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81. 发明公开

EP0585343A1 PRIMARY FLOW CVD APPARATUS AND METHOD 有权
标题翻译：化学气相淀积设备和方法的研究PRIMÄRSTRÖM。
公开(公告)号：EP0585343A1
公开(公告)日：1994-03-09
申请号：EP92911855.0
申请日：1992-04-09
申请人： Silicon Valley Group, Inc.
发明人： LEARN, Arthur J. , DU BOIS, Dale R. , MILLER, Nicholas E. , SEILHEIMER, Richard A.
IPC分类号： C23C16 , H01L21
CPC分类号： C23C16/45504 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/45514
摘要： Dispositif de dépôt en phase gazeuse par procédé chimique comprenant un tube de réaction à parois chaudes, un ou plusieurs préréchauffeurs du gaz de réaction, une sortie d'évacuation des gaz de réaction et des moyens de régulation de l'écoulement sensiblement non tourbillonnaire des gaz de réaction, afin de faire circuler les gaz de réaction, en écoulement sensiblement laminaire, depuis un préréchauffeur vers la sortie d'évacuation. Le moyen de régulation d'écoulement des gaz comprend une bride de tube placé en relation sensiblement non tourbillonnaire avec l'extrémité de la zone des nacelles pour tranches, ladite bride comportant des éléments de surface incurvés s'étendant de l'extrémité de la zone des nacelles pour des tranches au tube extérieur, afin de diriger les gaz de réaction hors de la zone de réaction, ou à l'intérieur de celle-ci, tout en maintenant les gaz en écoulement sensiblement laminaire. Un préréchauffeur de gaz de réaction comprend un premier tube de réchauffement pourvu d'un déflecteur amovible, dont la surface est déterminée pour le transfert d'une quantité prédéfinie de chaleur vers les gaz de réaction s'écoulant au-dessus de la surface du déflecteur. Un deuxième préréchauffeur de gaz de réaction comprend un réchauffeur cylindrique à deux parois, dont les déformations de la surface intérieure constituent une zone de surface déterminée pour le transfert d'une quantité prédéfinie de chaleur vers les gaz de réaction s'écoulant au-dessus des déformations de la surface intérieure. Le réchauffeur cylindrique à deux parois et le tube de réchauffement peuvent comporter chacun une pluralité d'orifices d'injection de gaz, dont la position des axes centraux provoquent un mélange immédiat des gaz injectés provenant desdits orifices. Un autre préréchauffeur de gaz de réaction comprend le passage constitué par les tubes concentriques de vide et de chambre de réaction. Le procédé décrit par l'invention comprend le préréchauffage des gaz de réaction, de préférence dans des chambres de réchauffement

82. 发明公开

EP0460106A1 NOVEL GLASS DEPOSITION VISCOELASTIC FLOW PROCESS 失效
标题翻译：玻璃沉淀工艺流程与粘弹性。
公开(公告)号：EP0460106A1
公开(公告)日：1991-12-11
申请号：EP90905069.0
申请日：1990-02-20
申请人： LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： MONKOWSKI, Joseph, R. , LOGAN, Mark, A. , WRIGHT, Lloyd, F.
IPC分类号： C23C16 , H01L21
CPC分类号： C23C16/45504 , C23C16/401 , C23C16/46 , H01L21/3105 , H01L21/31604 , H01L21/76224
摘要： Un procédé de dépôt de verre à écoulement visco-élastique permettant de former des structures isolantes planes et semi-planes sur des dispositifs (202) à semi-conducteurs, consiste à amener des réactifs vaporisés dans une chambre de réaction à une température de réaction comprise entre 750° et 950°C, et à soumettre la surface des dispositifs à semi-conducteurs à des réactifs se déplaçant à une vitesse élevée. La vitesse élevée des réactifs permet la formation d'une couche de verre uniforme (200) de qualité élevée, à des températures compatibles avec la température de fusion de sorte que le dépôt ait lieu simultanément avec l'écoulement visco-élastique du verre. Le dépôt et l'écoulement simultanés produisent un aplanissement topographique sensiblement dépourvu de vides et d'autres défauts de la couche.

83. 发明公开

EP0283007A3 Chemical vapour deposition apparatus having a perforated head 失效
标题翻译：化学蒸气沉积装置具有执行头
公开(公告)号：EP0283007A3
公开(公告)日：1988-10-19
申请号：EP88104251
申请日：1988-03-17
申请人： FUJITSU LIMITED
发明人： Mieno, Fumitake c/o Fujitsu Limited Patent Dep.
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/455 , C23C16/45504
摘要： In a chemical vapour deposition apparatus having a perforated head (26) for ejecting reaction gas in a laminar flow over an object to be deposited, the head comprises an ejection member (27) ejecting the gas into the space inside the head in predetermined directions, a housing (33) enclosing the ejection member and guiding the gas ejected from the ejection member to flow over the inner surface thereof in a laminar state, and a perforated plate (34) connected to the bottom end of the housing, allowing the gas flowing centripetally over the inner surface thereof to be ejected outside the head. As a result, a laminar flow of homogeneous reaction gas is ejected toward the object, growing a chemical vapour deposition layer of high quality over the object.

