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1. 发明公开

EP2674516A1 Méthode de fabrication de nanofils de CuSCN par voie électrochimique 审中-公开
标题翻译： Elektrochemisches Herstellungsverfahren von CuSCN-Nanodrähten
公开(公告)号：EP2674516A1
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：EP13171592.2
申请日：2013-06-12
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： CHAPPAZ GILLOT, Cyril , BERSON, Solenn , IVANOVA-HRISTOVA, Valentina , SALAZAR ROMERO, Raul
IPC分类号： C25D3/38 , C25D9/08
CPC分类号： H01L21/4885 , C25D3/38 , C25D9/08
摘要： Ce procédé d'élaboration, sur un substrat conducteur ou semi-conducteur, de nanofils à base de CuSCN comprenant les étapes suivantes :
- préparation d'une solution aqueuse électrolytique à partir d'un sel de Cu(II) à une concentration inférieure à 120 mM, d'un complexant de Cu(II) de la famille des acides aminocarboxyliques et d'un sel de thiocyanate, ladite solution présentant un pH compris entre 0,1 et 3 ;
- dépôt par voie électrochimique de la solution aqueuse électrolytique sur le substrat.
摘要翻译：在导电或半导体衬底上形成基于硫氰酸铜（I）的纳米线，包括：从浓度低于120mM的铜（II）盐制备含水电解液，来自氨基羧酸的铜（II）络合剂酸族和硫氰酸盐; 并将电解液沉积在基底上。溶液的pH值为0.1-3。还包括用于制造光电子器件的独立权利要求，包括通过上述方法在导体或半导体衬底上沉积透明p型半导体。

2. 发明公开

EP2645409A1 TRANSFER SUBSTRATE FOR FORMING METAL WIRING AND METHOD FOR FORMING METAL WIRING USING SAID TRANSFER SUBSTRATE 有权
标题翻译：传输衬底形成用于形成金属布线与本转移基质金属布线和方法
公开(公告)号：EP2645409A1
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：EP11843493.5
申请日：2011-11-18
申请人： Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K.
发明人： OGASHIWA, Toshinori , KURITA, Masaaki , NISHIMORI, Takashi , KANEHIRA, Yukio
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L21/4885 , B22F7/08 , B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/322 , B23K2101/40 , B81C1/00095 , B81C1/00373 , B81C2201/0188 , B81C2201/0194 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/03003 , H01L2224/031 , H01L2224/0312 , H01L2224/03334 , H01L2224/0401 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/0567 , H01L2224/05671 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/05678 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/1112 , H01L2224/11334 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13181 , H01L2224/13184 , H01L2224/94 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/11
摘要： The present invention provides a transfer substrate for transferring a metal wiring material to a transfer-receiving object, the transfer substrate comprising a substrate, at least one metal wiring material formed on the substrate and an underlying metal film formed between the substrate and the metal wiring material, wherein the metal wiring material is a molded article prepared by sintering, e.g., gold powder having a purity of 99.9% by weight or more and an average particle size of 0.01 µm to 1.0 µm and the underlying metal film is composed of a metal such as gold or an alloy. The transfer substrate is capable of transferring a metal wiring material to the transfer-receiving object even at a temperature for heating the transfer-receiving object of 80 to 300°C.
摘要翻译：本发明提供了一转印衬底转移环的金属布线材料到转印接收对象，包括：基板上的转印用基板中，至少一个金属布线的材料形成的基材和对底层金属膜形成的基板和金属布线之间材料，worin金属布线材料是通过烧结制备的模制品，例如，具有按重量计以上且上的0点01微米至1.0微米的平均粒径和底层金属电影的纯度99.9％的金粉末是由金属的：诸如金或合金制成。转印基板能够传递环的金属布线材料到转印接收对象的甚至在温度为80转印接收对象加热至300℃

