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1. 发明公开

EP2239774A1 Leistungshalbleiterbauelement mit einer Randpassivierung und Verfahren zu dessen Herstellung 审中-公开
公开(公告)号：EP2239774A1
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：EP10001493.5
申请日：2010-02-13
申请人： SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG
发明人： Fey, Tobias , Berberich, Sven , Stockmeier, Thomas
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L23/293 , H01L23/296 , H01L23/3171 , H01L29/0661 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleiterbauelement (10) mit einem Halbleiterkörper mit zwei sich gegenüberliegenden Hauptflächen, mit mindestens einer planaren (22a) oder einer MESA (22b) Randstruktur mit mindestens einer parallel zur und anschließend an die erste Hauptfläche (20) angeordneten ersten Zone (12) vom ersten Leitungstyp sowie einer daran anschließenden zweiten Zone (14) vom zweiten Leitungstyp. Hierbei ist die erste Hauptfläche (20) teilweise mit mindestens einem metallisierten Kontaktbereich (50) bedeckt und die Randstruktur (22a/b) auf oder neben der ersten Hauptfläche (20) des Halbleiterkörpers zumindest teilweise durch eine erste Passivierungsschicht (30) bedeckt. Diese erste Passivierungsschicht (30) besteht aus einem bis mindestens 200°C thermisch stabilen Isolierstoff der entweder ein präkeramisches Polymer oder ein Isozyanitharz oder ein Epoxydharz oder ein Plyetherketon ist. Weiterhin beschreibt die Erfindung ein zugehöriges Herstellungsverfahren.
摘要翻译：半导体元件（10a）具有部分地覆盖有金属涂层接触区域（50）的主表面（20）。边缘结构（22a）被主表面上或除了主表面之外的钝化层（30）部分地覆盖。该层由热稳定的绝缘材料构成。陶瓷前体，异氰酸酯树脂或环氧树脂或聚醚酮，温度为200摄氏度。绝缘材料通过陶瓷粉末填充0.5体积％至95体积百分比的填充度和0.5微米至500微米的粒度。还包括用于制造大功率半导体元件的方法的独立权利要求。

2. 发明公开

EP2437294A3 Leistungshalbleitermodul mit einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul 审中-公开
标题翻译：与碱模块和连接模块的功率半导体模块
公开(公告)号：EP2437294A3
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：EP11176889.1
申请日：2011-08-09
申请人： Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung
发明人： Stockmeier, Thomas , Göbl, Christian , Kroneder, Christian
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L25/072 , H01L24/72 , H01L25/18 , H01L2924/1301 , H01L2924/00
摘要： Die Anmeldung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem elektrisch isolierenden Gehäuse, einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul und ein zugeordnetes Verfahren zur dessen Herstellung, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte. Ausbilden von Halbleiterbaugruppen jeweils mit einem ersten Leitungselement mindestens einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement sowie einer ersten Kontakteinrichtung in elektrisch leitendem Kontakt zu dem ersten Leitungselement und einer zweiten Kontakteinrichtung in elektrisch leitendem Kontakt zu dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement. Ausbilden des Grundmoduls durch elektrisch isoliertes Anordnen, mittels mindestens einer Isolationseinrichtung, der Halbleiterbaugruppen auf einer Grundplatte. Anordnen und schaltungsgerechtes Verbinden der mindestens einen Verbindungseinrichtung des Verbindungsmoduls mit zugeordneten Kontakteinrichtungen der Halbleiterbaugruppen.

3. 发明公开

EP2264761A3 Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung 审中-公开
标题翻译：一种用于生产具有一个连接装置的功率半导体模块和功率半导体模块的方法
公开(公告)号：EP2264761A3
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：EP10004376.9
申请日：2010-04-24
申请人： SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG
发明人： Beckedahl, Peter , Knebel, Markus , Stockmeier, Thomas
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/538 , H01L23/049 , H01L23/00 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/049 , H01L23/48 , H01L23/5387 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L2224/32188 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/16195
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren sowie ein damit hergestelltes Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat, einer Verbindungseinrichtung und mit Lastanschlusselementen, wobei auf einer Leiterbahn des Substrats Leistungshalbleiterbauelementen angeordnet und mittels der Verbindungseinrichtung mit einem Lastanschlusselement verbunden ist. Weiterhin weist das Leistungshalbleitermodul Hilfskontaktanschlussflächen auf, die mit einer externen Leiterplatte verbindbar sind, Der wesentliche Herstellungsschritt hierbei ist das gleichzeitige oder sequenzielles stoffschlüssiges Verbinden jeweiliger erster Kontaktflächen der ersten Leiterbahnen mit mindestens einer zweiten Kontaktfläche eines Leistungshalbleiterbauelements und mindestens einer dritten Kontaktfläche eines Lastanschlusselements; Anschließend wird der Verbund aus mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement einer Verbindungseinrichtung und Lastanschlusselementen zu einem Gehäuse des Leistungshalbleitermoduls angeordnet