84. 发明公开

EP0156857A1 METHOD AND APPARATUS FOR COATING A SUBSTRATE 失效
标题翻译：方法和设备用于涂布基材。
公开(公告)号：EP0156857A1
公开(公告)日：1985-10-09
申请号：EP84903521.0
申请日：1984-09-17
申请人： LIBBEY-OWENS-FORD CO.
发明人： HOFER, Peter, H. , ALBACH, Eberhard, R.
IPC分类号： C23C16 , C03C17
CPC分类号： C23C16/45504 , C03C17/002 , C23C16/45582 , C23C16/45585 , C23C16/45591 , C23C16/45595
摘要： Appareil et procédé pour diriger un écoulement laminaire de fluide à vitesse constante le long d'une surface d'un substrat planaire. L'appareil comporte une pluralité de passages individuels (38, 44, 50, 60, 64, 66, 80, 82) disposés en série et reliant une entrée (30) à une sortie (34). L'entrée est conçue pour être reliée à une source de fluide, alors que la sortie est placée près de la surface du substrat pour diriger l'écoulement laminaire uniforme de fluide sur la surface du substrat. Les passages individuels sont conçus pour modifier la vitesse du fluide au fur et à mesure que celui-ci traverse les passages afin de garantir la production d'un écoulement laminaire de vitesse constante le long de la surface du substrat. Dans le mode préférentiel de réalisation, l'appareil est utilisé pour appliquer un revêtement d'oxyde métallique sur une feuille de verre mobile. A cet effet, la sortie est une buse allongée s'étendant transversalement par rapport au chemin du verre mobile afin de permettre l'application d'un réactif gazeux utilisé pour former le revêtement d'oxyde métallique sur toute la largeur de la feuille de verre. Dans un mode de réalisation, les passages individuels sont des passages convergents et divergents alternés, fonctionnant pour distribuer uniformément le fluide à l'intérieur des passages, si bien que le fluide quitte la sortie allongée à une vitesse relativement constante afin de produire un écoulement laminaire uniforme du réactif gazeux sur la feuille de verre.

85. 发明公开

EP3020850A1 APPARATUS FOR PLASMA PROCESSING 有权
标题翻译： VORRICHTUNG ZUR PLASMAVERARBEITUNG
公开(公告)号：EP3020850A1
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：EP15199821.8
申请日：2010-07-08
申请人： Aixtron SE
发明人： Savas, Stephen Edward , Galewski, Carl , Wiesnoski, Allan B. , Mantripragada, Sai , Joh, Sooyun
IPC分类号： C23F1/00 , H05H1/24 , B05D1/36 , C23C16/26 , C23C16/24 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/503 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/46 , C23C16/54 , C23C16/505
CPC分类号： H01J37/32541 , C23C16/24 , C23C16/26 , C23C16/345 , C23C16/40 , C23C16/401 , C23C16/407 , C23C16/4412 , C23C16/45504 , C23C16/45519 , C23C16/45591 , C23C16/466 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/545 , H01J37/32036 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67069
摘要： Apparatus for plasma processing of a substrate comprising:
a power supply; at least one plasma generating unit (PGU) including at least two electrodes, including at least a first electrode and a second electrode, wherein the first electrode is a powered electrode coupled to the power supply; a support for positioning and supporting the substrate with a first side of the substrate facing the PGU. The apparatus further comprising at least one gas supply system and
at least one exhaust port configured to provide a gas flow through a first gap between a front surface of the first electrode and the substrate and through a second gap between a first side surface of the first electrode and a side surface of the second electrode. Each of the electrodes has a length and a width, wherein
the length of each respective electrode is at least four times the width of the respective electrode. The first electrode and the second electrode are positioned relative to one another such that the second gap is less than the width of the first electrode. The first electrode is positioned such that the first gap is less than the width of the first electrode. The gas supply system comprises a first gas inlet configured to inject a first gas flow into the second gap. The power supply is configured to provide an alternating current (AC) to sustain a plasma in the first gap. It is essential that the support forms a third electrode for sustaining a plasma in the second gap that the gas supply system comprises a second gas inlet downstream of the first gas inlet configured to inject a second gas flow into the plasma.
摘要翻译：一种用于等离子体处理衬底的装置，包括：电源; 包括至少两个电极的至少一个等离子体产生单元（PGU），其包括至少第一电极和第二电极，其中所述第一电极是耦合到所述电源的供电电极; 用于定位和支撑衬底的支撑件，其中衬底的面向PGU的第一侧。所述装置还包括至少一个气体供应系统和至少一个排气口，所述至少一个排气口被配置成提供通过第一电极的前表面和基板之间的第一间隙的气流，并且通过第一间隙在第一电极和第二电极的侧表面。每个电极具有长度和宽度，其中每个相应电极的长度是相应电极的宽度的至少四倍。第一电极和第二电极相对于彼此定位，使得第二间隙小于第一电极的宽度。第一电极被定位成使得第一间隙小于第一电极的宽度。气体供应系统包括构造成将第一气流注入到第二间隙中的第一气体入口。电源被配置为提供交流电（AC）以维持第一间隙中的等离子体。重要的是，支撑件形成用于在第二间隙中维持等离子体的第三电极，气体供应系统包括构造成将第二气流注入等离子体的第一气体入口下游的第二气体入口。