3. 发明公开

EP0335291A3 Verfahren und Vorrichtung zum Plattieren von Pin-Grid-Arrays 失效
标题翻译：镀层阵列阵列的方法和装置
公开(公告)号：EP0335291A3
公开(公告)日：1991-06-26
申请号：EP89105351.4
申请日：1989-03-25
申请人： Hoechst CeramTec Aktiengesellschaft
发明人： Röll, Rudolf , Brandenburger, Jürgen, Dr. , Hempel, Horst
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/68 , C25D17/06
CPC分类号： C25D17/06 , H01L21/4885 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Bei einem Verfahren zum Plattieren von Pin-Grid-Arrays (PGAs) werden die Pins des PGA's in einer Vorbiegevorrichtung vorgebogen und anschließend auf eine Aufnahmevorrichtung für PGAs aufgesteckt. Dabei wird ein elektrischer Kurzschluß über sämtliche Pins mittels runder oder keilförmiger Stäbe (5) oder mittels Metallstifte, die zwischen mindestens zwei Pins geklemmt werden, hergestellt Die Metallstifte oder -stäbe sind auf einer möglichst rechtwinklig zu den Pins angeordneten Metallplatte (12) befestigt. Die mit einem PGA bestückte Aufnahmevorrichtung wird an einem Galvanikgestell elektrisch leitend angebracht, mit der Kathode verbunden und in ein Galvanikbad getaucht. Nach der Metallabscheidung auf den kathodischen kontaktierten, elektrisch leitenden Flächen werden die Aufnahmevorrichtungen von dem Galvanikgestell gelöst und die plattierten PGAs abgezogen. Eine Aufnahmevorrichtung für PGAs enthält eine rechteckige Grundplatte (12) aus einem korrosionsbeständigen Metall, die mindestens ein Loch aufweist. Die Kantenlängen der Grundplatte haben mindestens die Abmessungen des PGA-Gehäuses. Auf der Metallgrundplatte sind Stäbe (5) in äquidistanten Abständen parallel zur Oberfläche angeordnet und die Höhe (7) der Stäbe über der Grundplatte beträgt mindestens die Hälfte der Pinlänge (9) der PGAs . Der Abstand (11) zwischen zwei Stäben auf der Oberfläche der Grundplatte entspricht dem doppelten Abstand zweier benachbarter Pinreihen auf dem PGA. Es sind mindestens soviele Stäbe vorhanden, daß alle Pins des PGA's kontaktiert werden.

4. 发明公开

EP0002166A2 Support pour microplaquettes de circuits intégrés, et son procédé de fabrication 失效
标题翻译：集成电路及其制备方法晶圆支撑。
公开(公告)号：EP0002166A2
公开(公告)日：1979-05-30
申请号：EP78430015.4
申请日：1978-10-04
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Hammer, Robert , Sachar, Kenneth Selig , Sampogna, Michael
IPC分类号： H01L23/32 , H01L23/48 , H01L21/96 , H05K1/04
CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/4885 , H01L21/6835 , H01L23/49811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Le support comprend une couche diélectrique (2) d'où fait saillie un réseau de broches (6) munies d'un épaulement (7), isolées électriquement entre elles, et un plan de masse (5) isolé électriquement des broches, mais composé du même matériau que celles-ci. Un revêtement isolant (8) couvre le plan (5) et entoure les broches. La fabrication est réalisée par l'électro-érosion d'un substrat du matériau des broches, adjacent à la couche (2), attachée à un support amovible (3). L'isolement électrique des broches est parachevé par une attaque chimique jusqu'à la couche (2) des restes de matériau du substrat laissé autour des broches par l'électro-érosion. Le procédé permet d'éviter tout traitement mécanique tel que l'abra- sage ou polissage de la couche (2) en cas d'insertion mécanique de broches.
Peuvent être utilisés dans les dispositifs électroniques à circuits intégrés.
摘要翻译：所述支撑件包括一个电介质层（2），从该突出销的网络（6）配备有一个台肩（7），它们彼此电绝缘，且接地平面（5）所有其电从销绝缘，但相同的材料，因为后者的组成。的绝缘覆盖物（8）覆盖所述（5）和围绕该销计划。生产是通过销的材料的底物的电火花，所有这一切是毗邻层开展（2）所有其连接到可移动的支撑件（3）。销的电绝缘由化学攻击，只要它是由电腐蚀围绕销离开所述基板的材料的所有残基的层（2）完善。该过程允许任何机械处理的避免：如在销的机械插入的情况下，层（2）的磨损或抛光。这些载体可以在结合集成电路的电子设备一起使用。

