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11. 发明专利

JPWO2011001680A1 共振器およびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2011001680A1
公开(公告)日：2012-12-10
申请号：JP2011520792
申请日：2010-06-30
申请人：パナソニック株式会社
发明人：智英神山 , 智英神山 , 岩崎　智弘 , 智弘岩崎 , 山川　岳彦 , 岳彦山川 , 中村　邦彦 , 邦彦中村 , 大西　慶治 , 慶治大西
IPC分类号： H03H9/24 , B81B3/00 , B81C1/00 , H03H3/007
CPC分类号： H03H3/0072 , B81B2201/016 , B81B2201/0271 , B81B2203/019 , B81C1/00142 , B81C1/0015 , H03H9/02338 , H03H9/2463 , H03H2009/02291 , H03H2009/02511
摘要： MEMS技術を用いた共振器において、電極形状の精度を向上させ、入出力間がショートしてしまうことを回避でき、共振器の信頼性を高めること。基板101と、基板101上に選択敵に形成された犠牲層である絶縁層102と、基板101上に空間を介して形成された梁103と、絶縁層102上に梁103と同じ材料で形成された第1の支持部104Aと、梁103と空間を介して形成された信号を入出力するための電極106と、を備えた共振器であって、梁103の長手方向に垂直な断面において、梁103の断面積と第1の支持部104Aの断面積とがほぼ等しくなるようにする。

12. 发明专利

JP4691163B2 Frequency-variable acoustic thin film resonator, a filter, and a communication apparatus using the same 有权
公开(公告)号：JP4691163B2
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：JP2008527769
申请日：2007-08-01
申请人：パナソニック株式会社
发明人：宏中塚 , 慶治大西 , 岳彦山川
IPC分类号： H03H9/17 , H01L41/09 , H03H9/02 , H03H9/54
CPC分类号： H03H9/564 , H03H9/132 , H03H9/542 , H03H9/585 , H03H9/587 , H03H9/605 , H03H2009/02204

13. 发明专利

JPWO2009072251A1 高周波フィルタ有权
公开(公告)号：JPWO2009072251A1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：JP2009544559
申请日：2008-11-25
申请人：パナソニック株式会社
发明人：山川　岳彦 , 岳彦山川 , 岡島　利幸 , 利幸岡島 , 中塚　宏 , 宏中塚 , 大西　慶治 , 慶治大西
IPC分类号： H04B1/18 , H03H7/075 , H03H7/12 , H03H9/02 , H03H9/17 , H03H9/58 , H04N5/44
CPC分类号： H03H7/0153 , H03H7/1758 , H03H7/1766 , H03H9/6433 , H04H40/18 , H04N5/4401 , H04N5/4446 , H04N7/102 , H04N21/41407 , H04N21/42607
摘要：携帯電話端末のデジタルテレビ放送受信部(100)は、アンテナ(101)、ノッチフィルタ(102)、ローパスフィルタ(LPF)(103)、ローノイズアンプ(LNA)(104)、受信IC(105)、制御部(107)、および入力部(108)により構成され、デジタルテレビ放送の通過帯域を分割し、制御部(107)によってノッチフィルタ(102)およびLPF(103)のそれぞれの特性を切り替え、低チャンネルおよび高チャンネルに適したフィルタを組み合わせる。これにより、妨害波となる自端末の携帯電話送信周波数帯や他システム帯域を大きく減衰させながら、デジタルテレビ放送の周波数帯である通過帯域を低損失に通過させる。

14. 发明专利

JPWO2012169205A1 発振器有权
标题翻译：振荡器
公开(公告)号：JPWO2012169205A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2012554129
申请日：2012-06-08
申请人：パナソニック株式会社
发明人：山川　岳彦 , 岳彦山川 , 岩崎　智弘 , 智弘岩崎 , 中村　邦彦 , 邦彦中村 , 大西　慶治 , 慶治大西
IPC分类号： H03B5/30 , H03L1/02
CPC分类号： H03B5/30 , H03L1/02 , H03L1/027 , H03L5/00 , H03L7/183
摘要： MEMS共振器と増幅器とを含んだ帰還型発振回路と、MEMS共振器の振動子に印加するバイアス電圧を制御する電圧制御部と、増幅器からの出力を受け、該出力のレベルに基づいて増幅器からの出力のレベルが所定レベルになるように増幅器のゲインを増減させる振幅制御信号を増幅器へ出力し増幅器のゲインを制御する自動利得制御部とを有し、MEMS共振器の動作温度に基づいて、MEMS共振器のピークゲインが動作温度の高低に依らず所定値になるように、MEMS共振器の振動子に印加するバイアス電圧を電圧制御部により制御し、電圧制御部は、振幅制御信号をモニタリングすることにより、MEMS共振器の動作温度を導出する、MEMS発振器。
摘要翻译：反馈型振荡电路包括的MEMS谐振器和放大器，以及用于控制施加到MEMS谐振器的振子的偏置电压的电压控制单元，接收来自所述放大器的输出，基于所述输出电平的放大器的输出和用于控制输出到放大器的增益的放大器幅度控制信号以增加或减少所述放大器的增益，以一预定水平时，基于MEMS谐振器的工作温度的自动增益控制单元的电平，无论操作温度的高低作为MEMS谐振器的峰值增益变为预定值，由施加到MEMS谐振器，所述电压控制单元的振动器上偏置电压的电压控制单元的控制，监视所述振幅控制信号通过导出MEMS谐振器，MEMS振荡器的工作温度。

