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81. 发明公开

EP1080256A1 CRYSTAL GROWTH APPARATUS AND METHOD 有权
标题翻译：方法和设备晶体生长
公开(公告)号：EP1080256A1
公开(公告)日：2001-03-07
申请号：EP99918189.4
申请日：1999-04-29
申请人： The Secretary of State for Defence
发明人： BESWICK, John, Alfred
IPC分类号： C30B15/26 , C30B15/20 , C30B15/10 , C30B15/12
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/12 , C30B15/20 , C30B15/26 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1052
摘要： Crystal growth apparatus comprising a crucible for containing a supply of molten material from which the crystal may be grown and first reflection means for receiving radiation directed along an input path and reflecting radiation towards second reflection means, whereby the second reflection means reflect output radiation along an output path. The first and second reflection means are arranged at or in close proximity with the surface of the molten material such that during crystal growth they maintain a substantially constant position relative to the surface of the molten material. The apparatus may comprise support means for supporting the first and second reflection means, whereby the support means are arranged to float on the molten material. The apparatus may be a single crucible apparatus or a double crucible apparatus. In the double crucible apparatus, the support means may be a second, inner crucible containing molten material in fluid communication with the molten material in the first crucible, whereby the inner crucible floats on the molten material in the first crucible and the first and second reflection means are supported on the inner crucible. The apparatus may also comprise image processing means for forming an image of the crystal or any part of the growth interface region and for determining crystal diameter measurement or meniscus diameter measurement during growth. The apparatus may also comprise means for controlling growth of the crystal in response to the measured crystal or meniscus region diameter. The invention also relates to a crucible for use in growing crystals and a crystal growth method.

82. 发明公开

EP1002144A1 METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING GROWTH OF A SILICON CRYSTAL 失效
标题翻译：方法和系统，用于控制硅晶体生长
公开(公告)号：EP1002144A1
公开(公告)日：2000-05-24
申请号：EP98935581.3
申请日：1998-07-08
申请人： MEMC Electronic Materials, Inc.
发明人： JAVIDI, Massoud
IPC分类号： C30B15/26 , C30B15/20 , C30B15/02
CPC分类号： C30B15/02 , C30B15/20 , C30B15/26 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032
摘要： Method and system for use with a Czochralski crystal growing apparatus. The crystal growing apparatus has a heated crucible for melting solid silicon to form a melt from which the single crystal is pulled. The melt has an upper surface above which unmelted silicon is exposed until melted. A camera generates images of a portion of the interior of the crucible. Each image includes a plurality of pixels and each pixel has a value representative of an optical characteristic of the image. An image processor processes the images as a function of the pixel values to detect edges in the images and groups the detected edges as a function of their locations in the images to define objects in the images. The defined objects each include one or more pixels and at least one of the defined objects is representative of a portion of solid silicon which is visible on the melt surface. A control circuit determines a parameter representative of a condition of the crystal growing apparatus based on the defined objects and controls the crystal growing apparatus in response to the determined parameter.

83. 发明公开

EP0962284A1 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines zylinderförmigen Einkristalls und Verfahren zum Abtrennen von Halbleiterscheiben 有权
标题翻译：用于制造圆筒形单晶和方法，用于分离半导体晶片的方法和装置
公开(公告)号：EP0962284A1
公开(公告)日：1999-12-08
申请号：EP99109278.4
申请日：1999-05-27
申请人： Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft
发明人： Ölkrug, Hans, Dr. , Lundt, Holger, Dr. , Andrä, Christian , Frumm, Josef
IPC分类号： B24B47/22 , B24B49/00 , B28D5/00
CPC分类号： B24B47/22 , B24B49/12 , B28D5/0058 , B28D5/0088 , Y10S117/902 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung eines zylinderförmigen Einkristalls aus Halbleitermaterial mit möglichst geringer Fehlorientierung des Kristallgitters. Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren zum Abtrennen von Halbleiterscheiben von zwei oder mehreren solcher Einkristalle mittels Drahtsägen. Das Verfahren zur Herstellung des Einkristalls umfaßt folgende Schritte:

