , H01S3/109 , H01S3/1666
摘要：本発明は、選択された水素濃度を有する不活性化ガスを含むように構成された曝露チャンバであって、チャンバ内部の不活性化ガスへの曝露のために少なくとも1つのNLO結晶を含むようにさらに構成された曝露チャンバと、曝露チャンバに流体的に接続される不活性化ガスソースであって、曝露チャンバの内部に不活性化ガスを供給するように構成された不活性化ガスソースと、チャンバ内部にNLO結晶を保持するように構成された基板であって、基板が選択された温度でまたは選択された温度近くでNLO結晶の温度を維持するようにさらに構成され、選択された温度がNLO結晶の融解温度以下である基板を含む。
摘要翻译：本发明涉及一种构造成暴露室包含惰性气体具有氢的选定的浓度，为包括非线性晶体暴露在腔室内部的惰性气体中的至少一种并且进一步被配置曝光室，流体地连接到曝光室灭活的气体源，内部惰性气体源配置成供给一种惰性气体曝光室，配置为将所述腔室中保持所述NLO晶体的基板，所述基板被进一步配置为将所述非线性晶体的温度保持在或选定的温度选择的温度附近，该温度被选择含有底物是熔融温度或更低的NLO晶体。

3. 发明专利

JP2008139274A Device and method for surveying orientation of axis of polarization plate 审中-公开
标题翻译：用于调查极化轴的方位的装置和方法
公开(公告)号：JP2008139274A
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：JP2007027625
申请日：2007-02-07
申请人： Optimax Technology Corp , 力特光電科技股▲ふん▼有限公司
发明人： LIN JIA CHIANG , CHANG CHING-SEN , LIN CHING HUANG , GO RYUKAI
IPC分类号： G01M11/00 , G01J4/04 , G02B5/30
CPC分类号： G01N21/21 , G01N2021/8477
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for surveying an orientation of an axis of a polarization plate capable of collating data provided from a polarization device with collation data and surveying to immediately and accurately calculate a rotational angle of the axis of the polarization plate to be surveyed, and a method therefor.
SOLUTION: In this device or method for surveying an orientation of an axis of a polarization plate, the device for surveying has one polarization plate to be surveyed placed therein, one light emitting device, one polarization device, and one surveying/collating device. The light emitting device serves as a light source. The polarization device is provided corresponding to the light emitting device and can be loaded with the polarization plate to be surveyed. An optical signal of the light after passing through the polarization plate to be surveyed is surveyed in a condition that the rotation of the polarization plate is not necessary, and is converted to a decipherable digital signal. The surveying/collating device is electrically coupled to the polarization device and has at least one piece of collation data beforehand. The surveying/collating device receives data provided from the polarization device to collate it with the collation data.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于测量能够将从偏振装置提供的数据与对照数据和测量结果对准的偏振板的轴线的取向的装置，以立即且精确地计算轴的旋转角度要测量的偏光板及其方法。解决方案：在用于测量偏振板轴的取向的装置或方法中，用于测量的装置具有待测量的一个偏振板，一个发光装置，一个偏振装置和一个测量/整理设备。发光装置用作光源。偏振装置对应于发光装置设置，并且可以装载要被测量的偏光板。在不需要偏振板的旋转的条件下测量通过待测偏光板的光的光信号，并将其转换为可解密的数字信号。测量/整理装置电耦合到偏振装置，并且预先具有至少一个核对数据。测量/整理装置接收从偏振装置提供的数据，以将其与核对数据进行比较。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2018132773A レーザシステム、非線形光学結晶およびその不活性化方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018132773A
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：JP2018074155
申请日：2018-04-06
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：チュアンユン−ホ , ドリビンスキーウラジミール
IPC分类号： G02F1/37 , H01S3/10 , C30B29/22 , C30B33/02 , G02F1/35
CPC分类号： H01L21/3003 , C30B29/10 , C30B33/00 , C30B33/02 , G01N21/3563 , G01N21/59 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/3568 , G01N2021/3595 , G01N2021/8477 , G01N2021/8822 , G01N2201/06113 , H01L21/322 , H01S3/027 , H01S3/094 , H01S3/109 , H01S3/1666
摘要：【課題】1つまたは複数の試料を光学的に検査するためのシステムを提供する。【解決手段】レーザシステム400は、選択された温度の範囲内でアニールされ、かつ、水素、重水素、水素含有混合物、重水素含有混合物の少なくとも1つにより、選択された不活性化レベルに不活性化されたNLO結晶104と、選択された波長の光を生成するように、さらに、NLO結晶104を通して光を伝達するように構成された少なくとも1つの光源402と、NLO結晶104を収容するように構成されたハウジングユニット406と、を備える。【選択図】図4

