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111. 发明专利

JP2004327992A Semiconductor laser 审中-公开
公开(公告)号：JP2004327992A
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：JP2004124357
申请日：2004-04-20
申请人： Agilent Technol Inc , アジレント・テクノロジーズ・インクAgilent Technologies, Inc.
发明人： TAN MICHAEL R , DOLFI DAVID WAYNE , LEARY MICHAEL HOWARD
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/00 , H01S5/062 , H01S5/227 , H01S5/30 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/18358 , H01S5/06226 , H01S5/1039 , H01S5/227 , H01S5/3213
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce ringing without substantially shortening the lifetime of a laser and without increasing power consumption.
SOLUTION: The laser, a p-spacer (67), an n-spacer (66), and an active region (63) are disclosed. The p-spacer has a p-doped region (57) and an undoped region (58), and the n-spacer has an n-doped region (69) and an undoped region (68). The active region is located between the undoped region of the p-spacer and the undoped region of the n-spacer. The active region generates light of wavelength λ through the recombination of holes and electrons. The undoped region of the p-spacer has a thickness that is different from that of the undoped region of the n-spacer, in one embodiment, the former has a thickness greater than the latter.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

112. 发明专利

JP2004281968A Surface-emitting semiconductor laser element 审中-公开
公开(公告)号：JP2004281968A
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：JP2003074904
申请日：2003-03-19
申请人： Fuji Photo Film Co Ltd , 富士写真フイルム株式会社
发明人： HAYAKAWA TOSHIRO
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/042 , H01S5/183 , H01S5/22 , H01S5/343
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0421 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/2214 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/3436
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a highly reliable surface-emitting semiconductor laser element of a 780 nm band.
SOLUTION: This surface-emitting semiconductor laser element is constituted by successively laminating an n-type GaAs buffer layer 12, n-type Al
0.9 Ga
0.1 As/Al
0.3 Ga
0.7 As lower multilayered semiconductor reflection film 13, undoped InGaP spacer layer 14, quantum well active layer 15 composed of an undoped InGaAsP quantum well layer and an undoped InGaP barrier layer, undoped InGaP spacer layer 16, p-type Al
0.5 Ga
0.5 As spacer layer 17, p-type AlAs layer 18, p-type Al
0.5 Ga
0.5 As spacer layer 19, p-type Al
0.9 Ga
0.1 As/Al
0.3 Ga
0.7 As upper multilayered semiconductor reflection film 20, and p-type contact layer 21 upon an n-type GaAs substrate 11 in this order. Then a columnar area having the diameter of 50 μm is formed by etching off the portion of the p-type contact layer 21 above a light emitting region and part of the lower multilayered semiconductor reflection film 13. After the columnar area is formed, the area 18a of the p-type AlAs layer 18 other than a current injecting area is selectively oxidized.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

113. 发明专利

JP2004047636A Surface-emmitting semiconductor laser, and method and apparatus for manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP2004047636A
公开(公告)日：2004-02-12
申请号：JP2002201594
申请日：2002-07-10
申请人： Fuji Xerox Co Ltd , 富士ゼロックス株式会社
发明人： NAKAYAMA HIDEO , SAKAMOTO AKIRA
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01S3/08 , H01S5/00 , H01S5/026 , H01S5/183 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/18311 , B82Y20/00 , H01S5/0042 , H01S5/18338 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S2301/176
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a surface emitting semiconductor laser, capable of accurately controlling the reaction of oxidation reaction of III-V semiconductor layer containing aluminum.
SOLUTION: The manufacturing method comprises the steps of forming a first and second mesas (210, 310) with a side of the III-V semiconductor layer containing aluminum exposing on a substrate, exposing the first and second mesas in an oxidizing atmosphere at a predetermined temperature or lower, optically monitoring the oxidation state of the III-V semiconductor layer containing aluminum of the first mesa, and controlling the oxidized region of the III-V semiconductor layer containing alminum of the second mesa, on the basis of the result of monitoring to form a current constricting part (10).
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