a) Herstellen eines Einkristalls mit einer Fehlorientierung des Kristallgitters von höchstens 1,5 °;
b) Anordnen des Einkristalls in einer Weise, daß der Einkristall um zwei Drehachsen gedreht werden kann, wobei die Drehachsen senkrecht zu zwei Ebenen liegen, die von zwei Achsen eines rechtwinkeligen Koordinatensystems mit den Achsen x, y und z aufgespannt werden;
c) Drehen des Einkristalls um die Drehachsen bis die Kristallachse parallel zur x,y-Ebene und parallel zur x,z-Ebene des Koordinatensystems liegt;
e) Anbringen von Druckstücken an den Stirnseiten des Einkristalls; und
f) Drehen des Einkristalls um die Kristallachse, wobei der Einkristall zwischen den Druckstücken in einer Schleifmaschine eingespannt ist, und Abschleifen einer Mantelfläche des Einkristalls bis der Einkristall einen bestimmten, einheitlichen Durchmesser aufweist.
摘要翻译：所述半导电材料具有晶格，晶轴和几何轴线（4）。晶轴的空间位置被确定通过X射线的测角仪的方式开采（6）。单晶成直角接通两个旋转轴通过与轴x，y和z直角坐标系统的两个轴张紧两个平面。推力件（9）被施加到单结晶（1）的端边（10）。

84. 发明公开

EP0903428A2 Einrichtung und Verfahren für die Bestimmung von Durchmessern eines Kristalls 审中-公开
标题翻译： Einrichtung und Verfahrenfürdie Bestimmung von Durchmessern eines Kristalls
公开(公告)号：EP0903428A2
公开(公告)日：1999-03-24
申请号：EP98114783.8
申请日：1998-08-06
申请人： Leybold Systems GmbH
发明人： Altekrüger, Burkhard, Dr. Dipl.-Phys. , Aufreiter, Joachim, Ing. , Brüss, Dieter, Dipl.-Ing. , Kalkowski, Klaus, Dipl.-Ing.
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , G01B11/08 , Y10S117/90 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
摘要： Die Erfindung betrifft eine Einrichtung und ein Verfahren für die Bestimmung von Durchmessern eines Kristalls, der aus einer Schmelze gezogen wird. Es sind hierbei mehrere Videokameras vorgesehen, von denen jede einen eigenen Abschnitt entlang der vertikalen Achse des Kristalls oder in eine Richtung senkrecht hierzu abbildet. Die Bildwinkel der Kameras sind so ausgelegt, daß der abzubildende Gegenstand die gesamte Bildebene - wenigstens in einer Richtung - vollständig ausfüllt. Für Gegenstände mit kleinem Durchmesser - z. B. den Kristallhals - wird eine Kamera mit kleinem Bildwinkel verwendet, während für Gegenstände mit großem Durchmesser - z. B. den Kristall-Body - eine Kamera mit großem Bildwinkel verwendet wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于监测用于生产晶体的熔体的装置。因此，该装置包括相机，该相机为坩埚内容物的表面的至少部分提供图像。相对于所述坩埚的内容物的表面的固体和液体部分，通过评价装置评价照相机图像。

85. 发明公开

EP0768707A3 Molecular beam epitaxy process with growing layer thickness control 失效
标题翻译：分子束外延与生长的厚度控制
公开(公告)号：EP0768707A3
公开(公告)日：1999-01-27
申请号：EP96101335.6
申请日：1996-01-31
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人： Celii, Francis G. , Kao, Yung-Chung , Katz, Alan J. , Moise, Theodore S.
IPC分类号： H01L21/203 , C30B23/02 , C30B29/40 , H01L29/88
CPC分类号： H01L29/882 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , C30B23/002 , C30B29/40 , H01L21/02392 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L21/02631 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： Molecular beam epitaxy (202) with growing layer thickness control (206) by feedback of mass spectrometer (204) signals based on a process model. Examples include III-V compound structures with multiple AlAs, InGaAs, and InAs layers as used in resonant tunneling diodes.

