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91. 发明专利

JP2009044169A Methods and apparatus for processing semiconductor wafer using plasma processing chamber in wafer track environment 有权
标题翻译：在WAFER TRACK环境中使用等离子体处理室处理半导体晶体的方法和装置
公开(公告)号：JP2009044169A
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：JP2008245132
申请日：2008-09-25
申请人： Asml Holding Nv , エーエスエムエルホールディングエヌ.ブイ.
发明人： MANDAL ROBERT P
IPC分类号： H01L21/027 , C23C16/509 , C23C16/54 , G03F7/09 , H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/312 , H01L21/469
CPC分类号： H01L21/67184 , C23C16/5096 , C23C16/54 , G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/67207 , H01L21/67225
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma chamber for performing semiconductor wafer processing within a wafer track system. SOLUTION: A processing chamber can be configured as a thermal stack module within a wafer track cell for exposing a semiconductor wafer surface to a processing plasma. A showerhead electrode and wafer chuck assembly may be positioned within the processing chamber for effecting plasma-enhanced processing of the semiconductor wafer. Various types of supply gas sources may be in fluid communication with the showerhead electrode to provide a gaseous mixture that forms the desired plasma. The flow of gases can be regulated by a controller and a series of gas control valves to form and introduce the preselected gaseous mixture into the processing chamber as plasma to be exposed to the semiconductor wafer surface. The preselected gaseous mixture can be formulated for different semiconductor wafer processing operations such as surface prime treatment and bottom anti-reflective coating (BARC) deposition. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供用于在晶片轨道系统内执行半导体晶片处理的等离子体室。解决方案：处理室可以被配置为晶片轨道单元内的热堆叠模块，用于将半导体晶片表面暴露于处理等离子体。喷头电极和晶片卡盘组件可以位于处理室内，用于实现半导体晶片的等离子体增强处理。各种类型的供应气体源可以与喷头电极流体连通，以提供形成所需等离子体的气体混合物。气体的流动可以通过控制器和一系列气体控制阀来调节，以形成并将预选的气态混合物引入到处理室中，作为待暴露于半导体晶片表面的等离子体。可以将预选的气体混合物配制用于不同的半导体晶片加工操作，例如表面处理和底部抗反射涂层（BARC）沉积。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

92. 发明专利

JP2009010434A Method and apparatus of improving step coverage on substrate at low temperature 审中-公开
标题翻译：在低温条件下改善基层的步骤覆盖的方法和装置
公开(公告)号：JP2009010434A
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：JP2008267743
申请日：2008-10-16
申请人： Applied Materials Inc , アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人： MOSELY RODERICK CRAIG , ZHANG HONG , CHEN FUSEN , GUO TED
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285 , C23C14/56 , C23C16/54 , H01L21/3205 , H01L21/677 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76876 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01L21/32051 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L21/76879
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of uniforming step coverage on a substrate, and flattening metal layers, and to form continuous, void-free contacts or vias in a sub-half micron application field. SOLUTION: In one embodiment of this invention, a refractory layer is deposited onto a substrate having high aspect ratio contacts or vias formed thereon. A CVD metal layer is then deposited onto the refractory layer at low temperatures to provide a conformal wetting layer for a PVD metal. Next, a PVD metal is deposited onto the previously formed CVD metal layer at a temperature below the melting point temperature of the metal. The resulting CVD/PVD metal layer is substantially void-free. A metallic coating process is preferably carried out in an integrated processing system that includes both PVD and CVD processing chambers so that once the substrate is introduced into a vacuum environment, the metallic coating of the vias and contacts can be carried out without the formation of an oxide layer over the CVD Al layer. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供在基片上均匀化步骤覆盖的方法，以及使金属层变平，并在半微米应用领域中形成连续的无空隙接触或通孔。解决方案：在本发明的一个实施方案中，将难熔层沉积在具有高比例接触或其上形成的通孔的基底上。然后在低温下将CVD金属层沉积到耐火层上，以提供用于PVD金属的保形润湿层。接下来，在低于金属的熔点温度的温度下将PVD金属沉积在先前形成的CVD金属层上。所得到的CVD / PVD金属层基本上无空隙。金属涂覆方法优选在包括PVD和CVD处理室的一体化处理系统中进行，使得一旦将基底引入真空环境中，可以进行通孔和接触的金属涂层而不形成 CVD层上的氧化层。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