6. 发明专利

JP2015049349A 光学部材貼合体の製造方法审中-公开
标题翻译：制造光学会员层压板的方法
公开(公告)号：JP2015049349A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013180590
申请日：2013-08-30
申请人：住友化学株式会社 , Sumitomo Chemical Co Ltd
发明人： MATSUMOTO RIKIYA
IPC分类号： G09F9/00 , G01M11/00 , G01N21/84 , G01N21/88 , G02B5/30 , G02F1/13 , G02F1/1335
CPC分类号： G01N21/84 , B29D11/0073 , G01N2021/8477 , G01N2021/9513 , G02F1/1303 , G02F1/1309
摘要：【課題】製造ラインにおける不良品の発生を、不良品の発生から短時間のうちに検出可能な光学部材貼合体の製造方法を提供する。【解決手段】光学表示部品に光学部材を貼合してなる光学部材貼合体の製造方法であって、帯状の光学部材シートを原反ロールから巻き出し、光学部材シートを切断して得られる複数の光学部材を、複数の光学表示部品に貼合して、複数の光学部材貼合体を形成する光学部材貼合体形成工程S13と、複数の光学部材貼合体を加熱加圧処理する第1オートクレーブ処理工程S14と、第1オートクレーブ処理工程の後に、加熱加圧処理された複数の光学部材貼合体のそれぞれについて欠陥を光学的に検査する検査工程S15と、を有し、光学部材貼合体形成工程と第1オートクレーブ処理工程と検査工程とを、連続した製造ラインにおいて行う光学部材貼合体の製造方法。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造光学构件层叠体的方法，该方法能够在产生缺陷产物之后的短时间内检测在生产线中产生不合格产品的光学构件层叠体。解决方案：一种用于制造光学通过将光学构件层压到光学显示部件上而形成的部件层叠体包括：光学部件层叠体，其形成步骤S13，其通过层叠多个光学部件而形成多个光学部件层叠体，所述多个光学部件通过将带状光学部件片从原稿片卷并将光学构件片材切割成多个光学显示部件; 对多个光学构件层压体进行加热加压处理的高压釜工序S14; 以及检查步骤S15，光学检查已施加热和压力的多个光学构件层叠体中的每一个的缺陷。光学构件层压体形成步骤，第一高压釜处理步骤和检查步骤在连续的生产线中执行。

