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2. 发明授权

EP2546188B1 Procédé de réalisation d'une structure à membrane suspendue et à électrode enterrée 有权
公开(公告)号：EP2546188B1
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：EP12175751.2
申请日：2012-07-10
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： Giroud, Sophie , Berthelot, Audrey , Larrey, Vincent , Polizzi, Jean-Philippe , Vaudaine, Marie-Hélène
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81B3/00 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/00015 , B81C1/00095 , B81C1/00166

3. 发明公开

EP2829508A2 Structure d'encapsulation comprenant un capot renforce mécaniquement et à effet getter 有权
标题翻译：包含具有吸气效果的机械加强罩的封装结构
公开(公告)号：EP2829508A2
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：EP14178068.4
申请日：2014-07-22
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： Baillin, Xavier , Diem, Bernard , Polizzi, Jean-Philippe , Rouzaud, André
IPC分类号： B81B3/00
摘要： Structure d'encapsulation (100) d'un micro-dispositif (104) réalisé sur et/ou dans un substrat (102) et disposé dans une cavité (110) formée entre le substrat et un capot (106) qui comporte :
- une couche (112) d'un premier matériau dont une face (114) forme une paroi intérieure de la cavité, et
- des portions de renfort mécanique (116) solidarisées à ladite face, recouvrant en partie ladite face et présentant des propriétés d'absorption / d'adsorption gazeuse,

dans laquelle le module d'Young d'un deuxième matériau des portions de renfort mécanique est supérieur à celui du premier matériau, et chacune des portions de renfort mécanique comporte une première couche du deuxième matériau et une deuxième couche d'un troisième matériau getter métallique telles que la première couche du deuxième matériau soit disposée entre la couche du premier matériau et la deuxième couche du troisième matériau et/ou soit recouverte par la deuxième couche du troisième matériau.
摘要翻译：上和/或在衬底（102）和设置在所述衬底和盖（106），其包括之间形成的空腔（110）的微型设备（104）的封装结构（100）： - 一第一材料的层（112），形成腔的内壁的一个面（114），以及 - 固定到所述面上的机械加强部分（116），部分地覆盖所述面并具有吸收特性 /气体吸附，其中，所述材料的第二机械加强部的杨氏模量是比所述第一材料更高的，并且每个机械加强部分包括所述第二材料的第一层和第二层第三金属吸气材料，使得第二材料的第一层设置在所述第一材料层和和/或由第三米第二层覆盖所述第三材料的所述第二层之间 aterial。

4. 发明公开

EP2546188A1 Procédé de réalisation d'une structure a membrane suspendue et à électrode enterrée 有权
标题翻译：一种用于制备具有膜悬浮的结构过程中，和埋入电极
公开(公告)号：EP2546188A1
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：EP12175751.2
申请日：2012-07-10
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： Giroud, Sophie , Berthelot, Audrey , Larrey, Vincent , Polizzi, Jean-Philippe , Vaudaine, Marie-Hélène
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81B3/00 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/00015 , B81C1/00095 , B81C1/00166
摘要： On décrit un dispositif de type Microsystèmes et/ou Nanosystèmes comportant :
- un premier substrat (100), ou substrat intermédiaire, comportant une partie mobile (120),
- un deuxième substrat (200), ou substrat support,
- au moins une première électrode, dite électrode inférieure (102), définie dans une couche d'électrode inférieure, et une couche diélectrique (101), disposées entre le premier et le deuxième substrat, la couche diélectrique étant disposée tout ou partie entre l'électrode inférieure et le premier substrat, une partie de la couche diélectrique (101) étant éliminée pour former une cavité sous la partie mobile du système, le fond de cette cavité étant en partie constitué par la surface supérieure d'une partie de l'électrode inférieure (102) qui fait face à au moins une partie de la partie mobile;
- le premier substrat (100) comportant (111) des via traversant remplis par un matériau conducteur en contact avec ladite électrode inférieure (102).
摘要翻译：该装置具有在中间的基板（100）包括可移动质量体（120），以及包括在一个底电极层所限定的下部电极（102）的支撑基板（200），和在基板之间放置电介质层（101）。该介电层的一部分被去除以形成在可动部质量，其中，所述腔的底部是由在面向所述可动块的一部分下电极的一部分的上表面构成的模腔。中间基板包括通过填充有与所述下部电极接触的导电材料（111）的贯通。中间衬底由半导体材料构成：如硅或硅锗（SiGe）或碳化硅（SiC）或硅 - 锗 - 碳（的SiGeC）或砷化镓（GaAs）或锗（Ge）。因此独立claimsoft包括用于制造微系统和/或纳米系统类型装置的方法。