86. 发明授权

EP0676492B1 Apparatus for production of single crystal oxide films by liquid-phase epitaxy 失效
标题翻译：用于制造由液相外延氧化物单晶膜的装置
公开(公告)号：EP0676492B1
公开(公告)日：1998-07-08
申请号：EP95105134.1
申请日：1995-04-05
申请人： Murata Manufacturing Co., Ltd.
发明人： Fujino, Masaru , Takagi, Hiroshi
IPC分类号： C30B19/06 , C30B19/02 , C30B29/28
CPC分类号： C30B19/06 , C30B19/02 , C30B29/28 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
摘要： An apparatus for production of single crystal oxide films by liquid-phase epitaxy comprises an insulating core tube with an external high frequency heating means, an electroconductive cylindrical member having openings at both ends and being arranged in the core tube, and a crucible made of an electroconductive material and coaxially arranged in the cylindrical member.

87. 发明公开

EP0781870A3 Crystal pulling apparatus 失效
标题翻译：拉晶
公开(公告)号：EP0781870A3
公开(公告)日：1998-05-20
申请号：EP96309330
申请日：1996-12-20
申请人： SHINETSU HANDOTAI KK
发明人： OZAKI ATSUSHI , URANO MASAHIKO , HARADA ISAMU , KAKEGAWA TOMOHIRO , NAKANO HIDEKI
IPC分类号： C30B15/00 , C30B15/14
CPC分类号： C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： A crystal pulling apparatus is disclosed which employs the Czochralski method. The crystal pulling apparatus is operated while a heater for heating a material melt in a crucible is controlled by the main controller of a main system. When maintenance of a heating state is disabled for some reason, a relay of a signal changeover circuit is switched so as to maintain the heating state under control of the backup controller of a backup system, thereby maintaining the material melt in a molten state. Thus, even when it becomes impossible for the main system to heat the material melt within the crucible, the material melt can be prevented from becoming solidified.

88. 发明公开

EP0781870A2 Crystal pulling apparatus 失效
标题翻译： Kristallziehvorrichtung
公开(公告)号：EP0781870A2
公开(公告)日：1997-07-02
申请号：EP96309330.7
申请日：1996-12-20
申请人： SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
发明人： Ozaki, Atsushi , Urano, Masahiko , Harada, Isamu , Kakegawa, Tomohiro , Nakano, Hideki
IPC分类号： C30B15/14
CPC分类号： C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： A crystal pulling apparatus is disclosed which employs the Czochralski method. The crystal pulling apparatus is operated while a heater for heating a material melt in a crucible is controlled by the main controller of a main system. When maintenance of a heating state is disabled for some reason, a relay of a signal changeover circuit is switched so as to maintain the heating state under control of the backup controller of a backup system, thereby maintaining the material melt in a molten state. Thus, even when it becomes impossible for the main system to heat the material melt within the crucible, the material melt can be prevented from becoming solidified.
摘要翻译：公开了采用Czochralski法的晶体拉制装置。在通过主系统的主控制器控制用于加热坩埚中的材料熔化的加热器的同时操作晶体牵引装置。当由于某种原因禁用加热状态的维持时，切换信号切换电路的继电器，以便在备用系统的备用控制器的控制下保持加热状态，从而将材料熔体保持在熔融状态。因此，即使主系统不可能在坩埚内加热材料熔体，也可以防止材料熔融变硬化。