7. 发明专利

JP2012117814A Defect inspection device and defect inspection method 审中-公开
标题翻译：缺陷检查装置和缺陷检查方法
公开(公告)号：JP2012117814A
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：JP2010264802
申请日：2010-11-29
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： TANIGUCHI ATSUSHI , UENO TAKETO , MATSUMOTO SHUNICHI , HONDA TOSHIFUMI
IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/956
CPC分类号： G01N21/95623 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/8477
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a defect inspection device and a defect inspection method that prevents defect signals from dropping so as not to overlook defects.SOLUTION: In a defect inspection method and a defect inspection device using the method, an object to be inspected on whose surface a pattern is formed is irradiated with light. Reflection light, diffraction light, and scattered light emitted from the object to be inspected that has been irradiated with light are condensed, and then the condensed light passes through a first spatial filter having a first light-shielding pattern. A first detector receives a first optical image made of the light having passed the first spatial filter so that a first image is obtained. The reflection light, diffraction light, and scattered light emitted from the object to be inspected that has been irradiated with light are condensed, and then the condensed light passes through a second spatial filter having a second light-shielding pattern. A second detector receives a second optical image made of the light having passed the second spatial filter so that a second image is obtained. The obtained first image and second image are integrally processed so that a defect candidate can be determined.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种防止缺陷信号掉落以避免忽视缺陷的缺陷检查装置和缺陷检查方法。解决方案：在使用该方法的缺陷检查方法和缺陷检查装置中，对其表面形成图案的被检查物体进行照射。从被照射的被检查物体射出的反射光，衍射光和散射光被冷凝，然后会聚的光通过具有第一遮光图案的第一空间滤光器。第一检测器接收由已经通过第一空间滤波器的光构成的第一光学图像，从而获得第一图像。从被照射的被检查物体发出的反射光，衍射光和散射光被冷凝，然后聚集的光通过具有第二遮光图案的第二空间滤光器。第二检测器接收由已经通过第二空间滤波器的光构成的第二光学图像，从而获得第二图像。所获得的第一图像和第二图像被整体处理，使得可以确定缺陷候选。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2006208314A Method for evaluating crystal defect of silicon single-crystal wafer 审中-公开
标题翻译：用于评估硅单晶晶体晶体缺陷的方法
公开(公告)号：JP2006208314A
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：JP2005023898
申请日：2005-01-31
申请人： Shin Etsu Handotai Co Ltd , 信越半導体株式会社
发明人： SAITO HISASHI , KITAGAWARA YUTAKA
IPC分类号： G01N21/956 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/47 , G01N21/896 , G01N21/9501 , G01N21/9505 , G01N2021/4707 , G01N2021/4735 , G01N2021/8477 , G01N2021/8965 , H01L22/24
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for evaluating a crystal defect of a silicon single-crystal wafer, evaluating a minute DSOD (Direct Surface Oxide Defect) or the like accurately and easily, without incurring wasteful cost, which is once evaluated only by a Cu deposition method.
SOLUTION: In the method for evaluating the crystal defect of the silicon single-crystal wafer, which uses an infrared scattering tomography method, at least the silicon single-crystal wafer is irradiated with laser light, and light entering the inside of the silicon single-crystal wafer is made to scatter by the crystal defects, and the scattered light is detected, thereby evaluating the DSOD and void defects smaller than the DSOD existing inside the silicon single-crystal wafer.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：解决问题的方案：提供一种用于评估硅单晶晶片的晶体缺陷的方法，精确而容易地评估分钟DSOD（直接表面氧化物缺陷）等，而不会造成浪费的成本，这是一次仅通过Cu沉积法进行评估。解决方案：在使用红外散射层析成像方法评估硅单晶晶片的晶体缺陷的方法中，至少对硅单晶晶片进行激光照射，并且进入到使硅单晶晶片由于晶体缺陷而散射，并且检测散射光，从而评估比单晶晶片内存在的DSOD小的DSOD和空隙缺陷。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

9. 发明专利

JP6030764B2 シリカガラスルツボの検査方法有权
标题翻译：石英玻璃坩埚的检查方法
公开(公告)号：JP6030764B2
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2015524912
申请日：2013-06-30
申请人：株式会社SUMCO
发明人：須藤俊明 , 佐藤忠広 , 北原賢 , 大原真美
IPC分类号： C30B29/06 , G01N21/3563 , C03B20/00 , G01N21/88 , G01N21/65 , C30B15/10
CPC分类号： G01N21/95 , C30B15/10 , C30B29/06 , G01N21/3563 , G01N21/65 , G01N2021/8477 , G01N2201/105 , G01N2201/12

10. 发明专利

JP6000362B2 非線形光学結晶の水素不活性化有权
标题翻译：所述非线性光学晶体的氢钝化
公开(公告)号：JP6000362B2
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：JP2014534799
申请日：2012-10-05
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：チュアンユン−ホ , ドリビンスキーウラジミール
IPC分类号： G02F1/37
CPC分类号： G01N21/8806 , C30B29/10 , C30B33/00 , C30B33/02 , G01N21/3563 , G01N21/59 , G01N21/9501 , G01N2021/3568 , G01N2021/3595 , G01N2021/8477 , G01N2021/8822 , G01N2201/06113

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