5. 发明授权

EP2829508B1 Structure d'encapsulation comprenant un capot renforce mécaniquement et à effet getter 有权
公开(公告)号：EP2829508B1
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：EP14178068.4
申请日：2014-07-22
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： Baillin, Xavier , Diem, Bernard , Polizzi, Jean-Philippe , Rouzaud, André
IPC分类号： B81B3/00

6. 发明授权

EP2498287B1 Procédé de réalisation d'interconnexions verticales à travers des couches structurées. 有权
标题翻译：过程，用于通过通过结构化层制备的垂直连接
公开(公告)号：EP2498287B1
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：EP12158256.3
申请日：2012-03-06
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： Berthelot, Audrey , Polizzi, Jean-Philippe
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48 , B81C1/00
CPC分类号： H01L21/76898 , B81C1/00095 , H01L21/7682 , H01L23/481 , H01L2224/80001 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2924/1461 , H01L2924/00

7. 发明公开

EP2498287A2 Procédé de réalisation d'interconnexions verticales à travers des couches structurées. 有权
标题翻译：过程，用于通过通过结构化层制备的垂直连接
公开(公告)号：EP2498287A2
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：EP12158256.3
申请日：2012-03-06
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： Berthelot, Audrey , Polizzi, Jean-Philippe
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48 , B81C1/00
CPC分类号： H01L21/76898 , B81C1/00095 , H01L21/7682 , H01L23/481 , H01L2224/80001 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： L'Invention est relative à un procédé de réalisation d'au moins un puits d'interconnexion destiné à permettre la réalisation d'un via conducteur entre au moins deux couches de connexion d'un composant comprenant un empilement d'au moins un premier et un deuxième substrats isolés électriquement entre eux, le procédé comprenant la définition d'au moins une zone de contact de surface d'une couche de connexion de surface sur une surface de l'empilement et d'au moins une première zone de contact (41) enterrée dans l'empilement à partir d'une première couche de connexion enterrée (4) du premier substrat, caractérisé en ce qu' au moins une zone dépourvue de matière (51, 61) est disposée entre le premier (1) et le deuxième (2) substrats et en ce qu'il comporte une étape de réalisation par gravure plasma à partir de ladite surface (2', 3') de l'empilement d'au moins un premier puits d'interconnextion (82) traversant au moins le deuxième substrat (2) s'étendant entre la zone de contact de surface (82", 85") et la première zone de contact enterrée (41) et traversant la zone dépourvue de matière (51, 61), ainsi qu'une première couche (5) qui recouvre la première couche de connexion enterrée (4).
摘要翻译：该方法包括限定在层叠体的表面（2“）和从在一个基板（4）嵌入连接层嵌入在堆叠中的接触区域（41）的表面连接层的表面接触区域（1）的栈，其中，一个区域（61）没有材料被基板和另一个基板之间定位（2）。的互连孔（82），其经由后期基板通过与接触区之间延伸，并且通过所述空缺区通过，通过从叠层表面等离子体蚀刻制造。覆盖嵌入层的绝缘层（5）被产生。

8. 发明公开

EP2829508A3 Structure d'encapsulation comprenant un capot renforce mécaniquement et à effet getter 有权
标题翻译：包封结构包括具有吸杂作用的机械加强壳体
公开(公告)号：EP2829508A3
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：EP14178068.4
申请日：2014-07-22
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： Baillin, Xavier , Diem, Bernard , Polizzi, Jean-Philippe , Rouzaud, André
IPC分类号： B81B3/00
摘要： Structure d'encapsulation (100) d'un micro-dispositif (104) réalisé sur et/ou dans un substrat (102) et disposé dans une cavité (110) formée entre le substrat et un capot (106) qui comporte :
- une couche (112) d'un premier matériau dont une face (114) forme une paroi intérieure de la cavité, et
- des portions de renfort mécanique (116) solidarisées à ladite face, recouvrant en partie ladite face et présentant des propriétés d'absorption / d'adsorption gazeuse,