5. 发明授权

EP1202337B1 Fabrication of a probe card 有权
标题翻译：测试卡的制备
公开(公告)号：EP1202337B1
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：EP01125135.2
申请日：2001-10-23
申请人： NEC Electronics Corporation
发明人： Mikami, Kazunari, c/o NEC Yamaguchi, Ltd.
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L24/10 , G01R1/0675 , G01R1/06761 , H01L21/4885 , H01L24/13 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/0401

6. 发明授权

EP0258056B1 Integrated circuit package having coaxial pins 失效
标题翻译：具有同轴引脚的集成电路封装
公开(公告)号：EP0258056B1
公开(公告)日：1991-11-06
申请号：EP87307594.9
申请日：1987-08-27
申请人： NEC CORPORATION
发明人： Watari, Toshihiko c/o NEC Corporation
IPC分类号： H01L23/50 , H01L25/04 , H05K7/10 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/4885 , H01L23/50 , H01L23/5384 , H01L2224/16225 , H01L2924/01019 , H01L2924/15312 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025

7. 发明公开

EP0399721A1 Electrical conductors and methods of making them 失效
标题翻译： Elektrische Leiter und Verfahren zu ihrer Herstellung。
公开(公告)号：EP0399721A1
公开(公告)日：1990-11-28
申请号：EP90305266.0
申请日：1990-05-16
申请人： THE GENERAL ELECTRIC COMPANY, p.l.c.
发明人： Humpston, Giles , Jacobson, David Michael
IPC分类号： C22C5/02 , C22F1/14 , C22F1/10
CPC分类号： H01L21/4821 , C22C5/02 , C22F1/14 , H01L21/4885 , H01L23/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method of making material in the form of a fine wire or thin strip or sheet suitable for use as electrical conductors comprises: forming an ingot substantially consisting of an alloy of gold and one or more of the metals titanium, lutetium, zirconium, scandium and hafnium, the amount of the or each of said one or more of the metals in the alloy lying in the range from substantially 0.1 at % to an upper limit comprising the atomic percentage of that metal corresponding to the maximum solubility of that metal in the alloy; solution heat treating the ingot and then quenching the ingot from the solution heat treatment temperature; mechanically working the ingot to have a maximum dimension in at least one direction of not greater than 250 µm; and heat treating the resulting material at a temperature below its solvus temperature in an ambient atmosphere containing oxygen and/or nitrogen in the ambient atmosphere.
The conductors exhibit high tensile strength and resistance to elongation under load and retention of such properties after being heated to elevated temperatures for extended periods of time, such as to render them particularly suitable for use as bond-wires in integrated circuit packages.
摘要翻译：制造适合用作电导体的细线或薄条或片的形式的材料的方法包括：形成基本上由金与一种或多种金属钛，镥，锆，钪和铪，合金中所述一种或多种金属中的每种或每种的量在大约0.1at％至上限的范围内，包括对应于该金属在合金中的最大溶解度的该金属的原子百分比 ; 固溶热处理锭，然后从固溶热处理温度淬火锭; 对锭进行机械加工以至少在一个方向上的最大尺寸不大于250μm; 并在环境气氛中在含有氧和/或氮气的环境气氛中，在低于其固溶温度的温度下对所得材料进行热处理。导体表现出高的拉伸强度和耐负载伸长率，并且在长时间加热到升高的温度之后保持这些性能，使得它们特别适合用作集成电路封装中的接合线。