4. 发明公开

EP2261973A3 Leistungselektronisches System 审中-公开
标题翻译：电力电子系统
公开(公告)号：EP2261973A3
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：EP10004377.7
申请日：2010-04-24
申请人： SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG
发明人： Beckedahl, Peter , Knebel, Markus , Stockmeier, Thomas
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/16 , H01L23/10 , H01L23/498 , H01L23/34 , H01L23/049 , H01L23/00 , H02M7/00 , H01L23/64
CPC分类号： H05K7/209 , H01L23/055 , H01L23/10 , H01L23/24 , H01L23/3121 , H01L23/473 , H01L23/4985 , H01L23/642 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L25/162 , H01L25/165 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/16152 , H01L2924/16315 , H01L2924/167 , H01L2924/19041 , H02M7/003 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： Die Erfindung beschreibt ein leistungselektronisches System mit einer Umhausung, einer Kühleinrichtung, einer Stromrichterschaltung, einem Kondensator sowie ersten und zweiten internen und externen Verbindungseinrichtungen, wobei die Stromrichterschaltung ein Substrat mit einer Mehrzahl hierauf angeordneter und mittels der ersten internen Verbindungseinrichtung schaltungsgerecht verbundener Leistungshalbleiterbauelemente aufweist. Die erste interne Verbindungseinrichtung ist mit zugeordneten Anschlusselementen der Kondensatoren und zweiten internen Verbindungseinrichtungen verbunden. Die Umhausung umschließt zusammen mit der Kühleinrichtung die Stromrichterschaltung, die Kondensatoren und die internen Verbindungseinrichtungen, wobei der hierbei entstandene Innenraum mittels eines Isolierstoffes gefüllt ist. Weiterhin sind die Öffnungen an denen die ersten und zweiten Verbindungseinrichtungen die Umhausung oder die Kühleinrichtung durchdringen gegen Umwelteinflüsse abgedichtet.

5. 发明公开

EP2278596A2 Verfahren zu Herstellung und Ansteuerung eines regelbaren Widerstandsbauelement und dessen Verwendung 审中-公开
标题翻译：制造的方法和一种控制可变电阻器件和它的使用
公开(公告)号：EP2278596A2
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：EP10006266.0
申请日：2010-06-17
申请人： SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG
发明人： Berberich, Sven , Stockmeier, Thomas
IPC分类号： H01C10/10
CPC分类号： H01C10/103 , H01L29/84 , H01L41/0906
摘要： Die Erfindung beschreibt Verfahren zu Herstellung und Ansteuerung eines regelbaren Widerstandsbauelements mit einem Widerstandsgrundkörper und einem Aktor, wobei der Widerstandsgrundkörper aus einem Halbleitermaterial besteht und zur stoffschlüssigen Verbindung eine Verbindungsfläche zur Anordnung des Aktors vorgesehen ist. Hierbei weist der Aktor zur elektrischen Verbindung mindesten zwei zweite Kontaktflächen auf womit durch Anlegen einer Spannung durch den Aktor über die Verbindungsfläche mechanisch Kraft auf den Widerstandsgrundkörper eingeleitet wird, wodurch sich der Widerstandswert des Widerstandsgrundkörpers verändert. Dieser regelbare Widerstand wird in einer Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines Leistungshalbleiterschalters verwendet, wobei ein Ansteuersignal von der Treiberschaltung über den regelbaren Widerstand an den Steuereingang des Leistungshalbleiterschalters angelegt wird und der Widerstandswert des regelbaren Widerstandsbauelements von der Treiberschaltung geregelt wird.
摘要翻译：该方法包括通过电使用电阻器元件（1），其中，所述主体由半导体材料制成的电阻器基体连接两个接触表面。的连接面被牢固地键合到在致动器，其中致动器具有两个接触表面。机械力通过施加电压到致动器上的连接表面的接触表面施加到基体上，检查做基体的电阻值变化，其中，所述力的主方向平行或垂直于主表面基体的。