dans laquelle le module d'Young d'un deuxième matériau des portions de renfort mécanique est supérieur à celui du premier matériau, et chacune des portions de renfort mécanique comporte une première couche du deuxième matériau et une deuxième couche d'un troisième matériau getter métallique telles que la première couche du deuxième matériau soit disposée entre la couche du premier matériau et la deuxième couche du troisième matériau et/ou soit recouverte par la deuxième couche du troisième matériau.

9. 发明公开

EP2498287A3 Procédé de réalisation d'interconnexions verticales à travers des couches structurées. 有权
标题翻译：过程，用于通过通过结构化层制备的垂直连接
公开(公告)号：EP2498287A3
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：EP12158256.3
申请日：2012-03-06
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： Berthelot, Audrey , Polizzi, Jean-Philippe
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48 , B81C1/00
CPC分类号： H01L21/76898 , B81C1/00095 , H01L21/7682 , H01L23/481 , H01L2224/80001 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： L'Invention est relative à un procédé de réalisation d'au moins un puits d'interconnexion destiné à permettre la réalisation d'un via conducteur entre au moins deux couches de connexion d'un composant comprenant un empilement d'au moins un premier et un deuxième substrats isolés électriquement entre eux, le procédé comprenant la définition d'au moins une zone de contact de surface d'une couche de connexion de surface sur une surface de l'empilement et d'au moins une première zone de contact (41) enterrée dans l'empilement à partir d'une première couche de connexion enterrée (4) du premier substrat, caractérisé en ce qu' au moins une zone dépourvue de matière (51, 61) est disposée entre le premier (1) et le deuxième (2) substrats et en ce qu'il comporte une étape de réalisation par gravure plasma à partir de ladite surface (2', 3') de l'empilement d'au moins un premier puits d'interconnextion (82) traversant au moins le deuxième substrat (2) s'étendant entre la zone de contact de surface (82", 85") et la première zone de contact enterrée (41) et traversant la zone dépourvue de matière (51, 61), ainsi qu'une première couche (5) qui recouvre la première couche de connexion enterrée (4).

10. 发明公开

EP2546189A1 Procédé de rèalisation d'une structure a électrode enterrée par report direct et structure ainsi obtenue 有权转让
标题翻译：一种用于生产结构与通过直接传输的埋入式电极，和得到的结构的方法
公开(公告)号：EP2546189A1
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：EP12175740.5
申请日：2012-07-10
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Freescale Semiconductor, Inc.
发明人： Berthelot, Audrey , Larrey, Vincent , Polizzi, Jean-Philippe , Vaudaine, Marie-Hélène , Desai, Hemant , Park, Woo Tae
IPC分类号： B81C3/00 , G01P15/125
摘要： On décrit un dispositif de type Micro-système et/ou Nano-système comportant :
- un premier substrat (100), comportant au moins une électrode (102), dite électrode inférieure, et au moins une couche diélectrique (103),
- un substrat intermédiaire (200ʹ), s'étendant suivant un plan, dit plan principal du dispositif, comportant une partie mobile (210), et assemblé, en dehors de la partie mobile, par collage moléculaire avec le premier substrat (100), la partie mobile étant en regard d'au moins une partie de l'électrode inférieure (102),
- un substrat supérieur (300), assemblé au substrat intermédiaire (200ʹ), ladite partie mobile pouvant être mise en mouvement entre l'électrode inférieure et le substrat supérieur.
摘要翻译：该装置具有较低的底物（100）包括下电极（102）和介电层（103）。中间基板（200）由单晶硅的，并沿主延伸组装外面与下基板，其中，所述振荡质量块相对于该下电极的一部分摆动通过分子键合的质量（210）的平面上。在上的互补金属氧化物半导体（CMOS）（300）衬底被接合到中间基片，其中，所述振荡质量块被释放以移动所述下电极和所述上基板之间。因此独立claimsoft包括用于制造微系统和/或纳米系统类型装置的方法。

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