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101. 发明专利

JPS4818714B1 失效
公开(公告)号：JPS4818714B1
公开(公告)日：1973-06-07
申请号：JP2637869
申请日：1969-04-01
IPC分类号： C30B17/00 , C30B29/48

102. 发明专利

JP2020500138A 単結晶のエピタキシャル成長のための、均衡点を有する単結晶ペロブスカイト固溶体审中-公开
公开(公告)号：JP2020500138A
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：JP2019519383
申请日：2017-10-31
申请人：クエストインテグレーテッド, エルエルシー
发明人：フラテッロ, ヴィンセント
IPC分类号： C30B29/24 , C30B29/30 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B17/00 , H01L41/187 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/316 , H01L41/41 , H01L41/43 , H01L41/318 , C30B29/32
摘要：液相又は気相手段によるペロブスカイト結晶構造の単結晶エピタキシャル膜の成長は、関心の対象となる格子定数範囲内の格子定数整合性が改善された単結晶ペロブスカイト基板材料を提供することによって達成することができる。現在の基板は、材料のコスト及び成長の困難さのために、良好な格子整合性を提供せず、特性が劣っており、又はサイズ及び入手可能性が限られている。この問題は、擬二元系モル状態図における融解曲線の温度最小値の調和融解性組成で生じる均衡融点を有する混合物から成長させた、本明細書に記載される単結晶ペロブスカイト固溶体によって解決される。したがって、単結晶ペロブスカイト固溶体、構造、及び単結晶ペロブスカイト固溶体を含むデバイス、及び単結晶ペロブスカイト固溶体を作製する方法が本明細書に記載される。【選択図】図11

103. 发明专利

JP2019218245A Siインゴット結晶の製造方法及びその製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019218245A
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：JP2018117476
申请日：2018-06-20
申请人：株式会社第一機電 , 中嶋一雄
发明人：中嶋一雄 , 伊藤春正
IPC分类号： C30B17/00 , F27B14/14 , C30B29/06
摘要：【課題】本発明は、低歪み、低転位、低酸素濃度の種々の形状のSiインゴット結晶が得られるSiインゴット結晶の製造方法及びSiインゴット結晶の製造装置を提供することを課題とする。【解決手段】熱伝導度の悪い材料からなる板を、Si融液を入れたルツボ底の中央部に配置して、ルツボ底の中央部への入熱を阻害し、Si融液の上部中央から下部中央にかけて周りの融液温度よりも低い低温領域をSi融液内に形成し、低温領域を利用してSiインゴット結晶をルツボ壁に触れないようにSi融液内で成長させることを特徴とするSiインゴット結晶の製造方法及びSiインゴット結晶の製造装置である。【選択図】図4

104. 发明专利

JP2016141571A 結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：生产水晶的方法
公开(公告)号：JP2016141571A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015015761
申请日：2015-01-29
申请人：京セラ株式会社
发明人：正木克明 , 山口恵彦 , 堂本千秋 , 村瀬有
IPC分类号： C30B17/00 , C30B29/36
摘要：【課題】結晶の品質を向上させること。【解決手段】本発明の結晶の製造方法は、炭化珪素の結晶2の製造方法であって、種結晶3と、坩堝5と、坩堝5内に貯留された結晶の原料を融解した溶液6と、種結晶3、坩堝5および溶液6を内部に収容するチャンバー7とを準備する準備工程と、チャンバー7内に不活性ガスを第1供給量で供給する第1供給工程と、種結晶3を溶液6に接触させる接触工程と、第1供給工程の後、チャンバー7内に不活性ガスを、第1供給量よりも多い第2供給量で供給する第2供給工程と、第2供給工程の後、種結晶3を引き上げて、種結晶3の表面に結晶を成長させる成長工程とを備える。その結果、結晶2の品質を向上させることができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高晶体的质量。解决方案：本发明的晶体制造方法是碳化硅晶体2的制造方法，其包括：准备晶种3的准备工序，坩埚5 通过将坩埚原料熔化并储存在坩埚5中而制备的溶液6，容纳晶种3，坩埚5和溶液6的室7; 第一供给步骤，以第一供给量向惰性气体供给惰性气体; 将晶种3与溶液6接触的接触步骤; 第二供给步骤，在第一供给步骤之后，以大于第一供给量的第二供给量向惰性气体供给惰性气体; 以及在第二供给工序之后，在晶种3的表面上拉起晶种3并生长晶体2的生长工序。结果，可以提高晶体2的质量。图示：图 1

105. 发明专利

JP5117671B2 High-quality single crystal and growth method thereof 有权
公开(公告)号：JP5117671B2
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：JP2005304318
申请日：2005-10-19
申请人：シルトロンインク
发明人：鉉鼎趙
IPC分类号： C30B15/22 , C30B11/00 , C30B13/28 , C30B17/00
CPC分类号： C30B29/22 , C30B11/003 , C30B13/16 , C30B15/14 , C30B17/00 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/20 , C30B29/42 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068

106. 发明专利

JP4998488B2 SiC single crystal manufacturing apparatus according to the solution method 有权
公开(公告)号：JP4998488B2
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：JP2009030327
申请日：2009-02-12
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：靖幸藤原
IPC分类号： C30B29/36 , C30B17/00