114. 发明专利

JP2003332687A Method for manufacturing vertical cavity optical device 有权
标题翻译：制造垂直孔光学器件的方法
公开(公告)号：JP2003332687A
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：JP2003127648
申请日：2003-05-06
申请人： Agilent Technol Inc , アジレント・テクノロジーズ・インク
发明人： MILLER JEFFREY N , ROBBINS VIRGINIA M , LESTER STEVEN D
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/00 , H01S5/02 , H01S5/40 , H01S5/42
CPC分类号： H01S5/18358 , H01S5/0014 , H01S5/0205 , H01S5/18341 , H01S5/18366 , H01S5/4087 , H01S5/423
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To adjust peaks of Fabry-Perot resonance and a semiconductor gain after manufacturing a semiconductor material.
SOLUTION: The method for manufacturing a vertical cavity optical device comprises a step for forming a first vertical cavity optical device partially on a wafer, a step for fixing the laser oscillation wavelength of the first vertical cavity optical device, and a step for completing the first vertical cavity optical device by fixing the laser oscillation wavelength thereof.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO
摘要翻译：要解决的问题：在制造半导体材料之后调整法布里 - 珀罗共振的峰值和半导体增益。解决方案：垂直腔光学器件的制造方法包括部分地在晶片上形成第一垂直腔光学器件的步骤，用于固定第一垂直腔光学器件的激光振荡波长的步骤，以及用于通过固定其激光振荡波长来完成第一垂直腔光学器件。版权所有（C）2004，JPO

115. 发明专利

JP2003332686A Method for manufacturing monolithic array of vertical cavity optical device 审中-公开
标题翻译：用于制造垂直孔光学装置的单片阵列的方法
公开(公告)号：JP2003332686A
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：JP2003126147
申请日：2003-05-01
申请人： Agilent Technol Inc , アジレント・テクノロジーズ・インク
发明人： LESTER STEVEN D , ROBBINS VIRGINIA M , MILLER JEFFREY N
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/026 , H01S5/10 , H01S5/40 , H01S5/42
CPC分类号： H01S5/423 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18366 , H01S5/18369 , H01S5/4087
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a different wavelength by providing a wafer having vertical resonance cavities of different heights.
SOLUTION: A monolithic array of a vertical cavity laser has different radiation wavelengths on a single wafer. On a photoactive semiconductor structure (66), a first sacrifice island (70) having a first structure and a second sacrifice island (71) having a second structure different from the first structure are formed of sacrifice layers. First and second air gaps (84) and (85) are then formed by removing the first and second sacrifice islands (70) and (71). A first optical device is formed of a first reflector (64), the photoactive semiconductor structure (66), the first air gap (84) and a second reflector (80), and a second device is formed of the first reflector (64), the photoactive semiconductor structure (66), the second air gap (85) and a third reflector (81).
COPYRIGHT: (C)2004,JPO
摘要翻译：要解决的问题：通过提供具有不同高度的垂直共振腔的晶片来获得不同的波长。解决方案：垂直腔激光器的单片阵列在单个晶片上具有不同的辐射波长。在光活性半导体结构（66）上，具有第一结构的第一牺牲岛（70）和具有与第一结构不同的第二结构的第二牺牲岛（71）由牺牲层形成。然后通过去除第一和第二牺牲岛（70）和（71）形成第一和第二气隙（84）和（85）。第一光学装置由第一反射器（64），光活性半导体结构（66），第一气隙（84）和第二反射器（80）形成，第二装置由第一反射器（64）形成，，光活性半导体结构（66），第二气隙（85）和第三反射器（81）。版权所有（C）2004，JPO