86. 发明公开

EP2451991A4 APPARATUS AND METHOD FOR PLASMA PROCESSING 有权转让
标题翻译：装置和方法用于等离子体处理
公开(公告)号：EP2451991A4
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：EP10797882
申请日：2010-07-08
申请人： AIXTRON SE
发明人： SAVAS STEPHEN EDWARD , GALEWSKI CARL , WIESNOSKI ALLAN B , MANTRIPRAGADA SAI , JOH SOOYUN
IPC分类号： C23F1/00 , B05D1/36 , C23C16/24 , C23C16/26 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/54 , H01J37/32 , H01L21/67 , H05H1/24
CPC分类号： H01J37/32541 , C23C16/24 , C23C16/26 , C23C16/345 , C23C16/40 , C23C16/401 , C23C16/407 , C23C16/4412 , C23C16/45504 , C23C16/45519 , C23C16/45591 , C23C16/466 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/545 , H01J37/32036 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67069
摘要： Apparatus for plasma processing of a substrate comprising: a power supply; at least one plasma generating unit (PGU) including at least two electrodes, including at least a first electrode and a second electrode, wherein the first electrode is a powered electrode coupled to the power supply; a support for positioning and supporting the substrate with a first side of the substrate facing the PGU. The apparatus further comprising at least one gas supply system and at least one exhaust port configured to provide a gas flow through a first gap between a front surface of the first electrode and the substrate and through a second gap between a first side surface of the first electrode and a side surface of the second electrode. Each of the electrodes has a length and a width, wherein the length of each respective electrode is at least four times the width of the respective electrode. The first electrode and the second electrode are positioned relative to one another such that the second gap is less than the width of the first electrode. The first electrode is positioned such that the first gap is less than the width of the first electrode. The gas supply system comprises a first gas inlet configured to inject a first gas flow into the second gap. The power supply is configured to provide an alternating current (AC) to sustain a plasma in the first gap. It is essential that the support forms a third electrode for sustaining a plasma in the second gap that the gas supply system comprises a second gas inlet downstream of the first gas inlet configured to inject a second gas flow into the plasma.

87. 发明公开

EP2545197A4 ATOMIC LAYER DEPOSITION CHAMBER WITH MULTI INJECT 有权
标题翻译：室中多次注射矿核分层损伤
公开(公告)号：EP2545197A4
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：EP11753949
申请日：2011-03-08
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： YUDOVSKY JOSEPH , NGUYEN ANH N , NGO TAI T
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/4408 , C23C16/45504 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/45591 , H01J37/32449 , H01L21/0228 , H01L21/28194 , H01L21/3141
摘要： Embodiments of the invention relate to apparatus and methods for depositing materials on substrates during atomic layer deposition processes. In one embodiment, a chamber lid assembly comprises a channel having an upper portion and a lower portion, wherein the channel extends along a central axis, a housing having an inner region and at least partially defining two or more annular channels, an insert disposed in the inner region and defining the upper portion, the upper portion fluidly coupled with the two or more annular channels, and a tapered bottom surface extending from the bottom portion of the channel to a peripheral portion of the chamber lid assembly.