93. 发明专利

JP2008544011A Method for producing a polymer product and such products have a thin film coating formed by plasma on at least one side 有权
公开(公告)号：JP2008544011A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：JP2008516450
申请日：2006-06-16
申请人：イノベイティブシステムズアンドテクノロジーズ
发明人：パトリックショレ、 , ナセルベルディ、
IPC分类号： C08G83/00
CPC分类号： B65D25/14 , C23C16/0245 , C23C16/30 , C23C16/505 , C23C16/54 , C23C28/04 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
摘要：側面の少なくとも１つに薄膜コーティングを有するポリマー製品において、コーティングは、プラズマ重合テトラメチルシランであるSiO
ｘ C
ｙ H
ｚの第１のコーティングであって、ポリマー製品の表面に堆積され、第１のSiO
ｘ C
ｙ H
ｚコーティングについて、ｘの値は０から1.7の間、ｙの値は0.5から0.8の間、ｚの値は0.35から0.6の間である第１のコーティングと、プラズマ重合テトラメチルシランであるSiO
ｘ C
ｙ H
ｚの第２のコーティングであって、第１のコーティングの表面に堆積され、第２のSiO
ｘ C
ｙ H
ｚコーティングについて、ｘの値は1.7から1.99の間、ｙの値は0.2から0.7の間、ｚの値は0.2から0.35の間である第２のコーティングとを有し、前記第１のコーティングの厚さは約１ナノメートルから約15ナノメートルであり、かつ前記第２のコーティングの厚さは、約10ナノメートルから約100ナノメートル、好ましくはおよそ30ナノメートルであることを特徴とする製品。

94. 发明专利

JP2008199008A Processing apparatus and transfer apparatus 有权
标题翻译：加工设备和传送设备
公开(公告)号：JP2008199008A
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：JP2008014354
申请日：2008-01-25
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： MATSUSHITA MINORU , ODAJIMA YASUSHI , KUMAI TOSHIKAZU
IPC分类号： H01L21/677 , B65G49/07 , C23C14/56 , C23C16/44 , C23C16/54 , H01L21/00 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67745 , C23C16/54 , H01L21/67161 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/67742 , Y10S414/139
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing apparatus having a high processing efficiency, with which a semiconductor device of high quality is produced. SOLUTION: The processing apparatus includes: a substrate-container mounting base on which a substrate container for housing a plurality of substrates to be processed is mounted; a transfer chamber whose inside is maintained at predetermined atmospheric pressure, and which is disposed adjacent to the substrate container mounting base; processing units that are arranged around the transfer chamber and by which the substrates are processed; and a plurality of transfer arms which are arranged and installed inside the transfer chamber and by which the substrates to be treated are transferred. The plurality of transfer arms are expanded, contracted, and swiveled, wherein at least one of the transfer arms, which transfers the substrate therebetween, has a member for supporting the substrate, the member which is in a shape asymmetrical to the direction in which the arm is expanded and contracted. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高处理效率的处理设备，通过该处理设备生产高质量的半导体器件。解决方案：处理装置包括：基板容器安装基座，其上安装有用于容纳待处理的多个基板的基板容器; 其内部保持在预定的大气压力并且与基板容器安装基座相邻设置的传送室; 处理单元，其布置在传送室周围并由其处理基板; 以及多个传送臂，其布置并安装在传送室内部并且被处理的基板被传送。多个传送臂被扩展，收缩和旋转，其中在其间传送基板的传送臂中的至少一个具有用于支撑基板的构件，该构件的形状不对称于手臂扩大和收缩。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

95. 发明专利

JP4086146B2 Manufacturing method and a substrate processing apparatus of a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4086146B2
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：JP2003015923
申请日：2003-01-24
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：健一寿崎 , 謙和水野 , 裕西野
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/54 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： C23C16/4408 , C23C16/4404 , C23C16/54 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/31608 , H01L21/3185