15. 发明专利

JP5204354B1 Oscillator 有权
公开(公告)号：JP5204354B1
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：JP2012554129
申请日：2012-06-08
申请人：パナソニック株式会社
发明人：岳彦山川 , 智弘岩崎 , 邦彦中村 , 慶治大西
IPC分类号： H03B5/30
CPC分类号： H03B5/30 , H03L1/02 , H03L1/027 , H03L5/00 , H03L7/183
摘要： A MEMS oscillator having a feedback-type oscillation circuit including a MEMS resonator and an amplifier, a voltage control unit operable to control a bias voltage applied to an oscillating member of the MEMS resonator, and an auto gain control unit which receives an output from the amplifier and, based on a level of the output, to output an amplitude control signal for controlling a gain of the amplifier to the amplifier such that the level of the output from the amplifier comes to be a predetermined level, wherein the voltage control unit controls the bias voltage applied to the oscillating member based on an operating temperature of the MEMS resonator such that a peak gain of the MEMS resonator comes to have a predetermined value regardless of the operating temperature, and the voltage control unit derives the operating temperature of the MEMS resonator by monitoring the amplitude control signal.

16. 发明专利

JP5086479B2 Oscillator 有权
公开(公告)号：JP5086479B2
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：JP2011544742
申请日：2011-03-03
申请人：パナソニック株式会社
发明人：岳彦山川 , 邦彦中村 , 慶治大西
IPC分类号： H03B5/30 , H03B5/02 , H03B5/04 , H03L1/02
CPC分类号： H03L5/00 , H03B19/00 , H03L1/026 , H03L1/027 , H03L7/18

17. 发明专利

JP4846509B2 Method of manufacturing a piezoelectric resonator and a piezoelectric resonator 有权
公开(公告)号：JP4846509B2
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：JP2006277941
申请日：2006-10-11
申请人：パナソニック株式会社
发明人：宏中塚 , 慶治大西 , 岳彦山川 , 智弘岩崎 , 智英神山
IPC分类号： H03H9/17 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/22 , H01L41/29 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H9/54 , H03H9/70
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectricity resonator which includes a favorable frequency characteristic, suppressing a vibration leak of a vibrating portion from a supporting section. SOLUTION: An upper electrode 103 is formed on one side principal plane of a piezoelectric material layer 101 and a lower electrode 102 is formed on the other side principal plane. A vibrating component 104 is a region in which a lower electrode 102, a piezoelectric material layer 101, and the upper electrode 103 are overlapped in the vertical projection direction. Moreover, a wiring electrode 108 for connecting the lower electrode 102 and the upper electrode 103 to an input/output electrode 107 is prepared on one side principal plane and the other side principal plane of the piezoelectric material layer 101, respectively. The vibration component 104 is laid (connected) on a substrate 105 through a supporting section 109. The supporting section 109 is formed on a position of the piezoelectric material layer 101 excluding a region which forms the vibration component 104, and a region in which the input/output electrode 107 and the wiring electrode 108 are formed. Namely, the supporting section 109 is prepared on a position in which any of the electrode is not overlapped with each other in the vertical projection direction. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

18. 发明专利

JP4657660B2 Thin film bulk acoustic resonator, a method of manufacturing the same, filters, complex electronic components and communication equipment 有权
公开(公告)号：JP4657660B2
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：JP2004260724
申请日：2004-09-08
申请人：パナソニック株式会社
发明人：宏中塚 , 弘幸中村 , 慶治大西 , 岳彦山川
IPC分类号： H01L41/09 , H03H9/17 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/319 , H03H3/02 , H03H9/02 , H03H9/54 , H03H9/56 , H03H9/58
CPC分类号： H03H9/02118 , H03H3/02 , H03H9/171 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H9/568
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film bulk acoustic resonator improved not to complicate a production process and to efficiently suppress a lateral propagation mode while having flexibility in design. SOLUTION: A thin film bulk acoustic resonator 100 includes a piezoelectric film 103, and a pair of electrodes 101, 102 between which the piezoelectric film 103 is interposed. The piezoelectric film 103 includes an outer region 104 extending outward from at least a portion of the periphery of a resonator portion composed of the pair of electrodes 101, 102 and the piezoelectric film 103. The outer region 104 includes, in at least a portion thereof, an acoustic damping region 105 for damping acoustic waves. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

19. 发明专利

JPWO2008016075A1 周波数可変音響薄膜共振器、フィルタ、及びそれを用いた通信装置有权
公开(公告)号：JPWO2008016075A1
公开(公告)日：2009-12-24
申请号：JP2008527769
申请日：2007-08-01
申请人：パナソニック株式会社
发明人：中塚　宏 , 宏中塚 , 山川　岳彦 , 岳彦山川 , 大西　慶治 , 慶治大西
IPC分类号： H03H9/17 , H01L41/09 , H03H9/02 , H03H9/54
CPC分类号： H03H9/564 , H03H9/132 , H03H9/542 , H03H9/585 , H03H9/587 , H03H9/605 , H03H2009/02204
摘要：第1圧電薄膜101と、前記第1圧電薄膜上に形成された、電気信号を印加するための対を成す1次側電極103、104と、前記第1圧電薄膜中に発生した振動が伝播するように配置された第2圧電薄膜102と、前記第2圧電薄膜上に形成された、電気信号を出力するための対を成す2次側電極104、105と、前記2次側電極間に接続された負荷108と、前記負荷の値を制御する制御部109とを備えた音響薄膜共振器。前記1次側電極から入力された電気信号が圧電効果により前記2次側電極から出力される音響薄膜共振子が構成され、前記負荷の値を制御することで共振周波数、及び反共振周波数が可変である。共振特性を劣化させることなく、共振周波数、反共振周波数が同時に可変である。

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