6. 发明公开

EP2278596A3 Verfahren zu Herstellung und Ansteuerung eines regelbaren Widerstandsbauelement und dessen Verwendung 审中-公开
标题翻译：制造的方法和一种控制可变电阻器件和它的使用
公开(公告)号：EP2278596A3
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：EP10006266.0
申请日：2010-06-17
申请人： SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG
发明人： Berberich, Sven , Stockmeier, Thomas
IPC分类号： H01C10/10 , H01L29/84 , H01L29/78
CPC分类号： H01C10/103 , H01L29/84 , H01L41/0906
摘要： Die Erfindung beschreibt Verfahren zu Herstellung und Ansteuerung eines regelbaren Widerstandsbauelements mit einem Widerstandsgrundkörper und einem Aktor, wobei der Widerstandsgrundkörper aus einem Halbleitermaterial besteht und zur stoffschlüssigen Verbindung eine Verbindungsfläche zur Anordnung des Aktors vorgesehen ist. Hierbei weist der Aktor zur elektrischen Verbindung mindesten zwei zweite Kontaktflächen auf womit durch Anlegen einer Spannung durch den Aktor über die Verbindungsfläche mechanisch Kraft auf den Widerstandsgrundkörper eingeleitet wird, wodurch sich der Widerstandswert des Widerstandsgrundkörpers verändert. Dieser regelbare Widerstand wird in einer Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines Leistungshalbleiterschalters verwendet, wobei ein Ansteuersignal von der Treiberschaltung über den regelbaren Widerstand an den Steuereingang des Leistungshalbleiterschalters angelegt wird und der Widerstandswert des regelbaren Widerstandsbauelements von der Treiberschaltung geregelt wird.

7. 发明公开

EP2437295A3 Leistungshalbleitermodul mit einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul 审中-公开
标题翻译：带基本模块和连接模块的功率半导体模块
公开(公告)号：EP2437295A3
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：EP11176890.9
申请日：2011-08-09
申请人： Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung
发明人： Stockmeier, Thomas , Göbl, Christian , Kroneder, Christian
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/053 , H01L23/5385 , H01L24/72 , H01L25/18 , H01L2924/1301 , H01L2924/00
摘要： Die Anmeldung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem elektrisch isolierenden Gehäuse, einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul und ein zugeordnetes Verfahren zur dessen Herstellung, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte. Ausbilden von Halbleiterbaugruppen jeweils mit einem ersten Leitungselement mindestens einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement sowie einer ersten Kontakteinrichtung in elektrisch leitendem Kontakt zu dem ersten Leitungselement und einer zweiten Kontakteinrichtung in elektrisch leitendem Kontakt zu dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement. Ausbilden des Grundmoduls durch elektrisch isoliertes Anordnen, mittels mindestens einer Isolationseinrichtung, der Halbleiterbaugruppen auf einer Grundplatte. Ausbilden des Verbindungsmoduls mit einem Isolierstoffformkörper und mindestens einer Verbindungseinrichtung. Anordnen des Verbindungsmoduls zum Grundmodul unter Ausbildung mindestens einer internen elektrisch leitenden Verbindung mittels einer Verbindungseinrichtung zwischen einer Kontakteinrichtung einer Halbleiterbaugruppe mit einer Kontakteinrichtung einer weiteren Halbleiterbaugruppe.
摘要翻译：本申请涉及具有电绝缘壳体，基座模块和连接模块的功率半导体模块以及用于其制造的相关方法，其特征在于以下方法步骤。形成半导体组件，每个具有设置在其上的功率半导体元件的至少一个以及一第一接触在导电接触到第一导电元件装置和在导电接触到该至少一个功率半导体部件的第二接触装置的第一导管构件。通过借助于至少一个绝缘装置将半导体部件电绝缘布置在基板上来形成基本模块。用绝缘模制件和至少一个连接装置形成连接模块。借助于半导体模块的接触装置与另一个半导体模块的接触装置之间的连接装置形成至少一个内部导电连接，同时将连接模块布置到基础模块上。

8. 发明公开

EP2437295A2 Leistungshalbleitermodul mit einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul 审中-公开
标题翻译： Leistungshalbleitemodul mit einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul
公开(公告)号：EP2437295A2
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：EP11176890.9
申请日：2011-08-09
申请人： Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung
发明人： Stockmeier, Thomas , Göbl, Christian , Kroneder, Christian
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/053 , H01L23/5385 , H01L24/72 , H01L25/18 , H01L2924/1301 , H01L2924/00
摘要： Die Anmeldung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem elektrisch isolierenden Gehäuse, einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul und ein zugeordnetes Verfahren zur dessen Herstellung, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte. Ausbilden von Halbleiterbaugruppen jeweils mit einem ersten Leitungselement mindestens einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement sowie einer ersten Kontakteinrichtung in elektrisch leitendem Kontakt zu dem ersten Leitungselement und einer zweiten Kontakteinrichtung in elektrisch leitendem Kontakt zu dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement. Ausbilden des Grundmoduls durch elektrisch isoliertes Anordnen, mittels mindestens einer Isolationseinrichtung, der Halbleiterbaugruppen auf einer Grundplatte. Ausbilden des Verbindungsmoduls mit einem Isolierstoffformkörper und mindestens einer Verbindungseinrichtung. Anordnen des Verbindungsmoduls zum Grundmodul unter Ausbildung mindestens einer internen elektrisch leitenden Verbindung mittels einer Verbindungseinrichtung zwischen einer Kontakteinrichtung einer Halbleiterbaugruppe mit einer Kontakteinrichtung einer weiteren Halbleiterbaugruppe.
摘要翻译：模块（1）具有包括具有内部连接组件（40）的绝缘体（60）的连接模块（6）。内部连接组件在半导体部件（4a）的接触单元（24a，26a）与另一半导体部件（4b）的接触单元（24b，26b）之间形成电接触。连接模块包括外部接触元件（154,156），其电连接地间接地或直接地与接触单元中的一个或连接组件连接在连接单元上。还包括用于制造功率半导体模块的方法的独立权利要求。