116. 发明专利

JP2002544674A Wavelength separation multiplexing array of long wavelength vertical cavity laser 审中-公开
公开(公告)号：JP2002544674A
公开(公告)日：2002-12-24
申请号：JP2000617530
申请日：2000-04-25
申请人：ゴアエンタープライズホールディングス,インコーポレイティド
发明人：ジェスク，ジョナサン , ジャヤラマン，ビジャイセクハー , ピーターズ，フランク
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/026 , H01S5/04 , H01S5/40 , H01S5/42
CPC分类号： H01S5/423 , H01S5/0217 , H01S5/041 , H01S5/18358 , H01S5/1838 , H01S5/4087 , H01S5/426
摘要： (57)【要約】半導体デバイスは、短波長光ポンプによってポンピングされる長波長ＶＣＳＥＬアレイを有している。長波長ＶＣＳＥＬアレイは一連の半導体凹部を有しており、各半導体凹部は、ＶＣＳＥＬの２つの層の間に位置していて、作動中ＶＣＳＥＬの横方向形状に実質的にオーバラップする。

117. 发明专利

JP2018082061A 発光素子アレイ、および光伝送装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018082061A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2016223545
申请日：2016-11-16
申请人：富士ゼロックス株式会社
发明人：早川純一朗 , 村上朱実 , 中山秀生 , 大塚勤
IPC分类号： H01S5/42 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18313 , H01S5/02248 , H01S5/02276 , H01S5/02296 , H01S5/026 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/06825 , H01S5/0683 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/3054 , H01S5/34313 , H01S5/3432 , H01S5/423 , H01S2301/176 , H01S2304/04
摘要：【課題】端子から各々の発光素子までの配線上の経路長のうちの最短の経路長を有する発光素子が複数ある構成と比較し、外部からサージが印加された場合に、複数の発光素子が同時に損傷する可能性が低減された発光素子アレイ、および光伝送装置を提供すること。【解決手段】電流を供給する端子28に接続された配線22により互いに並列に接続された複数の発光素子50−1、50−2、50−3、50−4を備え、端子28から電流の経路に沿った複数の発光素子の各々までの配線上の経路長のうちの最短の経路長を有する発光素子50−3を1つとした。【選択図】図1

118. 发明专利

JP2018508122A 光センシング応用のための安全なレーザデバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2018508122A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2017545720
申请日：2016-03-29
申请人：コーニンクレッカフィリップスエヌヴェ , KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人：メンヒホルゲル , ヴァイグルアレクサンダー , ゲルラッハフィリップヘニング
IPC分类号： H01S5/183 , H01L31/0232 , H01S5/42
CPC分类号： H01S5/423 , H01S5/02248 , H01S5/0282 , H01S5/06825 , H01S5/18327 , H01S5/18358 , H01S5/18361 , H01S5/18377 , H01S5/18391
摘要：本発明は1の半導体チップ110上に設けられる2から6のメサ120を有するレーザデバイス100を記載し、メサ120は電気的に並列に接続される。レーザデバイス100は、少なくとも1のメサ120の劣化が、規定入力電力で駆動されるときに規定立体角においてレーザデバイス100により発せられるレーザパワーの減少をもたらすように適応される。レーザデバイス100は、レーザデバイスの寿命中にレーザデバイス100の目の安全性が保証されるように適応される。目の安全性は、層構造の1以上の層の劣化が規定立体角において発せられる最大光学パワーの低減をもたらすような方法で、レーザデバイス100のメサ120の半導体構造若しくはより一般的な層構造を設計することにより保証され得る。代替的に若しくは付加的に、レーザデバイス100へ供給される入力電力は、安全性限界が超えられないよう、放射光学パワーに依存して制御され適応され得る。本発明はさらにかかるレーザデバイス100を有するレーザモジュールと光学センサ300、並びにかかる光学センサ300を有するモバイル通信デバイス400に関する。本発明はさらにかかるレーザデバイス100を製造する方法に関する。