8. 发明公开

EP0002166A3 Carrier for mounting an integrated-circuit chip and method for its manufacture 失效
标题翻译：用于安装集成电路芯片的载体及其制造方法
公开(公告)号：EP0002166A3
公开(公告)日：1979-08-08
申请号：EP78430015
申请日：1978-10-04
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Hammer, Robert , Sachar, Kenneth Selig , Sampogna, Michael
IPC分类号： H01L23/32 , H01L23/48 , H01L21/96 , H05K01/04 , B23P01/08
CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/4885 , H01L21/6835 , H01L23/49811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Le support comprend une couche diélectrique (2) d'où fait saillie un réseau de broches (6) munies d'un épaulement (7), isolées électriquement entre elles, et un plan de masse (5) isolé électriquement des broches, mais composé du même matériau que celles-ci. Un revêtement isolant (8) couvre le plan (5) et entoure les broches. La fabrication est réalisée par l'électro-érosion d'un substrat du matériau des broches, adjacent à la couche (2), attachée à un support amovible (3). L'isolement électrique des broches est parachevé par une attaque chimique jusqu'à la couche (2) des restes de matériau du substrat laissé autour des broches par l'électro-érosion. Le procédé permet d'éviter tout traitement mécanique tel que l'abrasage ou polissage de la couche (2) en cas d'insertion mécanique de broches.
Peuvent être utilisés dans les dispositifs électroniques à circuits intégrés.
摘要翻译：所述支撑件包括电介质层（2），所述电介质层（2）从所述电介质层（2）突出，所述电介质层（2）从彼此电绝缘的位置突出配备有肩部（7）的销（6）的网络以及与所述引脚电绝缘的接地平面（5）由与后者相同的材料组成。绝缘覆盖物（8）覆盖平面（5）并围绕销。通过与附接到可移除支撑件（3）的层（2）相邻的销的材料的基底的电极化进行生产。只要通过电腐蚀留在引脚周围的基板材料的残留物层（2），化学侵蚀即可完善引脚的电绝缘。在机械插入销的情况下，该过程允许避免任何机械处理，例如层（2）的磨损或抛光。这些支撑件可以用于并入集成电路的电子设备中。

9. 发明公开

EP2645409A4 TRANSFER SUBSTRATE FOR FORMING METAL WIRING AND METHOD FOR FORMING METAL WIRING USING SAID TRANSFER SUBSTRATE 有权
标题翻译：传输衬底形成用于形成金属布线与本转移基质金属布线和方法
公开(公告)号：EP2645409A4
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：EP11843493
申请日：2011-11-18
申请人： TANAKA PRECIOUS METAL IND
发明人： OGASHIWA TOSHINORI , KURITA MASAAKI , NISHIMORI TAKASHI , KANEHIRA YUKIO
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L21/4885 , B22F7/08 , B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/322 , B23K2201/40 , B81C1/00095 , B81C1/00373 , B81C2201/0188 , B81C2201/0194 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/03003 , H01L2224/031 , H01L2224/0312 , H01L2224/03334 , H01L2224/0401 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/0567 , H01L2224/05671 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/05678 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/1112 , H01L2224/11334 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13181 , H01L2224/13184 , H01L2224/94 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/11
摘要： The present invention provides a transfer substrate for transferring a metal wiring material to a transfer-receiving object, the transfer substrate comprising a substrate, at least one metal wiring material formed on the substrate and an underlying metal film formed between the substrate and the metal wiring material, wherein the metal wiring material is a molded article prepared by sintering, e.g., gold powder having a purity of 99.9% by weight or more and an average particle size of 0.01 µm to 1.0 µm and the underlying metal film is composed of a metal such as gold or an alloy. The transfer substrate is capable of transferring a metal wiring material to the transfer-receiving object even at a temperature for heating the transfer-receiving object of 80 to 300°C.

10. 发明公开

EP1889285A4 BACKSIDE METHOD AND SYSTEM FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR COMPONENTS WITH CONDUCTIVE INTERCONNECTS 有权
标题翻译：追溯制度和程序的半导体元件与导电连接的生产
公开(公告)号：EP1889285A4
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：EP06752168
申请日：2006-05-04
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC
发明人： WOOD ALAN G , HIATT WILLIAM M , HEMBREE DAVID R
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/498
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/4885 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/4951 , H01L23/4985 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/50 , H01L24/78 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/86 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05571 , H01L2224/06102 , H01L2224/06136 , H01L2224/11003 , H01L2224/1131 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/114 , H01L2224/1147 , H01L2224/116 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/2518 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/4824 , H01L2224/4845 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/48799 , H01L2224/78301 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/85001 , H01L2224/851 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , Y10T29/53187 , Y10T29/53209 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2224/83851 , H01L2224/05552
摘要： A semiconductor component includes a semiconductor substrate having at least one conductive interconnect on the backside thereof bonded to an inner surface of a substrate contact. A stacked semiconductor component includes multiple semiconductor components in a stacked array having bonded connections between conductive interconnects on adjacent components. An image sensor semiconductor component includes a semiconductor substrate having light detecting elements on the circuit side, and conductive interconnects on the backside.

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