89. 发明公开

EP0732427A2 A method and apparatus for the growth of a single crystal 失效
标题翻译：维尔法伦和Vorrichtung zurZüchtungeines Einkristalles
公开(公告)号：EP0732427A2
公开(公告)日：1996-09-18
申请号：EP96301808.0
申请日：1996-03-15
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LIMITED
发明人： Hashio, Katsushi , Sawada, Shin-ichi , Tatsumi, Masami
IPC分类号： C30B15/12 , C30B15/22 , C30B27/02
CPC分类号： C30B15/00 , C30B15/22 , C30B15/305 , C30B29/42 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/1032
摘要： According to the present invention, in the growth of an oxide single crystal or a compound semiconductor single crystal such as GaAs single crystal by the CZ method or LEC method, the tendency of concave solid-liquid interface shape at the periphery of the growing crystal can be suppressed to prevent polycrystallization without localized heating of the solid-liquid interface, while well controlling the diameter of the growing crystal even when using a crucible with a larger diameter, thus improving the yield of crystal on a commercial scale. The feature consists in that the end of a cylindrical body having an inner diameter of larger than the predetermined diameter of straight part of the growing crystal is immersed in the raw material melt or liquid encapsulant and the crystal is pulled while preventing the shape of the solid-liquid interface from becoming concave by controlling the rotation rate of at least one of a crucible holding the raw materialmelt, the growing crystal and cylindrical body.
摘要翻译：根据本发明，在通过CZ法或LEC法生长氧化物单晶或化合物半导体单晶如GaAs单晶的过程中，生长晶体周围的凹面固液界面形状的倾向可以被抑制以防止多结晶，而不会局部加热固 - 液界面，同时即使使用具有较大直径的坩埚也能很好地控制生长晶体的直径，从而以商业规模提高了晶体的产率。其特征在于，将具有大于生长晶体的直线部分的预定直径的内径的圆柱体的端部浸入原料熔体或液体密封剂中，并且在防止固体的形状的同时拉动晶体通过控制保持原料熔体，生长晶体和圆柱体的坩埚中的至少一个的旋转速率，液体界面变得凹陷。

90. 发明公开

EP0696652A3 Verfahren und Vorrichtung zur Messung und Steuerung bzw. Regelung der Sauerstoffkonzentration in Siliciumschmelzen 失效
标题翻译：用于测量和控制在硅熔体中的氧浓度的方法和装置
公开(公告)号：EP0696652A3
公开(公告)日：1996-04-17
申请号：EP95112274.6
申请日：1995-08-04
申请人： Müller, Georg, Prof. Dr.
发明人： Müller, Georg, Prof. Dr. , Marten, Rainer, Dipl. Ing. , Seidl, Albrecht, Dipl. Ing.
IPC分类号： C30B15/00 , C30B13/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B13/00 , C30B15/00 , Y10S73/09 , Y10T117/1008 , Y10T436/12 , Y10T436/209163
摘要： Bei einem Verfahren zur Messung und Regelung der Sauerstoffkonzentration in Siliciumschmelzen, welche sich in einem SiO₂-Glastiegel befinden oder mit einer SiO₂-Glasoberfläche in Kontakt bringbar sind, ist insbesondere zur Erzielung einer definierten, homogenen axialen Sauerstoffkonzentration in dem wachsenden Kristall vorgesehen, daß die Messung der Sauerstoffkonzentration durch eine in die Schmelze eintauchende elektrochemische Potentialsonde erfolgt, wobei das Potential zwischen dem wachsenden Siliciumkristall und der Sonde abgegriffen wird und durch Anlegen einer Spannung zwischen Kristall und SiO₂-Tiegel der Sauerstoffgehalt in der Schmelze bzw. im Kristall gesteuert bzw. geregelt werden kann. Eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zeichnet sich dadurch aus, daß eine elektrochemische Potential-Sonde (1o) aus einem ein Metall/Metalloxid-Gemisch einschließenden, abgeschlossenen SiO₂-Glasröhrchen (1) gebildet ist, welches mit einem Metalldraht (3) kontaktiert ist.
摘要翻译：探针（10）具有一个金属/金属氧化物混合物。（2）密封于腔室中在相接触的石英玻璃管（1），其具有外部电线（3）和浸没在熔融的Si（4）。由石英玻璃管保护的热电偶（6）被定位在附近，以指示温度。该金属/金属氧化物混合物。在腔室（2）包含O2在基准分压。该值与样品（10）和生长Si晶体（5），临时之间的电压Us结合使用。通过热电偶电压UT和其他已知的或可测量的科学常数表示来计算在熔融硅的O 2的摩尔分数。

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