9. 发明公开

EP2437294A2 Leistungshalbleitermodul mit einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul 审中-公开
标题翻译： Leistungshalbleitemodul mit einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul
公开(公告)号：EP2437294A2
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：EP11176889.1
申请日：2011-08-09
申请人： Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung
发明人： Stockmeier, Thomas , Göbl, Christian , Kroneder, Christian
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L25/072 , H01L24/72 , H01L25/18 , H01L2924/1301 , H01L2924/00
摘要： Die Anmeldung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem elektrisch isolierenden Gehäuse, einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul und ein zugeordnetes Verfahren zur dessen Herstellung, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte. Ausbilden von Halbleiterbaugruppen jeweils mit einem ersten Leitungselement mindestens einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement sowie einer ersten Kontakteinrichtung in elektrisch leitendem Kontakt zu dem ersten Leitungselement und einer zweiten Kontakteinrichtung in elektrisch leitendem Kontakt zu dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement. Ausbilden des Grundmoduls durch elektrisch isoliertes Anordnen, mittels mindestens einer Isolationseinrichtung, der Halbleiterbaugruppen auf einer Grundplatte. Anordnen und schaltungsgerechtes Verbinden der mindestens einen Verbindungseinrichtung des Verbindungsmoduls mit zugeordneten Kontakteinrichtungen der Halbleiterbaugruppen.
摘要翻译：模块具有通过绝缘装置（12）定位在半导体部件上的基座模块和基板（10）。绝缘装置与管道元件（14a）电绝缘。提供用于电接触管道元件的主接触单元（24a），并且提供用于电接触功率半导体部件（16）的次级接触单元（26a）。提供了一种连接组件（40），其中半导体部件（4a，4b）的接触单元彼此电接触。包括用于制造功率半导体模块的方法的独立权利要求。

10. 发明公开

EP2264761A2 Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung 审中-公开
标题翻译：一种用于生产具有一个连接装置的功率半导体模块和功率半导体模块的方法
公开(公告)号：EP2264761A2
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：EP10004376.9
申请日：2010-04-24
申请人： SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG
发明人： Beckedahl, Peter , Knebel, Markus , Stockmeier, Thomas
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/538 , H01L23/049 , H01L23/00
CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/049 , H01L23/48 , H01L23/5387 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L2224/32188 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/16195
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren sowie ein damit hergestelltes Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat, einer Verbindungseinrichtung und mit Lastanschlusselementen, wobei auf einer Leiterbahn des Substrats Leistungshalbleiterbauelementen angeordnet und mittels der Verbindungseinrichtung mit einem Lastanschlusselement verbunden ist. Weiterhin weist das Leistungshalbleitermodul Hilfskontaktanschlussflächen auf, die mit einer externen Leiterplatte verbindbar sind, Der wesentliche Herstellungsschritt hierbei ist das gleichzeitige oder sequenzielles stoffschlüssiges Verbinden jeweiliger erster Kontaktflächen der ersten Leiterbahnen mit mindestens einer zweiten Kontaktfläche eines Leistungshalbleiterbauelements und mindestens einer dritten Kontaktfläche eines Lastanschlusselements; Anschließend wird der Verbund aus mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement einer Verbindungseinrichtung und Lastanschlusselementen zu einem Gehäuse des Leistungshalbleitermoduls angeordnet
摘要翻译：该方法涉及在电连接中的功率半导体元件（20）和彼此通过连接装置（40）的负荷连接部件（50）传导的方式。导电路径（42）的接触表面（420）依次用respectivement半导体部件的接触表面（200，500）和所述连接部件相连接。半导体部件，连接装置和负载连接元件被布置成形成的功率半导体模块，其中，所述导电路径由金属箔（42，46）而形成的壳体。因此独立claimsoft包括用于功率半导体模块，包括一个基片。

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