97. 发明专利

JP2008091761A Substrate processor, and manufacturing method of semiconductor device 审中-公开
标题翻译：基板处理器和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2008091761A
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：JP2006272739
申请日：2006-10-04
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気
发明人： SHIMADA SHINICHI , TSUKAMOTO HIDEYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C14/00 , C23C14/56 , C23C16/52 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/67253 , C23C16/54 , H01L21/67109 , H01L21/67772 , H01L21/67775
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a substrate from being polluted with particles, by so reducing a pressure difference between preliminary and processing chambers as to suppress the rapid flow of a gas which is caused by the pressure difference.
SOLUTION: A substrate processor has a first pressure regulating portion 288 for so regulating an inside pressure of a load locking chamber based on the pressure value sensed by a second pressure sensor that the inside pressure becomes a first set pressure value, and has a second pressure regulating portion 290 for so regulating an inside pressure of a processing chamber based on the pressure value sensed by a first pressure sensor 245 that the inside pressure becomes a second set pressure value, and further, has a set-pressure-value updating portion 292 for so updating the second set pressure value based on the pressure difference between the load locking chamber and the processing chamber which is sensed by a differential pressure gauge 280.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了防止基板被颗粒污染，通过减小预处理室和处理室之间的压力差来抑制由压力差引起的气体的快速流动。解决方案：基板处理器具有第一压力调节部分288，用于基于由第二压力传感器感测到的压力值来调节负载锁定室的内部压力，内部压力变为第一设定压力值，并且具有第二压力限制部290，用于根据由第一压力传感器245感测到的压力值来调节处理室的内部压力，使得内部压力变为第二设定压力值，并且还具有设定值更新部分292用于基于由差压计280感测到的负载锁定室和处理室之间的压力差来更新第二设定压力值。（C）2008，JPO＆INPIT

98. 发明专利

JP2008509805A Vertical offset coater and method of use 审中-公开
公开(公告)号：JP2008509805A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：JP2007525689
申请日：2005-08-05
申请人：日本板硝子株式会社
发明人：ハーティング、クラウス
IPC分类号： B05D3/00 , B05D1/28 , C23C14/56 , C23C16/44
CPC分类号： C23C14/50 , B65G49/063 , B65G2249/02 , C03C17/002 , C03C2218/365 , C23C14/56 , C23C16/4587 , C23C16/54
摘要：本発明は、シート状基板の概ね対向する主面上に薄膜を堆積させるためのコーター及びコーターの使用方法を提供する。コーターは、基板が、完全に鉛直な位置にあるのではなく、むしろ鉛直から鋭角度分だけオフセットされた鉛直オフセット構成で基板を支持するよう適合させた基板移送システムを有する。移送システムは、コーターを通って延びる基板進行路を規定する。移送システムは、基板を基板進行路に沿って搬送するよう適合されている。好ましくは、移送システムは、基板のうら主面を支持するためのサイドサポートを含む。好ましいサイドサポートは、コーティング材料が基板のうら主面上に堆積される場合に、そのようなコーティング材料が通過する少なくとも１つのパッセージを画定する。好ましくは、コーターは、基板進行路の両側のそれぞれに（例えば、コーティング材料を供給するよう適合させた）少なくとも１つのコーティング装置を含む。コーティング装置は、好ましくは、基板を基板進行路に沿って一度だけ通過させて、基板の概ね対向する両主面上にコーティングを堆積させるよう適合されている。
【選択図】なし

100. 发明专利

JP2008038225A Film deposition apparatus, film deposition system, and film deposition method 有权
标题翻译：膜沉积装置，膜沉积系统和膜沉积方法
公开(公告)号：JP2008038225A
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：JP2006216802
申请日：2006-08-09
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： MOYAMA KAZUKI , NOZAWA TOSHIHISA
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/56 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/568 , C23C14/228 , C23C16/54 , H01L51/56
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition system having a small footprint and high productivity which is capable of avoiding cross contamination in each layer formed in a manufacturing process of an organic EL element or the like. SOLUTION: A film deposition apparatus 13 for performing the film deposition on a substrate G has a first film deposition mechanism 35 for depositing a first layer and a second film deposition mechanism 36 for depositing a second layer in a processing container 30. The first film deposition mechanism 35 comprises a nozzle 34 which is arranged inside the processing container 30 to feed a vapor of a film deposition material to the substrate, a vapor generation unit 45 which is arranged outside the processing container to generate the vapor of the film deposition material, and a pipe 46 for feeding the vapor of the film deposition material generated in the vapor generation unit 45 to the nozzle 34. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有小占地面积和高生产率的薄膜沉积系统，其能够避免在有机EL元件等的制造过程中形成的每个层中的交叉污染。解决方案：用于在基板G上进行膜沉积的成膜装置13具有用于沉积第一层的第一膜沉积机构35和用于在处理容器30中沉积第二层的第二膜沉积机构36。第一膜沉积机构35包括喷嘴34，喷嘴34布置在处理容器30的内部，以将薄膜沉积材料的蒸气供给到基板;蒸气产生单元45，布置在处理容器外部，以产生薄膜沉积的蒸汽材料，以及用于将在蒸气发生单元45中产生的成膜材料的蒸汽供给到喷嘴34的管道46.权利要求（C）2008，JPO＆INPIT

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