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    • 6. 发明公开
    • VORRICHTUNG ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN
    • EP3035370A1
    • 2016-06-22
    • EP16153590.1
    • 2012-07-24
    • EV Group E. Thallner GmbH
    • Plach, ThomasHingerl, KurtWimplinger, MarkusFlötgen, Christoph
    • H01L21/18H01L21/20H01L21/67H01J37/32B32B37/00B32B38/10
    • B32B38/10B32B37/0046H01J37/32036H01J37/32082H01J37/32165H01J37/32339H01J37/32532H01J37/32798H01J2237/334H01L21/187H01L21/2007H01L21/67092
    • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2), wobei das zweite Substrat (2) zumindest eine Reaktionsschicht (7) aufweist, mit folgenden Merkmalen.
      - eine Bondkammer (20, 20', 27),
      - eine erste Elektrode (21) und eine gegenüberliegend angeordnete zweite Elektrode (22),
      - Aufnahmemittel zur Aufnahme der Substrate (2, 3) zwischen die erste Elektrode (21) und die zweite Elektrode (22),
      - Reservoirbildungsmittel zur Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Reservoirbildungsschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3) durch Beaufschlagung der ersten Kontaktfläche (3) mit einem mittels kapazitiver Kopplung der Elektroden (21, 22) erzeugten Plasma, wobei an der ersten Elektrode (21) während der Plasmaerzeugung eine von einer zweiten Frequenz (f 22 ) der zweiten Elektrode (22) unterschiedliche erste Frequenz (f 21 ) anlegbar ist,
      - Mittel zum Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung,
      wobei die Vorrichtung eine Kammer zur Ausbildung des Reservoirs und eine separat dazu vorgesehene Kammer zur Füllung des Reservoirs und einer, insbesondere separat vorgesehenen Kammer zur Ausbildung der Pre-Bond-Verbindung aufweist, die direkt über ein Vakuumsystem miteinander verbunden sind.
    • 一种用于将第一基板的第一接触区域接合到第二基板的第二接触区域的方法,所述第二基板具有至少一个反应层,以及用于执行所述方法的设备。 该方法包括:(a)在第一电极和第二电极之间或线圈内容纳衬底,(b)通过将第一接触区域暴露于等离子体(c)至少形成第一接触区域上的容器 (d)使第一接触区域与第二接触区域接触以形成预接合互连,(e)在第一和第二组之间形成永久性接合 接触区域通过第一离子束与包含在第二基底的反应层中的第二离子体的反应至少部分地增强。