107. 发明专利

JP4810346B2 Method of manufacturing a sapphire single crystal 有权
公开(公告)号：JP4810346B2
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：JP2006208653
申请日：2006-07-31
申请人：株式会社信光社
发明人：修一川南 , 恒志村 , 圭介望月
IPC分类号： C30B29/20 , C30B17/00 , H01L33/26

108. 发明专利

JP4682350B2 Crystal growth method and apparatus 有权
公开(公告)号：JP4682350B2
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：JP2007337890
申请日：2007-12-27
申请人：エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 , 日本電信電話株式会社
发明人：欽之今井 , 貴幸小松 , 正弘笹浦 , 和夫藤浦 , 拡樹香田
IPC分类号： C30B15/14 , C01G33/00 , C01G35/00 , C30B17/00 , C30B29/30 , H01L41/18 , H01L41/39 , H01L41/41

109. 发明专利

JP2009215167A Method for producing borate-based crystal and laser oscillation apparatus 审中-公开
标题翻译：用于生产基于硼酸盐的晶体和激光振荡装置的方法
公开(公告)号：JP2009215167A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：JP2009154224
申请日：2009-06-29
申请人： Japan Science & Technology Agency , 独立行政法人科学技術振興機構
发明人： SASAKI TAKATOMO , MORI YUSUKE , YOSHIMURA MASASHI , NISHIOKA MUNEYUKI , FUKUMOTO SATORU , MATSUI TOMOYO , SAJI TAKASHI
IPC分类号： C30B29/22 , C01B35/12 , C04B35/653 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B17/00
CPC分类号： C30B35/007 , C01B35/12 , C30B11/02 , C30B29/22
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new method for producing a borate-based crystal by which a borate-based crystal useful as a wavelength conversion optical element or the like can be easily produced inexpensively in a short period of time and the quality such as homogeneity can be improved, and to provide a laser oscillation apparatus using the crystal as a wavelength conversion optical element. SOLUTION: The method for producing the borate-based crystal comprises dissolving a water-soluble cesium compound and boron compound, as raw materials, together with at least one water-soluble compound of an alkali metal or an alkaline earth metal other than cesium and lithium, as occasion demands, in water to obtain an aqueous solution, then evaporating water from the solution, and either through sintering or not, to obtain a culture material, and then fusing the obtained culture material to grow a cesium-borate-based crystal having a chemical composition represented by general formula: Cs 1-x M x B 3 O 5 (0≤x COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：为了提供一种生产硼酸盐基晶体的新方法，通过该方法可以在短时间内廉价地制造用作波长转换光学元件等的硼酸根晶体，并且可以提高均匀性等的质量，并且提供使用该晶体作为波长转换光学元件的激光振荡装置。解决方案：制备硼酸盐基晶体的方法包括将作为原料的水溶性铯化合物和硼化合物与至少一种除水以外的碱金属或碱土金属的水溶性化合物一起溶解铯和锂，根据需要在水中得到水溶液，然后从溶液中蒸发水，或者通过烧结或不通过烧结获得培养材料，然后将所得培养材料熔融以生长铯 - 硼酸盐 - 具有由以下通式表示的化学组成的基于晶体的晶体：Cs 1-x x 3 0≤x<1）（其中M是除铯和锂之外的至少一种碱金属或碱土金属元素）。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

110. 发明专利

JP2007514631A Scintillation substance (variants) 有权
公开(公告)号：JP2007514631A
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：JP2006539423
申请日：2004-03-12
申请人：ゼコテック・メディカル・システムズ・インコーポレーテッド
发明人：アレクサンダー・イオシフォヴィッチ・ザグメンニ , セルゲイ・アレクサンドロヴィッチ・トヴォイ , ユリ・ドゥミトリエヴィッチ・ザヴァルツェフ
IPC分类号： C30B29/34 , C04B35/16 , C09K11/00 , C09K11/08 , C09K11/77 , C09K11/79 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B17/00 , C30B28/06 , C30B28/10 , G01T1/20 , G01T1/202
CPC分类号： C09K11/7706 , C04B35/16 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B29/34
摘要：本発明は、シンチレーション物質に関し、これらは、X線、ガンマー線およびアルファ線の記録および測定；固溶体構造の非破壊試験；三次元陽電子発光断層X線撮影；および、X線コンピュータ断層写真撮影ならびに蛍光X線撮影のために、核物理分野、医学分野および石油業界にて利用することができる。ルテチウム(Lu)とセリウム(Ce)とを含むシリケートに基づくシンチレーチング物質は、物質の組成が、化学式：Ce
x Lu
2+2y-x Si
1-y O
5+y ；Ce
x Li
q+p Lu
2-p+2y-xz A
z Si
1-y O
5+yp ；Ce
x Li
q+p Lu
9.33-xpz □
0.67 A
z Si
6 O
26-p (式中、Aは、Gd、Sc、Y、La、Eu、Tbからなる群より選択される少なくとも1つの元素であり；xは、1×10
-4 fuと0.02fuとの間の値であり；yは、0.024fuと0.09fuとの間の値であり；zは、0.05fuを上回らない値であり；qは、0.2fuを上回らない値であり；pは、0.05fuを上回らない値である)；Ce
x Li
1+q+p Lu
9-xpz A
z Si
6 O
26-p (式中、zは、8.9fuを上回らない値である)によって表される。達成可能な技術的成果は、高密度；高光収率；低い残光；および、三次元X線断層撮影(PET)用のシンチレーチング素子の製造の間の低い損失パーセンテージを有するシンチレーチング物質である。

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