88. 发明公开

EP2656373A1 A MICROWAVE PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL 有权转让
标题翻译：用于制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器
公开(公告)号：EP2656373A1
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：EP11799674.4
申请日：2011-12-14
申请人： Element Six Limited
发明人： COE, Steven Edward , WILMAN, Jonathan James , TWITCHEN, Daniel James , SCARSBROOK, Geoffrey Alan , BRANDON, John Robert , WORT, Christopher John Howard
IPC分类号： H01J37/32 , C30B29/04
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C16/274 , C23C16/45504 , C23C16/45565 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B29/04 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要： A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material via chemical vapour deposition, the microwave plasma reactor comprising: a plasma chamber; a substrate holder disposed in the plasma chamber for supporting a substrate on which the synthetic diamond material is to be deposited in use; a microwave coupling configuration for feeding microwaves from a microwave generator into the plasma chamber; and a gas flow system for feeding process gases into the plasma chamber and removing them therefrom; wherein the gas flow system comprises a gas inlet nozzle array comprising a plurality of gas inlet nozzles disposed opposite the substrate holder for directing process gases towards the substrate holder, the gas inlet nozzle array comprising: at least six gas inlet nozzles disposed in a substantially parallel or divergent orientation relative to a central axis of the plasma chamber; a gas inlet nozzle number density equal to or greater than 0.1 nozzles/cm2, wherein the gas inlet nozzle number density is measured by projecting the nozzles onto a plane whose normal lies parallel to the central axis of the plasma chamber and measuring the gas inlet number density on said plane; and a nozzle area ratio of equal to or greater than 10, wherein the nozzle area ratio is measured by projecting the nozzles onto a plane whose normal lies parallel to the central axis of the plasma chamber, measuring the total area of the gas inlet nozzle area on said plane, dividing by the total number of nozzles to give an area associated with each nozzle, and dividing the area associated with each nozzle by an actual area of each nozzle.
摘要翻译： 1。一种用于通过化学气相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器，所述微波等离子体反应器包括：设置在所述等离子体室中的衬底保持器，用于支撑在使用中将沉积所述合成金刚石材料的衬底; 用于将来自微波发生器的微波馈送到等离子体腔室中的微波耦合配置; 以及气体流动系统，用于将处理气体馈送到等离子体腔室中并从其中移除它们; 其中所述气体流动系统包括气体入口喷嘴阵列，所述气体入口喷嘴阵列包括与所述衬底保持器相对设置的多个气体入口喷嘴，用于引导处理气体朝向所述衬底保持器，所述气体入口喷嘴阵列包括：至少六个气体入口喷嘴，或相对于等离子体腔室的中心轴线的分散取向; 气体入口喷嘴的数量密度等于或大于0.1个喷嘴/ cm 2，其中气体入口喷嘴的数量密度是通过将喷嘴喷射到其法线平行于等离子体室的中心轴线的平面上并测量气体入口在所述平面上的数密度;以及等于或大于10的喷嘴面积比，其中喷嘴面积比通过将喷嘴投影到其法线平行于等离子体室的中心轴线的平面上来测量，测量总面积在所述平面上的气体入口喷嘴区域除以喷嘴的总数以给出与每个喷嘴相关联的区域，并且将与每个喷嘴相关联的区域除以每个喷嘴的实际区域。

89. 发明授权

EP2084304B1 METHOD AND APPARATUS FOR THE EPITAXIAL DEPOSITION OF MONOCRYSTALLINE GROUP III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL USING GALLIUM TRICHLORIDE 有权
标题翻译：方法和设备外延沉积单晶III-V半导体材料的用三氯化镓
公开(公告)号：EP2084304B1
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：EP07871489.6
申请日：2007-11-15
申请人： Soitec
发明人： ARENA, Chantal , WERKHOVEN, Christiaan
IPC分类号： C30B29/40 , C30B25/02 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455 , C30B25/14
CPC分类号： C30B25/10 , C23C16/303 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45504 , C23C16/45593 , C30B25/14 , C30B29/406 , C30B35/00 , H01L21/0254 , H01L21/0262

90. 发明公开

EP2504279A1 REACTOR AND METHOD FOR PRODUCTION OF SILICON 审中-公开
标题翻译：反应器和方法硅的生产
公开(公告)号：EP2504279A1
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：EP10833630.6
申请日：2010-11-25
申请人： Dynatec Engineering AS
发明人： FILTVEDT, Josef , FILTVEDT, Werner, O. , HOLT, Arve
IPC分类号： C01B33/027
CPC分类号： C01B33/035 , B01J4/002 , B01J4/007 , B01J19/02 , B01J19/2405 , B01J19/28 , B01J2219/00056 , B01J2219/0009 , B01J2219/00141 , B01J2219/00144 , B01J2219/00146 , B01J2219/00148 , B01J2219/00155 , B01J2219/00164 , B01J2219/0236 , B01J2219/029 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/45502 , C23C16/45504 , C30B25/08 , C30B29/06
摘要： Reactor for production of silicon, comprising a reactor volume, distinctive in that the reactor comprises or is operatively arranged to at least one means for setting a silicon-containing reaction gas for chemical vapor deposition (CVD) into rotation inside the reactor volume. Method for production of silicon.

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