119. 发明专利

JP2016531415A 光電子集積回路审中-公开
标题翻译：光电集成电路
公开(公告)号：JP2016531415A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2016521457
申请日：2014-06-11
申请人：オペルソーラー,インコーポレイティド , オペルソーラー,インコーポレイティド , ザユニバーシティオブコネティカット , ザユニバーシティオブコネティカット
发明人：ダブリュ．テイラージェフ , ダブリュ．テイラージェフ
IPC分类号： H01L29/06 , G02B6/12 , G02B6/125 , G02F1/025 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L21/8232 , H01L27/06 , H01L27/095 , H01L27/15 , H01L29/732 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L31/10 , H01S5/026 , H01S5/183 , H01S5/343
CPC分类号： H01L29/0688 , B82Y10/00 , G02B6/125 , H01L21/0259 , H01L27/144 , H01L27/15 , H01L29/0665 , H01L29/122 , H01L29/127 , H01L29/155 , H01L29/66977 , H01L29/7786 , H01L31/035218 , H01L31/035236 , H01L31/18 , H01L33/005 , H01L33/06 , H01S5/026 , H01S5/06203 , H01S5/18358 , H01S5/309 , H01S5/34 , H01S5/3412
摘要：量子井戸中の量子ドット(QW中のQD)構造からオフセット下少なくとも1つの変調ドープ量子井戸(QW)構造)を含む複数の層を支持する基板を含む半導体デバイス。変調ドープQW構造は、スペーサー層により少なくとも1つのQWから離間した電荷シートを含む。QW中のQD構造が、1つ又は複数のQWに埋め込まれたQDを有する。QW中のQD構造は、バリア層により離間した少なくとも1つのテンプレート/エミッションサブ構造対を含むことができ、テンプレートサブ構造が有するQDのサイズは、エミッションサブ構造より小さい。【選択図】図1
摘要翻译：半导体器件，包括衬底支撑多个层，其包括在量子阱中调制掺杂量子量子点阱（量子点在QW）下从所述结构的至少一个（QW）结构）的偏移量。调制掺杂量子阱结构包括由间隔层从至少一个QW隔开的电荷片。在QW QD结构具有QD嵌入在一个或多个QW。在QW QD结构中，阻挡层使得能够包括间隔开的至少一个模板/发光子对，QD模板子结构的大小有，发射子结构变小。点域1

120. 发明专利

JP5812175B1 面発光型半導体レーザ素子および面発光型半導体レーザ素子の製造方法有权
标题翻译：用于制造面发光型半导体激光元件与表面发光半导体激光元件的方法
公开(公告)号：JP5812175B1
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：JP2014204613
申请日：2014-10-03
申请人：富士ゼロックス株式会社
发明人：城岸直輝 , 櫻井淳 , 村上朱実 , 近藤崇 , 武田一隆 , 早川純一朗
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/187 , H01S5/183 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18319 , H01S5/18322 , H01S5/18327 , H01S5/18333 , H01S5/18358 , H01S5/2027 , H01S5/34313 , H01S5/3432
摘要：【課題】定在波の分布のピークと活性層の中心とが一致している場合と比較して、より高い基本横モードの光出力が得られる面発光型半導体レーザ素子および面発光型半導体レーザ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】面発光型半導体レーザ素子(10a)において、基板と、基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層膜(16)、第1のスペーサ層(18a)、活性層(20)、第2のスペーサ層(22a)、および第1の半導体多層膜(16)とともに共振器を構成する第2導電型の第2の半導体多層膜(26)を含む半導体層と、を備え、共振器により形成される定在波の分布のピーク(PS)と活性層(20)の中心(PA)とが異なる位置関係にあるようにした。【選択図】図3
摘要翻译：阿与其中峰的中心与驻波分布的有源层重合的情况下，基本横向模式的类型的光输出较高的表面发射可以得到的半导体激光装置及面发光型半导体激光器以提供用于所述装置的制造方法。在表面发光型半导体激光元件（10a），基板，形成在基板（16），第一间隔层（18A），在有源层上的第一导电类型的第一半导体多层膜（20），包括第二间隔层（22a）上，并且所述第一半导体多层膜（16）的半导体层与构成所述谐振器（26）的第二导电类型的第二半导体多层膜一起，在用，并且作为由谐振器（PS）形成的驻波与有源层（20）（PA）的分布的峰值的中心位于不同的位置关系。点域

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